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公开(公告)号：TW202008468A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126698
申请日：2019-07-29
Inventor： 劉書豪 , LIU, SU-HAO , 陳文彥 , CHEN, WEN-YEN , 陳利恆 , CHEN, LI-HENG , 王立廷 , WANG, LI-TING , 陳亮吟 , CHEN, LIANG-YIN , 張惠政 , CHANG, HUI-CHENG , 楊 育佳 , YEO, YEE-CHIA , 王英郎 , WANG, YING-LANG
IPC: H01L21/324 , H01L29/772 , H01L29/78
Abstract: 半導體裝置的製造方法包含在半導體基底的第一部分上形成閘極堆疊，移除位於閘極堆疊的一側上之半導體基底的第二部分以形成凹槽，從凹槽開始成長半導體區，以雜質佈植半導體區，以及對半導體區進行熔融退火；在熔融退火期間，半導體區的至少一部分熔化。
Abstract in simplified Chinese: 半导体设备的制造方法包含在半导体基底的第一部分上形成闸极堆栈，移除位于闸极堆栈的一侧上之半导体基底的第二部分以形成凹槽，从凹槽开始成长半导体区，以杂质布植半导体区，以及对半导体区进行熔融退火；在熔融退火期间，半导体区的至少一部分熔化。
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公开(公告)号：TW202004865A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108110570
申请日：2019-03-27
Inventor： 吳歷杰 , WU, LI-CHIEH , 張棠貴 , CHANG, TANG-KUEI , 魏國修 , WEI, KUO-HSIU , 陳科維 , CHEN, KEI-WEI , 王英郎 , WANG, YING-LANG , 劉書豪 , LIU, SU-HAO , 陳國儒 , CHEN, KUO-JU , 陳亮吟 , CHEN, LIANG-YIN , 張惠政 , CHANG, HUI-CHENG , 張庭魁 , CHANG, TING-KUI , 李佳璇 , LEE, CHIA-HSUAN
IPC: H01L21/28 , H01L21/76 , H01L23/528
Abstract: 本發明實施例提供用於在沒有使用黏著層或沒有使用阻障層的介電層中形成導電部件的方法，以及由此形成的裝置。在一些實施例中，一結構包括位於基板之上的介電層，以及穿過介電層設置的導電部件。上述介電層具有靠近上述基板的下表面以及遠離上述基板的頂表面。上述導電部件直接接觸上述介電層，且上述介電層包括一佈植物質。上述介電層的佈植物質的濃度在靠近介電層的頂表面處具有峰值濃度，且佈植物質的濃度在朝向上述介電層的下表面的方向上自峰值濃度減小。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供用于在没有使用黏着层或没有使用阻障层的介电层中形成导电部件的方法，以及由此形成的设备。在一些实施例中，一结构包括位于基板之上的介电层，以及穿过介电层设置的导电部件。上述介电层具有靠近上述基板的下表面以及远离上述基板的顶表面。上述导电部件直接接触上述介电层，且上述介电层包括一布植物质。上述介电层的布植物质的浓度在靠近介电层的顶表面处具有峰值浓度，且布植物质的浓度在朝向上述介电层的下表面的方向上自峰值浓度减小。
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公开(公告)号：TW201835978A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107108084
申请日：2018-03-09
Inventor： 陳志宏 , CHEN, CHIH HUNG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L21/20 , H01L21/302
Abstract: 在一實施例中，方法包括進行自限式製程，以修飾晶圓的上表面；在完成自限式製程之後，自晶圓移除修飾的上表面；以及重複進行自限式製程與自晶圓移除修飾的上表面的製程，直到晶圓厚度減少至預定厚度。
Abstract in simplified Chinese: 在一实施例中，方法包括进行自限式制程，以修饰晶圆的上表面；在完成自限式制程之后，自晶圆移除修饰的上表面；以及重复进行自限式制程与自晶圆移除修饰的上表面的制程，直到晶圆厚度减少至预定厚度。
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公开(公告)号：TWI523096B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW102139344
申请日：2013-10-30
Inventor： 張棠貴 , CHANG, TANGKUEI , 魏國修 , WEI, KUOHSIU , 陳科維 , CHEN, KEIWEI , 羅唯仁 , LO, WEIJEN , 王英郎 , WANG, YINGLANG
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/04
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公开(公告)号：TWI517405B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW102146832
申请日：2013-12-18
Inventor： 鄭敏良 , JENG, MIN LIANG , 王英郎 , WANG, YING LANG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 魏國修 , WEI, KUO HSIU , 黃國峰 , HUANG, KUO FENG
CPC classification number: H01L23/485 , H01L21/28518 , H01L21/76801 , H01L21/76816 , H01L21/76855 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201537683A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103145765
申请日：2014-12-26
Inventor： 曹榮志 , TSAO, JUNGCHIH , 洪奇成 , HUNG, CHICHENG , 王喻生 , WANG, YUSHENG , 李文熙 , LEE, WENHSI , 陳科維 , CHEN, KEIWEI , 王英郎 , WANG, YINGLANG
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834
Abstract: 一種方法包含方法包含形成偽閘極堆疊於半導體基板上方，其中半導體基板包含於晶圓中，移除偽閘極堆疊以形成凹陷，形成閘極介電層於凹陷中，形成金屬層於凹陷中且位於閘極介電層上方。金屬層具有n型功函數。利用原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)形成阻擋層於金屬層上方。藉由金屬材料填充凹陷之剩餘部分，其中金屬材料覆蓋金屬層。
Abstract in simplified Chinese: 一种方法包含方法包含形成伪闸极堆栈于半导体基板上方，其中半导体基板包含于晶圆中，移除伪闸极堆栈以形成凹陷，形成闸极介电层于凹陷中，形成金属层于凹陷中且位于闸极介电层上方。金属层具有n型功函数。利用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)形成阻挡层于金属层上方。借由金属材料填充凹陷之剩余部分，其中金属材料覆盖金属层。
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公开(公告)号：TWI476910B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW101116460
申请日：2012-05-09
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L27/146 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L31/022433
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公开(公告)号：TWI463664B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW101103226
申请日：2012-02-01
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 吳斯安 , WU, SZU AN , 王英郎 , WANG, YING LANG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545
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公开(公告)号：TW201334048A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101126905
申请日：2012-07-26
Inventor： 郭俊廷 , KUO, CHUN TING , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG , 魏國修 , WEI, KUO HSIU
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/042
Abstract: 本發明揭露一薄化複數個半導體晶圓的方法以及實行此方法的裝置。一在一研磨模件組中的研磨模件接收並對一半導體晶圓進行研磨。一拋光模件接收來自研磨模件的半導體晶圓並對半導體晶圓進行拋光。相較於研磨模件對相同的半導體晶圓進行研磨的時間，拋光模件以較短的時間對半導體晶圓進行拋光。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一薄化复数个半导体晶圆的方法以及实行此方法的设备。一在一研磨模件组中的研磨模件接收并对一半导体晶圆进行研磨。一抛光模件接收来自研磨模件的半导体晶圆并对半导体晶圆进行抛光。相较于研磨模件对相同的半导体晶圆进行研磨的时间，抛光模件以较短的时间对半导体晶圆进行抛光。
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公开(公告)号：TW201314902A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101103226
申请日：2012-02-01
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 吳斯安 , WU, SZU AN , 王英郎 , WANG, YING LANG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545
Abstract: 本發明係提供一種具有氮化鈦鋁潤濕/阻障層之金屬堆疊及其製造方法。在一實施例中，積體電路裝置包含一半導體基材及一閘極堆疊設置於此半導體基材上。金屬堆疊包含一閘極介電層設置於此半導體基材上；一功函數層設置於此閘極介電層上；一多功能潤濕/阻障層設置於此功函數層上；及一導電層設置於此多功能潤濕/阻障層上，其中此多功能潤濕/阻障層係為一氮化鈦鋁層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种具有氮化钛铝润湿/阻障层之金属堆栈及其制造方法。在一实施例中，集成电路设备包含一半导体基材及一闸极堆栈设置于此半导体基材上。金属堆栈包含一闸极介电层设置于此半导体基材上；一功函数层设置于此闸极介电层上；一多功能润湿/阻障层设置于此功函数层上；及一导电层设置于此多功能润湿/阻障层上，其中此多功能润湿/阻障层系为一氮化钛铝层。
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