公开(公告)号：TW202022992A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：TW108142046

申请日：2019-11-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄞金木 ,  YIN, JIN-MU ,  高弘昭 ,  KAO, HUNG-CHAO ,  陳殿豪 ,  CHEN, DIAN-HAU ,  陳蕙祺 ,  CHEN, HUI-CHI ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG-KU ,  陳燕銘 ,  CHEN, YEN-MING

IPC: H01L21/822

Abstract: 本發明實施例揭露三維金屬-絕緣體-金屬超高密度（3D-MIM-SHD）電容器和半導體裝置的製造方法。一種方法包含在半導體基底上方沉積第一介電材料的基礎層，以及在基礎層中蝕刻出一系列凹槽。一旦將一系列凹槽蝕刻至基礎層中，就可以在此系列凹槽中沉積一系列導電層和介電層，以形成由介電層隔開的三維波狀導電層堆疊。可以形成第一接觸插塞穿過波狀堆疊的中間導電層，並且可以形成第二接觸插塞穿過波狀堆疊的頂部導電層和底部導電層。接觸插塞將導電層電耦合至半導體基底的一或多個主動裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露三维金属-绝缘体-金属超高密度（3D-MIM-SHD）电容器和半导体设备的制造方法。一种方法包含在半导体基底上方沉积第一介电材料的基础层，以及在基础层中蚀刻出一系列凹槽。一旦将一系列凹槽蚀刻至基础层中，就可以在此系列凹槽中沉积一系列导电层和介电层，以形成由介电层隔开的三维波状导电层堆栈。可以形成第一接触插塞穿过波状堆栈的中间导电层，并且可以形成第二接触插塞穿过波状堆栈的顶部导电层和底部导电层。接触插塞将导电层电耦合至半导体基底的一或多个主动设备。

公开(公告)号：TW202008601A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108124069

申请日：2019-07-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃致凡 ,  HUANG, CHIH-FAN ,  高弘昭 ,  KAO, HUNG-CHAO ,  蕭遠洋 ,  HSIAO, YUAN-YANG ,  蕭琮介 ,  HSIAO, TSUNG-CHIEH ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG-KU ,  陳蕙祺 ,  CHEN, HUI-CHI ,  陳殿豪 ,  CHEN, DIAN-HAU ,  陳燕銘 ,  CHEN, YEN-MING

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/06

Abstract: 一種金屬-絕緣體-金屬電容器結構包含半導體基板和位於半導體基板上方的底部導電層，底部導電層相對於半導體基板的頂表面具有傾斜側壁。金屬-絕緣體-金屬電容器結構更包含位於底部導電層上方的頂部導電層，頂部導電層相對於半導體基板的頂表面具有垂直側壁。金屬-絕緣體-金屬電容器結構更包含介於底部導電層和頂部導電層之間的絕緣層，絕緣層覆蓋底部導電層的傾斜側壁。

Abstract in simplified Chinese: 一种金属-绝缘体-金属电容器结构包含半导体基板和位于半导体基板上方的底部导电层，底部导电层相对于半导体基板的顶表面具有倾斜侧壁。金属-绝缘体-金属电容器结构更包含位于底部导电层上方的顶部导电层，顶部导电层相对于半导体基板的顶表面具有垂直侧壁。金属-绝缘体-金属电容器结构更包含介于底部导电层和顶部导电层之间的绝缘层，绝缘层覆盖底部导电层的倾斜侧壁。