公开(公告)号：TW201626571A

公开(公告)日：2016-07-16

申请号：TW104134169

申请日：2015-10-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  張永融 ,  CHANG, YUNG JUNG

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 一種鰭式場效電晶體(FinFET)裝置結構及其形成方法，此鰭式場效電晶體(FinFET)裝置結構包括基底及鰭結構，延伸於上述基底之上方，且包括磊晶結構，形成在上述鰭結構上，其中上述磊晶結構具有第一高度，並且鰭側壁間隔物，鄰接上述磊晶結構，其中上述鰭側壁間隔物具有第二高度，並且上述第一高度大於上述第二高度，並且其中上述鰭側壁間隔物設置用以控制上述磊晶結構的體積和上述第一高度。

Abstract in simplified Chinese: 一种鳍式场效应管(FinFET)设备结构及其形成方法，此鳍式场效应管(FinFET)设备结构包括基底及鳍结构，延伸于上述基底之上方，且包括磊晶结构，形成在上述鳍结构上，其中上述磊晶结构具有第一高度，并且鳍侧壁间隔物，邻接上述磊晶结构，其中上述鳍侧壁间隔物具有第二高度，并且上述第一高度大于上述第二高度，并且其中上述鳍侧壁间隔物设置用以控制上述磊晶结构的体积和上述第一高度。

公开(公告)号：TW201616652A

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW104123375

申请日：2015-07-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  張永融 ,  CHANG, YUNG JUNG

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/085 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 本揭露提供一種鰭式場效電晶體裝置結構與其形成方法。鰭式場效電晶體裝置結構包括一基板與一隔離結構形成於基板之上。該鰭式場效電晶體裝置結構包括一鰭式結構延伸高於該基板，且該鰭式結構埋設於該基板之中。該鰭式場效電晶體裝置結構包括一磊晶結構形成於該鰭式結構之上，其中該磊晶結構具有類五邊形形狀，且其中該磊晶結構與該鰭式結構之間的一介面低於該隔離結構之一上表面。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种鳍式场效应管设备结构与其形成方法。鳍式场效应管设备结构包括一基板与一隔离结构形成于基板之上。该鳍式场效应管设备结构包括一鳍式结构延伸高于该基板，且该鳍式结构埋设于该基板之中。该鳍式场效应管设备结构包括一磊晶结构形成于该鳍式结构之上，其中该磊晶结构具有类五边形形状，且其中该磊晶结构与该鳍式结构之间的一界面低于该隔离结构之一上表面。

公开(公告)号：TWI582989B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW104123514

申请日：2015-07-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  張永融 ,  CHANG, YUNG JUNG

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/085 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201537752A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103145766

申请日：2014-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳聖文 ,  CHEN, SHENGWEN ,  林鈺庭 ,  LIN, YUTING ,  張哲豪 ,  CHANG, CHEHAO ,  游偉明 ,  YOU, WEIMING ,  王廷君 ,  WANG, TINGCHUN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/321 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供一種具有高介電係數閘介電質的半導體裝置和一種製作方法。在一基板上形成一閘介電層，可能在此閘介電層和此基板之間插入一介面層，形成一障蔽層在沿著此障蔽層和此閘介電層之間的一介面具有較高的氮濃度，此障蔽層例如為TiN層，舉例來說，可能以沈積形成此障蔽層，和在TiN層上進行一氮化處理以增加沿著此障蔽層和此閘介電層之間的介面的氮濃度，在此障蔽層之上形成一閘極。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种具有高介电系数闸介电质的半导体设备和一种制作方法。在一基板上形成一闸介电层，可能在此闸介电层和此基板之间插入一界面层，形成一障蔽层在沿着此障蔽层和此闸介电层之间的一界面具有较高的氮浓度，此障蔽层例如为TiN层，举例来说，可能以沉积形成此障蔽层，和在TiN层上进行一氮化处理以增加沿着此障蔽层和此闸介电层之间的界面的氮浓度，在此障蔽层之上形成一闸极。

公开(公告)号：TWI691002B

公开(公告)日：2020-04-11

申请号：TW104136617

申请日：2015-11-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊柏峰 ,  YOUNG, BO FENG ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林木滄 ,  LIN, MU TSANG ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO

IPC: H01L21/441 ,  H01L29/06 ,  H01L29/772

公开(公告)号：TW201624576A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104136617

申请日：2015-11-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊柏峰 ,  YOUNG, BO FENG ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林木滄 ,  LIN, MU TSANG ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO

IPC: H01L21/441 ,  H01L29/06 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半導體元件之結構與形成方法。半導體元件結構包括了半導體基底與半導體基底上之閘極電極。半導體元件結構亦包括鄰近閘極電極之一源極/汲極結構。半導體元件結構更包括於該閘極電極之一側壁上之一間隔物元件，而間隔物元件包括具有一第一外表面之一上部以及具有一第二外表面之一下部。介於第一外表面與閘極電極之側壁之間的數個橫向距離為大體相同。介於第二外表面與閘極電極之側壁之間的數個橫向距離則沿自下部之一頂部朝向半導體基底增加。

Abstract in simplified Chinese: 提供了半导体组件之结构与形成方法。半导体组件结构包括了半导体基底与半导体基底上之闸极电极。半导体组件结构亦包括邻近闸极电极之一源极/汲极结构。半导体组件结构更包括于该闸极电极之一侧壁上之一间隔物组件，而间隔物组件包括具有一第一外表面之一上部以及具有一第二外表面之一下部。介于第一外表面与闸极电极之侧壁之间的数个横向距离为大体相同。介于第二外表面与闸极电极之侧壁之间的数个横向距离则沿自下部之一顶部朝向半导体基底增加。

公开(公告)号：TWI397124B

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：TW098131886

申请日：2009-09-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲豪 ,  CHANG, CHE HAO ,  侯承浩 ,  HOU, CHENG HAO ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  吳泰伯 ,  WU, TAI BOR

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/306 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

公开(公告)号：TWI602301B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW104134169

申请日：2015-10-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  張永融 ,  CHANG, YUNG JUNG

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI582950B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW104139463

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 游承諺 ,  YU, CHENG YEN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO ,  楊柏峰 ,  YOUNG, BO FENG

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/02 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201637171A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW104139463

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 游承諺 ,  YU, CHENG YEN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO ,  楊柏峰 ,  YOUNG, BO FENG

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/02 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一種半導體元件的製造方法，包括形成鰭狀結構於基材上。形成隔離絕緣層以使鰭狀結構的上部分突出於隔離絕緣層。閘極結構係形成於鰭狀結構之一部分上。複數個第一凹陷係形成於鰭狀結構二側之隔離絕緣層中。第二凹陷係形成於未被閘極結構所覆蓋之鰭狀結構的一部分中。第二凹陷之深度D1和第一凹陷之深度D2滿足0D1D2(但D1和D2不同時為零)，其中深度D1和深度D2係從隔離絕緣層之最上表面測得。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件的制造方法，包括形成鳍状结构于基材上。形成隔离绝缘层以使鳍状结构的上部分突出于隔离绝缘层。闸极结构系形成于鳍状结构之一部分上。复数个第一凹陷系形成于鳍状结构二侧之隔离绝缘层中。第二凹陷系形成于未被闸极结构所覆盖之鳍状结构的一部分中。第二凹陷之深度D1和第一凹陷之深度D2满足0D1D2(但D1和D2不同时为零)，其中深度D1和深度D2系从隔离绝缘层之最上表面测得。