公开(公告)号：TW201732904A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105139209

申请日：2016-11-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 侯承浩 ,  HOU, CHENG HAO ,  許家瑋 ,  HSU, CHIA WEI ,  于 雄飛 ,  YU, XIONG-FEI

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/283 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517

Abstract: 一種順應性摻雜鰭式場效電晶體(FinFET)的方法及結構包括形成一閘極堆疊，以至少局部位於延伸自一基底的一鰭部上方。在各個不同的實施例中，一阻障金屬層沉積於閘極堆疊上方。進行一熱氟處理(thermal fluorine treatment)，其形成一氟化層於阻障金屬層內，且氟化層具有複數個氟原子。在一些實施例中，在形成氟化層之後，進行退火以驅入至少一些的氟原子於閘極堆疊內(驅入界面層及高介電常數介電層)，藉以利用上述至少一些的氟原子順應性摻雜閘極堆疊。

Abstract in simplified Chinese: 一种顺应性掺杂鳍式场效应管(FinFET)的方法及结构包括形成一闸极堆栈，以至少局部位于延伸自一基底的一鳍部上方。在各个不同的实施例中，一阻障金属层沉积于闸极堆栈上方。进行一热氟处理(thermal fluorine treatment)，其形成一氟化层于阻障金属层内，且氟化层具有复数个氟原子。在一些实施例中，在形成氟化层之后，进行退火以驱入至少一些的氟原子于闸极堆栈内(驱入界面层及高介电常数介电层)，借以利用上述至少一些的氟原子顺应性掺杂闸极堆栈。

公开(公告)号：TWI397124B

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：TW098131886

申请日：2009-09-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲豪 ,  CHANG, CHE HAO ,  侯承浩 ,  HOU, CHENG HAO ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  吳泰伯 ,  WU, TAI BOR

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/306 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517