公开(公告)号：TW201814838A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106123438

申请日：2017-07-13

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 村中誠志 ,  MURANAKA, SEIJI

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： 本發明提高半導體裝置之可靠性。 於半導體基板SB上形成包含矽之虛設閘極電極即閘極電極DG之後，藉由離子佈植法，於半導體基板SB形成MISFET之源極或汲極用之半導體區域。然後，於半導體基板SB上，以覆蓋閘極電極DG之方式，形成絕緣膜IL1之後，研磨絕緣膜IL1，使閘極電極DG露出。然後，藉由APM對閘極電極DG之表面進行濕式蝕刻之後，藉由使用氨水之濕式蝕刻將閘極電極DG去除。其後，於將閘極電極DG去除後之區域形成MISFET用閘極電極。

简体摘要： 本发明提高半导体设备之可靠性。 于半导体基板SB上形成包含硅之虚设闸极电极即闸极电极DG之后，借由离子布植法，于半导体基板SB形成MISFET之源极或汲极用之半导体区域。然后，于半导体基板SB上，以覆盖闸极电极DG之方式，形成绝缘膜IL1之后，研磨绝缘膜IL1，使闸极电极DG露出。然后，借由APM对闸极电极DG之表面进行湿式蚀刻之后，借由使用氨水之湿式蚀刻将闸极电极DG去除。其后，于将闸极电极DG去除后之区域形成MISFET用闸极电极。

公开(公告)号：TW201814831A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106101278

申请日：2017-01-13

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳正一 ,  WU, CHENG YI ,  朱立軒 ,  CHU, LI HSUAN ,  溫慶文 ,  WEN, CHING WEN ,  洪家駿 ,  HUNG, CHIA CHUN ,  張振涼 ,  CHANG, CHEN LIANG ,  李錦思 ,  LEE, CHIN SZU ,  劉响

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

摘要： 本揭露是關於半導體的製造方法。本方法包含接收具有暴露出第一金屬或該第一金屬之氧化物之第一表面的元件。本方法更包含沉積具有矽(Si)、氮(N)、碳(C)及氧(O)之介電層於第一表面之上，使得介電層接近第一表面之第一部分，相較於較第一部分更遠離第一表面之介電層之第二部分，具有較高的氮及碳濃度。本方法更再包含形成導電特徵於介電層之上。此種介電層會使導電特徵及第一金屬或第一金屬之氧化物之間互相電性絕緣。

简体摘要： 本揭露是关于半导体的制造方法。本方法包含接收具有暴露出第一金属或该第一金属之氧化物之第一表面的组件。本方法更包含沉积具有硅(Si)、氮(N)、碳(C)及氧(O)之介电层于第一表面之上，使得介电层接近第一表面之第一部分，相较于较第一部分更远离第一表面之介电层之第二部分，具有较高的氮及碳浓度。本方法更再包含形成导电特征于介电层之上。此种介电层会使导电特征及第一金属或第一金属之氧化物之间互相电性绝缘。

公开(公告)号：TWI606294B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW103115847

申请日：2014-05-02

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 班卻爾克里斯多夫丹尼斯 ,  BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS ,  迪爾丹尼爾李 ,  DIEHL, DANIEL LEE ,  戴輝雄 ,  DAI, HUIXIONG ,  曹勇 ,  CAO, YONG ,  許廷軍 ,  XU, TINGJUN ,  曾爲民 ,  ZENG, WEIMIN ,  謝鵬 ,  XIE, PENG

IPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/76

CPC分类号： H01L21/0337 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/351 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

公开(公告)号：TW201725606A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105133750

申请日：2016-10-19

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳永旭 ,  WU, YUNG HSU ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  蔡榮訓 ,  TSAI, JUNG HSUN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/532

摘要： 在基板上方形成互連結構的層。此層含有層間介電質(interlayer dielectric；ILD)材料及配置在層間介電質中的金屬接線。在層間介電質上形成第一蝕刻停止層，但不形成於金屬接線上。經由選擇性原子層沉積製程形成第一蝕刻停止層。在第一蝕刻停止層上方形成第二蝕刻停止層。高蝕刻選擇性存在於第一蝕刻停止層與第二蝕刻停止層之間。形成導孔以使金屬接線至少部分地對準並電耦接至金屬接線。第一蝕刻停止層是用於避免層間介電質在導孔形成期間被蝕刻穿透。

简体摘要： 在基板上方形成互链接构的层。此层含有层间介电质(interlayer dielectric；ILD)材料及配置在层间介电质中的金属接线。在层间介电质上形成第一蚀刻停止层，但不形成于金属接在线。经由选择性原子层沉积制程形成第一蚀刻停止层。在第一蚀刻停止层上方形成第二蚀刻停止层。高蚀刻选择性存在于第一蚀刻停止层与第二蚀刻停止层之间。形成导孔以使金属接线至少部分地对准并电耦接至金属接线。第一蚀刻停止层是用于避免层间介电质在导孔形成期间被蚀刻穿透。

公开(公告)号：TWI591748B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW104126538

申请日：2015-08-14

申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 小倉慎太郎 ,  KOGURA, SHINTARO ,  笹島亮太 ,  SASAJIMA, RYOTA

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/30 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

公开(公告)号：TW201724215A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105128816

申请日：2016-09-06

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 汪柏澍 ,  WANG, PO SHU ,  陳建茂 ,  CHEN, CHIEN MAO

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785

摘要： 本揭示揭露一種半導體裝置以及其製造方法。此半導體裝置包含：半導體基板，其具有由複數個隔離特徵定義出來的主動區；閘極堆疊位於主動區上並延伸橫跨隔離特徵的一部分上，其中閘極堆疊包含閘極介電層位於主動區上及部分之隔離特徵上，以及閘電極位於閘極介電層上；以及保護密封層，包含垂直部分位於閘極堆疊襯層的側壁以及水平部分延伸至隔離特徵的上表面，其中水平部分在上視圖中係環繞主動區外之部分的閘極堆疊。

简体摘要： 本揭示揭露一种半导体设备以及其制造方法。此半导体设备包含：半导体基板，其具有由复数个隔离特征定义出来的主动区；闸极堆栈位于主动区上并延伸横跨隔离特征的一部分上，其中闸极堆栈包含闸极介电层位于主动区上及部分之隔离特征上，以及闸电极位于闸极介电层上；以及保护密封层，包含垂直部分位于闸极堆栈衬层的侧壁以及水平部分延伸至隔离特征的上表面，其中水平部分在上视图中系环绕主动区外之部分的闸极堆栈。

公开(公告)号：TWI582850B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW100120802

申请日：2011-06-15

申请人： 默克專利有限公司 ,  MERCK PATENT GMBH

发明人： 信德 尼那多 ,  SHINDE, NINAD ,  長原達郎 ,  NAGAHARA, TATSURO ,  高野祐輔 ,  TAKANO, YUSUKE

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0214 ,  B05D3/065 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/122 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348

公开(公告)号：TWI547523B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW103140956

申请日：2014-11-26

申请人： 三星SDI股份有限公司 ,  SAMSUNG SDI CO., LTD.

发明人： 南沇希 ,  NAM, YOUN-HEE ,  金惠廷 ,  KIM, HEA-JUNG ,  金相均 ,  KIM, SANG-KYUN ,  金瑆煥 ,  KIM, SUNG-HWAN ,  金潤俊 ,  KIM, YUN-JUN ,  文俊怜 ,  MOON, JOON-YOUNG ,  宋炫知 ,  SONG, HYUN-JI

IPC分类号： C08L77/10 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08G69/32 ,  C08G73/1039 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1071 ,  C09D177/10 ,  C09D179/08 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

公开(公告)号：TWI545776B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW101109133

申请日：2012-03-16

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 本田達也 ,  HONDA, TATSUYA ,  小俁貴嗣 ,  OMATA, TAKATSUGU ,  野中裕介 ,  NONAKA, YUSUKE

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/477 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI535729B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW103132507

申请日：2014-09-19

申请人： 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

发明人： 歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  蕭 滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  何 理查 ,  HO, RICHARD ,  錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  麥當勞 馬修 R ,  MACDONALD, MATTHEW R. ,  王美良 ,  WANG, MEILIANG

IPC分类号： C07F7/10 ,  C23C16/22 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  B65D13/00

CPC分类号： H01L21/02219 ,  C07F7/10 ,  C09D5/24 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262