公开(公告)号：TW201732897A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105141858

申请日：2016-12-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 沈香谷 ,  SHEN, HSIANG KU ,  黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  黃彥傑 ,  HUANG, YEN CHIEH ,  陳蕙祺 ,  CHEN, HUI CHI ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA DAVID

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/845 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 一種半導體裝置包含第一閘極結構設置於基板上。第一閘極結構包含第一閘電極、第一覆蓋絕緣層設置於第一閘電極上，以及第一側壁間隔物設置於第一閘電極和第一覆蓋絕緣層的側表面上。半導體裝置更包含第一保護層形成於第一覆蓋絕緣層和至少一個第一側壁間隔物之上。第一保護層包含由氮氧化鋁(AlON)，氮化鋁(AlN)及非晶矽所組成的群組中選擇其中至少一種。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含第一闸极结构设置于基板上。第一闸极结构包含第一闸电极、第一覆盖绝缘层设置于第一闸电极上，以及第一侧壁间隔物设置于第一闸电极和第一覆盖绝缘层的侧表面上。半导体设备更包含第一保护层形成于第一覆盖绝缘层和至少一个第一侧壁间隔物之上。第一保护层包含由氮氧化铝(AlON)，氮化铝(AlN)及非晶硅所组成的群组中选择其中至少一种。

公开(公告)号：TW201724519A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105131868

申请日：2016-10-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳蕙祺 ,  CHEN, HUI CHI ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG KU ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA DAVID

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76883 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

Abstract: 半導體裝置，包括第一閘極結構位於基板上，並沿著第一方向延伸。第一閘極結構包括第一閘極、第一絕緣蓋層位於第一閘極上、多個第一側壁間隔物位於第一閘極與第一絕緣蓋層之相反兩側面上、以及多個第二側壁間隔物位於第一側壁間隔物上。半導體裝置亦包括第一保護層形成於第一絕緣蓋層、第一側壁間隔物、與第二側壁間隔物上。第一保護層沿著第二方向的剖面為π形，其具有頂部與兩個腳部，且第二方向垂直於第一方向。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备，包括第一闸极结构位于基板上，并沿着第一方向延伸。第一闸极结构包括第一闸极、第一绝缘盖层位于第一闸极上、多个第一侧壁间隔物位于第一闸极与第一绝缘盖层之相反两侧面上、以及多个第二侧壁间隔物位于第一侧壁间隔物上。半导体设备亦包括第一保护层形成于第一绝缘盖层、第一侧壁间隔物、与第二侧壁间隔物上。第一保护层沿着第二方向的剖面为π形，其具有顶部与两个脚部，且第二方向垂直于第一方向。

公开(公告)号：TWI591733B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW105101183

申请日：2016-01-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 呂志偉 ,  LU, CHIH WEI ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNG JU ,  黃建樺 ,  HUANG, CHIEN HUA ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG KU ,  陳昭誠 ,  CHEN, ZHAO CHENG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/467 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66515

公开(公告)号：TWI579906B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW104139862

申请日：2015-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李凱璿 ,  LEE, KAI HSUAN ,  楊正宇 ,  YANG, CHENG YU ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG KU ,  蔡瀚霆 ,  TSAI, HAN TING ,  黃益民 ,  HUANG, YI MIN

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/802

公开(公告)号：TW202022992A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：TW108142046

申请日：2019-11-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄞金木 ,  YIN, JIN-MU ,  高弘昭 ,  KAO, HUNG-CHAO ,  陳殿豪 ,  CHEN, DIAN-HAU ,  陳蕙祺 ,  CHEN, HUI-CHI ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG-KU ,  陳燕銘 ,  CHEN, YEN-MING

IPC: H01L21/822

Abstract: 本發明實施例揭露三維金屬-絕緣體-金屬超高密度（3D-MIM-SHD）電容器和半導體裝置的製造方法。一種方法包含在半導體基底上方沉積第一介電材料的基礎層，以及在基礎層中蝕刻出一系列凹槽。一旦將一系列凹槽蝕刻至基礎層中，就可以在此系列凹槽中沉積一系列導電層和介電層，以形成由介電層隔開的三維波狀導電層堆疊。可以形成第一接觸插塞穿過波狀堆疊的中間導電層，並且可以形成第二接觸插塞穿過波狀堆疊的頂部導電層和底部導電層。接觸插塞將導電層電耦合至半導體基底的一或多個主動裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露三维金属-绝缘体-金属超高密度（3D-MIM-SHD）电容器和半导体设备的制造方法。一种方法包含在半导体基底上方沉积第一介电材料的基础层，以及在基础层中蚀刻出一系列凹槽。一旦将一系列凹槽蚀刻至基础层中，就可以在此系列凹槽中沉积一系列导电层和介电层，以形成由介电层隔开的三维波状导电层堆栈。可以形成第一接触插塞穿过波状堆栈的中间导电层，并且可以形成第二接触插塞穿过波状堆栈的顶部导电层和底部导电层。接触插塞将导电层电耦合至半导体基底的一或多个主动设备。

公开(公告)号：TW202008601A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108124069

申请日：2019-07-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃致凡 ,  HUANG, CHIH-FAN ,  高弘昭 ,  KAO, HUNG-CHAO ,  蕭遠洋 ,  HSIAO, YUAN-YANG ,  蕭琮介 ,  HSIAO, TSUNG-CHIEH ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG-KU ,  陳蕙祺 ,  CHEN, HUI-CHI ,  陳殿豪 ,  CHEN, DIAN-HAU ,  陳燕銘 ,  CHEN, YEN-MING

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/06

Abstract: 一種金屬-絕緣體-金屬電容器結構包含半導體基板和位於半導體基板上方的底部導電層，底部導電層相對於半導體基板的頂表面具有傾斜側壁。金屬-絕緣體-金屬電容器結構更包含位於底部導電層上方的頂部導電層，頂部導電層相對於半導體基板的頂表面具有垂直側壁。金屬-絕緣體-金屬電容器結構更包含介於底部導電層和頂部導電層之間的絕緣層，絕緣層覆蓋底部導電層的傾斜側壁。

Abstract in simplified Chinese: 一种金属-绝缘体-金属电容器结构包含半导体基板和位于半导体基板上方的底部导电层，底部导电层相对于半导体基板的顶表面具有倾斜侧壁。金属-绝缘体-金属电容器结构更包含位于底部导电层上方的顶部导电层，顶部导电层相对于半导体基板的顶表面具有垂直侧壁。金属-绝缘体-金属电容器结构更包含介于底部导电层和顶部导电层之间的绝缘层，绝缘层覆盖底部导电层的倾斜侧壁。

公开(公告)号：TWI584417B

公开(公告)日：2017-05-21

申请号：TW104136615

申请日：2015-11-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李凱璿 ,  LEE, KAI HSUAN ,  楊正宇 ,  YANG, CHENG YU ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG KU ,  蔡瀚霆 ,  TSAI, HAN TING ,  黃益民 ,  HUANG, YIMIN

IPC: H01L21/8252 ,  H01L29/36 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/092 ,  H01L29/161 ,  H01L29/267 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795

公开(公告)号：TWI650869B

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：TW105131868

申请日：2016-10-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳蕙祺 ,  CHEN, HUI CHI ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG KU ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA DAVID

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TW201719763A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105101183

申请日：2016-01-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 呂志偉 ,  LU, CHIH WEI ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNG JU ,  黃建樺 ,  HUANG, CHIEN HUA ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG KU ,  陳昭誠 ,  CHEN, ZHAO CHENG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/467 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66515

Abstract: 一種半導體裝置之形成方法提供一半成品，包括：一基板，具有一第一區與一第二區，其中該第一區包括一絕緣物而該第二區包括一電晶體之源極、汲極與通道區。此半成品更包括位於該絕緣物上之閘極堆疊物及位於該通道區上之閘極堆疊物。此半成品更包括位於該些閘極堆疊物上之一第一介電層。此方法更包括部分凹蝕該第一介電層；形成一第二介電層於經凹蝕之該第一介電層上；以及形成一接觸蝕刻停止層於該第二介電層上。於一實施例中，此方法更包括形成閘極介層物孔洞於閘極堆疊物上、形成源極與汲極介層物孔洞於源極/汲極區上，及形成介層物於閘極介層物孔洞與閘極介層物孔洞內。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备之形成方法提供一半成品，包括：一基板，具有一第一区与一第二区，其中该第一区包括一绝缘物而该第二区包括一晶体管之源极、汲极与信道区。此半成品更包括位于该绝缘物上之闸极堆栈物及位于该信道区上之闸极堆栈物。此半成品更包括位于该些闸极堆栈物上之一第一介电层。此方法更包括部分凹蚀该第一介电层；形成一第二介电层于经凹蚀之该第一介电层上；以及形成一接触蚀刻停止层于该第二介电层上。于一实施例中，此方法更包括形成闸极介层物孔洞于闸极堆栈物上、形成源极与汲极介层物孔洞于源极/汲极区上，及形成介层物于闸极介层物孔洞与闸极介层物孔洞内。

公开(公告)号：TW201630126A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104136615

申请日：2015-11-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李凱璿 ,  LEE, KAI HSUAN ,  楊正宇 ,  YANG, CHENG YU ,  沈香谷 ,  SHEN, HSIANG KU ,  蔡瀚霆 ,  TSAI, HAN TING ,  黃益民 ,  HUANG, YIMIN

IPC: H01L21/8252 ,  H01L29/36 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/092 ,  H01L29/161 ,  H01L29/267 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795

Abstract: 一種半導體裝置結構及其方法被提供。上述半導體裝置結構包括半導體基板及位於半導體基板上的第一閘極堆疊及第二閘極堆疊。上述半導體裝置結構亦包括第一摻雜結構位於半導體基板上且鄰近第一閘極堆疊。其中第一摻雜結構包括III-V族化合物半導體材料及摻質。上述半導體裝置結構亦包括第二摻雜結構位於半導體基板上且鄰近第二閘極堆疊。第二摻雜結構包括III-V族化合物半導體材料及摻質。第一摻雜結構與第二摻雜結構的其中一者為n型半導體結構，且第一摻雜結構與第二摻雜結構的另一者為p型半導體結構。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备结构及其方法被提供。上述半导体设备结构包括半导体基板及位于半导体基板上的第一闸极堆栈及第二闸极堆栈。上述半导体设备结构亦包括第一掺杂结构位于半导体基板上且邻近第一闸极堆栈。其中第一掺杂结构包括III-V族化合物半导体材料及掺质。上述半导体设备结构亦包括第二掺杂结构位于半导体基板上且邻近第二闸极堆栈。第二掺杂结构包括III-V族化合物半导体材料及掺质。第一掺杂结构与第二掺杂结构的其中一者为n型半导体结构，且第一掺杂结构与第二掺杂结构的另一者为p型半导体结构。