公开(公告)号：TWI622175B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW106106669

申请日：2009-07-27

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  白石康次郎 ,  SHIRAISHI, KOJIRO

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/016 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/15 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618

公开(公告)号：TWI621142B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW103110410

申请日：2014-03-20

申请人： 獨立行政法人科學技術振興機構 ,  JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY

发明人： 下田達也 ,  SHIMODA, TATSUYA ,  德光永輔 ,  TOKUMITSU, EISUKE ,  尾上允敏 ,  ONOUE, MASATOSHI ,  宮迫毅明 ,  MIYASAKO, TAKAAKI

IPC分类号： H01G4/30

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02269 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91 ,  H01L29/513

公开(公告)号：TWI609490B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW103118954

申请日：2014-05-30

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

发明人： 青木健志 ,  AOKI, TAKESHI ,  福原昇 ,  FUKUHARA, NOBORU ,  佐澤洋幸 ,  SAZAWA, HIROYUKI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L29/512 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201743456A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW106129028

申请日：2010-07-27

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78606 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/344 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明的目的之一是提供一種具備可以有效地降低佈線之間的寄生電容的結構的半導體裝置。在使用氧化物半導體層的底閘結構的薄膜電晶體中，以與重疊於閘極電極層的氧化物半導體層的一部分上接觸的方式形成用作通道保護層的氧化物絕緣層，當形成該氧化物絕緣層時形成覆蓋氧化物半導體層的疊層的邊緣部(包括側面)的氧化物絕緣層。另外，不與通道保護層重疊地形成源極電極層及汲極電極層，以採用源極電極層及汲極電極層上的絕緣層與氧化物半導體層接觸的結構。

简体摘要： 本发明的目的之一是提供一种具备可以有效地降低布线之间的寄生电容的结构的半导体设备。在使用氧化物半导体层的底闸结构的薄膜晶体管中，以与重叠于闸极电极层的氧化物半导体层的一部分上接触的方式形成用作信道保护层的氧化物绝缘层，当形成该氧化物绝缘层时形成覆盖氧化物半导体层的叠层的边缘部(包括侧面)的氧化物绝缘层。另外，不与信道保护层重叠地形成源极电极层及汲极电极层，以采用源极电极层及汲极电极层上的绝缘层与氧化物半导体层接触的结构。

公开(公告)号：TWI606589B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW105102370

申请日：2016-01-26

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 邱漢欽 ,  CHIU, HAN CHIN ,  蔡正原 ,  TSAI, CHENG YUAN

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

公开(公告)号：TWI601215B

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105130993

申请日：2016-09-26

申请人： 台灣半導體股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.

发明人： 蔡宜龍 ,  TSAI, YI LUNG ,  馬林納 阿亞弟 ,  MRINAL, ARYADEEP ,  阿馬努拉 穆罕默德 ,  AMANULLAH, MOHAMMAD ,  楊博文 ,  YANG, PO WEN ,  梁書祥 ,  LIANG, SHU SIANG

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：TW201731112A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW106113112

申请日：2013-04-25

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 宮本敏行 ,  MIYAMOTO, TOSHIYUKI ,  野村昌史 ,  NOMURA, MASAFUMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明的一個方式的目的是防止由靜電破壞引起的良率的下降提供高可靠性的半導體裝置。提供一種半導體裝置，該半導體裝置包括：閘極電極層；閘極電極層上的第一閘極絕緣層；位於第一閘極絕緣層上且具有比第一閘極絕緣層小的厚度的第二閘極絕緣層；第二閘極絕緣層上的氧化物半導體層；以及與氧化物半導體層電連接的源極電極層及汲極電極層，其中，第一閘極絕緣層為對應於在電子自旋共振法中在g值為2.003時出現的信號的自旋密度為1×1017spins/cm3以下的含有氮的矽膜，並且，第二閘極絕緣層為具有比第一閘極絕緣層低的氫濃度的含有氮的矽膜。

简体摘要： 本发明的一个方式的目的是防止由静电破坏引起的良率的下降提供高可靠性的半导体设备。提供一种半导体设备，该半导体设备包括：闸极电极层；闸极电极层上的第一闸极绝缘层；位于第一闸极绝缘层上且具有比第一闸极绝缘层小的厚度的第二闸极绝缘层；第二闸极绝缘层上的氧化物半导体层；以及与氧化物半导体层电连接的源极电极层及汲极电极层，其中，第一闸极绝缘层为对应于在电子自旋共振法中在g值为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3以下的含有氮的硅膜，并且，第二闸极绝缘层为具有比第一闸极绝缘层低的氢浓度的含有氮的硅膜。

公开(公告)号：TWI593113B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW103126709

申请日：2014-08-05

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 柯德博 莫如娜A ,  KHADERBAD, MRUNAL A. ,  曹學文 ,  TSAU, HSUEH WEN ,  李家慶 ,  LEE, CHIA CHING ,  李達元 ,  LEE, DA YUAN ,  魏孝寬 ,  WEI, HSIAO KUAN ,  洪志昌 ,  HUNG, CHIH CHANG ,  張惠政 ,  CHANG, HUICHENG ,  張文 ,  CHANG, WENG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/42372 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI591688B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW103135838

申请日：2014-10-16

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 倉橋菜緒子 ,  KURAHASHI, NAOKO

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201724528A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW106106669

申请日：2009-07-27

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  白石康次郎 ,  SHIRAISHI, KOJIRO

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/016 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/15 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618

摘要： 在主動矩陣型顯示裝置中，包含在電路中的薄膜電晶體的電氣特性很重要，且該電氣特性影響到顯示裝置的性能。藉由對反交錯型(inverted staggered)薄膜電晶體使用包含In、Ga及Zn的氧化物半導體膜，可以減少薄膜電晶體之電氣特性的變動。為了解決目的，不接觸於空氣地進行濺射法來連續地形成閘極絕緣膜、氧化物半導體層、通道保護膜的三層。另外，採用在氧化物半導體層中的重疊於通道保護膜的區域的厚度比接觸於導電膜的區域的厚度厚的結構。

简体摘要： 在主动矩阵型显示设备中，包含在电路中的薄膜晶体管的电气特性很重要，且该电气特性影响到显示设备的性能。借由对反交错型(inverted staggered)薄膜晶体管使用包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜，可以减少薄膜晶体管之电气特性的变动。为了解决目的，不接触于空气地进行溅射法来连续地形成闸极绝缘膜、氧化物半导体层、信道保护膜的三层。另外，采用在氧化物半导体层中的重叠于信道保护膜的区域的厚度比接触于导电膜的区域的厚度厚的结构。