半導體裝置與其形成方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置與其形成方法 审中-公开
    半导体设备与其形成方法

    公开(公告)号:TW201724519A

    公开(公告)日:2017-07-01

    申请号:TW105131868

    申请日:2016-10-03

    CPC classification number: H01L21/76897 H01L21/76883 H01L29/6656 H01L29/78

    Abstract: 半導體裝置,包括第一閘極結構位於基板上,並沿著第一方向延伸。第一閘極結構包括第一閘極、第一絕緣蓋層位於第一閘極上、多個第一側壁間隔物位於第一閘極與第一絕緣蓋層之相反兩側面上、以及多個第二側壁間隔物位於第一側壁間隔物上。半導體裝置亦包括第一保護層形成於第一絕緣蓋層、第一側壁間隔物、與第二側壁間隔物上。第一保護層沿著第二方向的剖面為π形,其具有頂部與兩個腳部,且第二方向垂直於第一方向。

    Abstract in simplified Chinese: 半导体设备,包括第一闸极结构位于基板上,并沿着第一方向延伸。第一闸极结构包括第一闸极、第一绝缘盖层位于第一闸极上、多个第一侧壁间隔物位于第一闸极与第一绝缘盖层之相反两侧面上、以及多个第二侧壁间隔物位于第一侧壁间隔物上。半导体设备亦包括第一保护层形成于第一绝缘盖层、第一侧壁间隔物、与第二侧壁间隔物上。第一保护层沿着第二方向的剖面为π形,其具有顶部与两个脚部,且第二方向垂直于第一方向。

    半導體裝置的製造方法
    5.
    发明专利
    半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备的制造方法

    公开(公告)号:TW202022992A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:TW108142046

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本發明實施例揭露三維金屬-絕緣體-金屬超高密度(3D-MIM-SHD)電容器和半導體裝置的製造方法。一種方法包含在半導體基底上方沉積第一介電材料的基礎層,以及在基礎層中蝕刻出一系列凹槽。一旦將一系列凹槽蝕刻至基礎層中,就可以在此系列凹槽中沉積一系列導電層和介電層,以形成由介電層隔開的三維波狀導電層堆疊。可以形成第一接觸插塞穿過波狀堆疊的中間導電層,並且可以形成第二接觸插塞穿過波狀堆疊的頂部導電層和底部導電層。接觸插塞將導電層電耦合至半導體基底的一或多個主動裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露三维金属-绝缘体-金属超高密度(3D-MIM-SHD)电容器和半导体设备的制造方法。一种方法包含在半导体基底上方沉积第一介电材料的基础层,以及在基础层中蚀刻出一系列凹槽。一旦将一系列凹槽蚀刻至基础层中,就可以在此系列凹槽中沉积一系列导电层和介电层,以形成由介电层隔开的三维波状导电层堆栈。可以形成第一接触插塞穿过波状堆栈的中间导电层,并且可以形成第二接触插塞穿过波状堆栈的顶部导电层和底部导电层。接触插塞将导电层电耦合至半导体基底的一或多个主动设备。

    半導體裝置及其形成方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置及其形成方法 审中-公开
    半导体设备及其形成方法

    公开(公告)号:TW201719763A

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:TW105101183

    申请日:2016-01-15

    Abstract: 一種半導體裝置之形成方法提供一半成品,包括:一基板,具有一第一區與一第二區,其中該第一區包括一絕緣物而該第二區包括一電晶體之源極、汲極與通道區。此半成品更包括位於該絕緣物上之閘極堆疊物及位於該通道區上之閘極堆疊物。此半成品更包括位於該些閘極堆疊物上之一第一介電層。此方法更包括部分凹蝕該第一介電層;形成一第二介電層於經凹蝕之該第一介電層上;以及形成一接觸蝕刻停止層於該第二介電層上。於一實施例中,此方法更包括形成閘極介層物孔洞於閘極堆疊物上、形成源極與汲極介層物孔洞於源極/汲極區上,及形成介層物於閘極介層物孔洞與閘極介層物孔洞內。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备之形成方法提供一半成品,包括:一基板,具有一第一区与一第二区,其中该第一区包括一绝缘物而该第二区包括一晶体管之源极、汲极与信道区。此半成品更包括位于该绝缘物上之闸极堆栈物及位于该信道区上之闸极堆栈物。此半成品更包括位于该些闸极堆栈物上之一第一介电层。此方法更包括部分凹蚀该第一介电层;形成一第二介电层于经凹蚀之该第一介电层上;以及形成一接触蚀刻停止层于该第二介电层上。于一实施例中,此方法更包括形成闸极介层物孔洞于闸极堆栈物上、形成源极与汲极介层物孔洞于源极/汲极区上,及形成介层物于闸极介层物孔洞与闸极介层物孔洞内。

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