矽晶絕緣體結構、半導體結構以及形成半導體結構之方法
    5.
    发明专利
    矽晶絕緣體結構、半導體結構以及形成半導體結構之方法 审中-公开
    硅晶绝缘体结构、半导体结构以及形成半导体结构之方法

    公开(公告)号:TW202018859A

    公开(公告)日:2020-05-16

    申请号:TW108139279

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本揭露之一些實施例提供溝槽隔離的結構以及方法。在一些實施例中,揭露一種矽晶絕緣體結構。矽晶絕緣體結構包括一基板、一介電層以及一多晶矽區域。基板包括一處理層、一絕緣層、一埋入層以及一溝槽。絕緣層係佈設在處理層之上。埋入層係佈設在絕緣層之上。溝槽係從埋入層之一上表面向下延伸,並在處理層中終止。介電層係位於溝槽之一底表面上,並接觸處理層。多晶矽區域係位於溝槽中,並接觸介電層。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露之一些实施例提供沟槽隔离的结构以及方法。在一些实施例中,揭露一种硅晶绝缘体结构。硅晶绝缘体结构包括一基板、一介电层以及一多晶硅区域。基板包括一处理层、一绝缘层、一埋入层以及一沟槽。绝缘层系布设在处理层之上。埋入层系布设在绝缘层之上。沟槽系从埋入层之一上表面向下延伸,并在处理层中终止。介电层系位于沟槽之一底表面上,并接触处理层。多晶硅区域系位于沟槽中,并接触介电层。

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