公开(公告)号：TW202030887A

公开(公告)日：2020-08-16

申请号：TW108134774

申请日：2019-09-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 柳依秀 ,  LIU, YI-HSIU ,  陳彥廷 ,  CHEN, YEN-TING ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG-LIN ,  李威養 ,  LEE, WEI-YANG ,  楊豐誠 ,  YANG, FENG-CHENG ,  陳燕銘 ,  CHEN, YEN-MING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 半導體結構包含第一裝置和第二裝置。第一裝置包含：在主動區上方形成的第一閘極結構以及設置為與第一閘極結構相鄰的第一空氣間隔物。第二裝置包含：在隔離結構上方形成的第二閘極結構以及設置為與第二閘極結構相鄰的第二空氣間隔物。第一空氣間隔物和第二空氣間隔物具有不同的尺寸。

Abstract in simplified Chinese: 半导体结构包含第一设备和第二设备。第一设备包含：在主动区上方形成的第一闸极结构以及设置为与第一闸极结构相邻的第一空气间隔物。第二设备包含：在隔离结构上方形成的第二闸极结构以及设置为与第二闸极结构相邻的第二空气间隔物。第一空气间隔物和第二空气间隔物具有不同的尺寸。

公开(公告)号：TW201918582A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107138879

申请日：2018-11-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 葉致宏 ,  YEH, CHIH-HUNG ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG-LIN ,  林藝民 ,  LIN, YI-MING ,  楊勝鈞 ,  YANG, SHENG-CHUN ,  曾同慶 ,  TSENG, TUNG-CHING

IPC: C23C16/455

Abstract: 提供一種化學氣相沉積設備，化學氣相沉積設備包括化學氣相沉積腔室，上述化學氣相沉積腔室包括多個壁部分，基座設置於化學氣相沉積腔室內，配置以支撐基板，進氣口設置於壁部分之其中之一個上，且位於基座之基板支撐部分下方。除此之外，氣流引導構件設置於化學氣相沉積腔室內，耦接至進氣口，並配置以將來自進氣口之清潔氣體分配至化學氣相沉積腔室。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种化学气相沉积设备，化学气相沉积设备包括化学气相沉积腔室，上述化学气相沉积腔室包括多个壁部分，基座设置于化学气相沉积腔室内，配置以支撑基板，进气口设置于壁部分之其中之一个上，且位于基座之基板支撑部分下方。除此之外，气流引导构件设置于化学气相沉积腔室内，耦接至进气口，并配置以将来自进气口之清洁气体分配至化学气相沉积腔室。

公开(公告)号：TW202018859A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108139279

申请日：2019-10-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳冠榮 ,  CHEN, KUAN-JUNG ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG-LIN ,  林俊銘 ,  LIN, CHUN-MING ,  江文智 ,  CHIANG, WEN-CHIH ,  王證鈜 ,  WANG, CHENG-HUNG

IPC: H01L21/76

Abstract: 本揭露之一些實施例提供溝槽隔離的結構以及方法。在一些實施例中，揭露一種矽晶絕緣體結構。矽晶絕緣體結構包括一基板、一介電層以及一多晶矽區域。基板包括一處理層、一絕緣層、一埋入層以及一溝槽。絕緣層係佈設在處理層之上。埋入層係佈設在絕緣層之上。溝槽係從埋入層之一上表面向下延伸，並在處理層中終止。介電層係位於溝槽之一底表面上，並接觸處理層。多晶矽區域係位於溝槽中，並接觸介電層。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露之一些实施例提供沟槽隔离的结构以及方法。在一些实施例中，揭露一种硅晶绝缘体结构。硅晶绝缘体结构包括一基板、一介电层以及一多晶硅区域。基板包括一处理层、一绝缘层、一埋入层以及一沟槽。绝缘层系布设在处理层之上。埋入层系布设在绝缘层之上。沟槽系从埋入层之一上表面向下延伸，并在处理层中终止。介电层系位于沟槽之一底表面上，并接触处理层。多晶硅区域系位于沟槽中，并接触介电层。