半導體元件結構及其形成方法
    6.
    发明专利
    半導體元件結構及其形成方法 审中-公开
    半导体组件结构及其形成方法

    公开(公告)号:TW201624576A

    公开(公告)日:2016-07-01

    申请号:TW104136617

    申请日:2015-11-06

    Abstract: 提供了半導體元件之結構與形成方法。半導體元件結構包括了半導體基底與半導體基底上之閘極電極。半導體元件結構亦包括鄰近閘極電極之一源極/汲極結構。半導體元件結構更包括於該閘極電極之一側壁上之一間隔物元件,而間隔物元件包括具有一第一外表面之一上部以及具有一第二外表面之一下部。介於第一外表面與閘極電極之側壁之間的數個橫向距離為大體相同。介於第二外表面與閘極電極之側壁之間的數個橫向距離則沿自下部之一頂部朝向半導體基底增加。

    Abstract in simplified Chinese: 提供了半导体组件之结构与形成方法。半导体组件结构包括了半导体基底与半导体基底上之闸极电极。半导体组件结构亦包括邻近闸极电极之一源极/汲极结构。半导体组件结构更包括于该闸极电极之一侧壁上之一间隔物组件,而间隔物组件包括具有一第一外表面之一上部以及具有一第二外表面之一下部。介于第一外表面与闸极电极之侧壁之间的数个横向距离为大体相同。介于第二外表面与闸极电极之侧壁之间的数个横向距离则沿自下部之一顶部朝向半导体基底增加。

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