公开(公告)号：TW201537683A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103145765

申请日：2014-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 曹榮志 ,  TSAO, JUNGCHIH ,  洪奇成 ,  HUNG, CHICHENG ,  王喻生 ,  WANG, YUSHENG ,  李文熙 ,  LEE, WENHSI ,  陳科維 ,  CHEN, KEIWEI ,  王英郎 ,  WANG, YINGLANG

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 一種方法包含方法包含形成偽閘極堆疊於半導體基板上方，其中半導體基板包含於晶圓中，移除偽閘極堆疊以形成凹陷，形成閘極介電層於凹陷中，形成金屬層於凹陷中且位於閘極介電層上方。金屬層具有n型功函數。利用原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)形成阻擋層於金屬層上方。藉由金屬材料填充凹陷之剩餘部分，其中金屬材料覆蓋金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法包含方法包含形成伪闸极堆栈于半导体基板上方，其中半导体基板包含于晶圆中，移除伪闸极堆栈以形成凹陷，形成闸极介电层于凹陷中，形成金属层于凹陷中且位于闸极介电层上方。金属层具有n型功函数。利用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)形成阻挡层于金属层上方。借由金属材料填充凹陷之剩余部分，其中金属材料覆盖金属层。

公开(公告)号：TW201535534A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103145949

申请日：2014-12-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪奇成 ,  HUNG, CHICHENG ,  劉冠廷 ,  LIU, KUANTING ,  粘耀仁 ,  NIAN, JUNNAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/32 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 一種方法包含形成偽閘極堆疊於半導體基板上方，其中半導體基板包含於晶圓中。所述方法更包含移除偽閘極堆疊以形成凹陷，形成閘極介電層於凹陷中，以及形成金屬層於凹陷中並未於閘極介電層上方。金屬層具有n型功函數。部分金屬層具有晶體結構。所述方法還包含藉由複數個金屬材料填充凹陷之剩餘部分，其中金屬材料覆蓋在金屬層上方。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法包含形成伪闸极堆栈于半导体基板上方，其中半导体基板包含于晶圆中。所述方法更包含移除伪闸极堆栈以形成凹陷，形成闸极介电层于凹陷中，以及形成金属层于凹陷中并未于闸极介电层上方。金属层具有n型功函数。部分金属层具有晶体结构。所述方法还包含借由复数个金属材料填充凹陷之剩余部分，其中金属材料覆盖在金属层上方。

公开(公告)号：TWI536576B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW103145298

申请日：2014-12-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪奇成 ,  HUNG, CHICHENG ,  劉冠廷 ,  LIU, KUANTING ,  王喻生 ,  WANG, YUSHENG ,  蘇慶煌 ,  SU, CHINGHWANQ

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201535746A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103145298

申请日：2014-12-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪奇成 ,  HUNG, CHICHENG ,  劉冠廷 ,  LIU, KUANTING ,  王喻生 ,  WANG, YUSHENG ,  蘇慶煌 ,  SU, CHINGHWANQ

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 一種方法包含形成虛設閘極堆疊於半導體基板上， 其中此半導體基板包含在晶圓內。此方法更包含移除虛設閘極堆疊以形成凹槽、形成閘極介電層於凹槽內以及形成金屬層於凹槽內。金屬層位於閘極介電層上。形成金屬層包含放置晶圓對應於靶材、對靶材施加直流功率、對靶材施加射頻功率，其中直流功率與射頻功率是同時施加。凹槽之剩餘部份填入多個金屬材料，其中這些金屬材料覆蓋金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法包含形成虚设闸极堆栈于半导体基板上， 其中此半导体基板包含在晶圆内。此方法更包含移除虚设闸极堆栈以形成凹槽、形成闸极介电层于凹槽内以及形成金属层于凹槽内。金属层位于闸极介电层上。形成金属层包含放置晶圆对应于靶材、对靶材施加直流功率、对靶材施加射频功率，其中直流功率与射频功率是同时施加。凹槽之剩余部份填入多个金属材料，其中这些金属材料覆盖金属层。

公开(公告)号：TWI548003B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW103145949

申请日：2014-12-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪奇成 ,  HUNG, CHICHENG ,  劉冠廷 ,  LIU, KUANTING ,  粘耀仁 ,  NIAN, JUNNAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/32 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

公开(公告)号：TWI541942B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW103145765

申请日：2014-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 曹榮志 ,  TSAO, JUNGCHIH ,  洪奇成 ,  HUNG, CHICHENG ,  王喻生 ,  WANG, YUSHENG ,  李文熙 ,  LEE, WENHSI ,  陳科維 ,  CHEN, KEIWEI ,  王英郎 ,  WANG, YINGLANG

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834