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公开(公告)号：TW201430928A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102139344
申请日：2013-10-30
Inventor： 張棠貴 , CHANG, TANGKUEI , 魏國修 , WEI, KUOHSIU , 陳科維 , CHEN, KEIWEI , 羅唯仁 , LO, WEIJEN , 王英郎 , WANG, YINGLANG
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/04
Abstract: 一種晶圓研磨機台之實施例包含研磨帶、研磨頭夾持研磨帶以及旋轉模組。旋轉模組係配置以在一晶圓研磨製程中轉動一晶圓，且研磨頭係配置以在晶圓研磨製程中對研磨帶施以朝向晶圓之第一表面的壓力。
Abstract in simplified Chinese: 一种晶圆研磨机台之实施例包含研磨带、研磨头夹持研磨带以及旋转模块。旋转模块系配置以在一晶圆研磨制程中转动一晶圆，且研磨头系配置以在晶圆研磨制程中对研磨带施以朝向晶圆之第一表面的压力。
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公开(公告)号：TWI541942B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103145765
申请日：2014-12-26
Inventor： 曹榮志 , TSAO, JUNGCHIH , 洪奇成 , HUNG, CHICHENG , 王喻生 , WANG, YUSHENG , 李文熙 , LEE, WENHSI , 陳科維 , CHEN, KEIWEI , 王英郎 , WANG, YINGLANG
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834
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公开(公告)号：TWI523096B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW102139344
申请日：2013-10-30
Inventor： 張棠貴 , CHANG, TANGKUEI , 魏國修 , WEI, KUOHSIU , 陳科維 , CHEN, KEIWEI , 羅唯仁 , LO, WEIJEN , 王英郎 , WANG, YINGLANG
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/04
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公开(公告)号：TW201537683A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103145765
申请日：2014-12-26
Inventor： 曹榮志 , TSAO, JUNGCHIH , 洪奇成 , HUNG, CHICHENG , 王喻生 , WANG, YUSHENG , 李文熙 , LEE, WENHSI , 陳科維 , CHEN, KEIWEI , 王英郎 , WANG, YINGLANG
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834
Abstract: 一種方法包含方法包含形成偽閘極堆疊於半導體基板上方，其中半導體基板包含於晶圓中，移除偽閘極堆疊以形成凹陷，形成閘極介電層於凹陷中，形成金屬層於凹陷中且位於閘極介電層上方。金屬層具有n型功函數。利用原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)形成阻擋層於金屬層上方。藉由金屬材料填充凹陷之剩餘部分，其中金屬材料覆蓋金屬層。
Abstract in simplified Chinese: 一种方法包含方法包含形成伪闸极堆栈于半导体基板上方，其中半导体基板包含于晶圆中，移除伪闸极堆栈以形成凹陷，形成闸极介电层于凹陷中，形成金属层于凹陷中且位于闸极介电层上方。金属层具有n型功函数。利用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)形成阻挡层于金属层上方。借由金属材料填充凹陷之剩余部分，其中金属材料覆盖金属层。
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