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公开(公告)号：TW201737346A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106103214
申请日：2017-01-26
Inventor： 許家銘 , HSU, CHIA MING , 周沛瑜 , CHOU, PEI YU , 曹志彬 , TSAO, CHIH PIN , 許光源 , HSU, KUANG YUAN , 陳志輝 , CHEN, JYH HUEI
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/45
CPC classification number: H01L29/45 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/32053 , H01L21/76802 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L21/823418 , H01L27/0886 , H01L29/665 , H01L29/7848
Abstract: 半導體裝置的形成方法中，第一接點孔形成於源極/汲極區或閘極上的一或多個介電層中。黏著層形成於第一接點孔中。第一金屬層形成於第一接點孔中的黏著層上。矽化物層形成於第一金屬層的上表面上。矽化物層包含的金屬元素與第一金屬層相同。
Abstract in simplified Chinese: 半导体设备的形成方法中，第一接点孔形成于源极/汲极区或闸极上的一或多个介电层中。黏着层形成于第一接点孔中。第一金属层形成于第一接点孔中的黏着层上。硅化物层形成于第一金属层的上表面上。硅化物层包含的金属元素与第一金属层相同。
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公开(公告)号：TW202027230A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108139109
申请日：2019-10-29
Inventor： 黃博祥 , HUANG, PO HSIANG , 陳勝雄 , CHEN, SHENG HSIUNG , 柯誌欣 , KO, CHIH HSIN , 張豐願 , CHANG, FONG YUAN , 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 田麗鈞 , TIEN, LI CHUN , 許家銘 , HSU, CHIA MING
Abstract: 一種操作IC製造系統之方法包括基於單元之時序關鍵路徑決定單元之n型主動區域還是單元之p型主動區域為第一主動區域，在單元之IC佈局圖中沿單元高度方向定位第一主動區域，第一主動區域具有在垂直於單元高度方向之方向上延伸的第一鰭片總數。方法亦包括沿單元高度方向在單元中定位第二主動區域，第二主動區域為與第一主動區域之n型或p型相反的n型或p型，且具有小於第一鰭片總數且在此方向上延伸的第二鰭片總數，以及將單元之IC佈局圖儲存在單元庫中。
Abstract in simplified Chinese: 一种操作IC制造系统之方法包括基于单元之时序关键路径决定单元之n型主动区域还是单元之p型主动区域为第一主动区域，在单元之IC布局图中沿单元高度方向定位第一主动区域，第一主动区域具有在垂直於单元高度方向之方向上延伸的第一鳍片总数。方法亦包括沿单元高度方向在单元中定位第二主动区域，第二主动区域为与第一主动区域之n型或p型相反的n型或p型，且具有小于第一鳍片总数且在此方向上延伸的第二鳍片总数，以及将单元之IC布局图存储在单元库中。
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公开(公告)号：TWI666704B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW106103214
申请日：2017-01-26
Inventor： 許家銘 , HSU, CHIA MING , 周沛瑜 , CHOU, PEI YU , 曹志彬 , TSAO, CHIH PIN , 許光源 , HSU, KUANG YUAN , 陳志輝 , CHEN, JYH HUEI
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/45
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