公开(公告)号：TW202018859A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108139279

申请日：2019-10-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳冠榮 ,  CHEN, KUAN-JUNG ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG-LIN ,  林俊銘 ,  LIN, CHUN-MING ,  江文智 ,  CHIANG, WEN-CHIH ,  王證鈜 ,  WANG, CHENG-HUNG

IPC: H01L21/76

Abstract: 本揭露之一些實施例提供溝槽隔離的結構以及方法。在一些實施例中，揭露一種矽晶絕緣體結構。矽晶絕緣體結構包括一基板、一介電層以及一多晶矽區域。基板包括一處理層、一絕緣層、一埋入層以及一溝槽。絕緣層係佈設在處理層之上。埋入層係佈設在絕緣層之上。溝槽係從埋入層之一上表面向下延伸，並在處理層中終止。介電層係位於溝槽之一底表面上，並接觸處理層。多晶矽區域係位於溝槽中，並接觸介電層。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露之一些实施例提供沟槽隔离的结构以及方法。在一些实施例中，揭露一种硅晶绝缘体结构。硅晶绝缘体结构包括一基板、一介电层以及一多晶硅区域。基板包括一处理层、一绝缘层、一埋入层以及一沟槽。绝缘层系布设在处理层之上。埋入层系布设在绝缘层之上。沟槽系从埋入层之一上表面向下延伸，并在处理层中终止。介电层系位于沟槽之一底表面上，并接触处理层。多晶硅区域系位于沟槽中，并接触介电层。