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公开(公告)号:TWI692876B
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:TW106135965
申请日:2017-10-19
Inventor: 邱奕正 , CHIU, YI-CHENG , 江文智 , CHIANG, WEN-CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN-LIN , 吳國銘 , WU, KUO-MING , 林炫政 , LIN, SHIUAN-JENG , 陳益民 , CHEN, YI-MIN , 林宏洲 , LIN, HUNG-CHOU , 姆魯克山 卡西克 , MURUKESAN, KARTHICK
IPC: H01L29/8605
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公开(公告)号:TW201921588A
公开(公告)日:2019-06-01
申请号:TW107134134
申请日:2018-09-27
Inventor: 姆魯凱森 卡迪克 , MURUKESAN, KARTHICK , 江文智 , CHIANG, WEN-CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN-LIN , 霍克孝 , HUO, KER-HSIAO , 吳國銘 , WU, KUO-MING , 陳柏智 , CHEN, PO-CHIH , 蘇如意 , SU, RU-YI , 林炫政 , LIN, SHIUAN-JENG , 陳益民 , CHEN, YI-MIN , 林宏洲 , LIN, HUNG-CHOU , 邱奕正 , CHIU, YI-CHENG
Abstract: 本申請案的各種實施例是關於一種積體電路(IC),其中高壓金氧半導體(HVMOS)裝置與高壓接面終端(HVJT)裝置整合在一起。在一些實施例中,第一漂移井及第二漂移井位於基底中。第一漂移井及第二漂移井以環形圖案毗連且具有第一摻雜類型。周邊井位於基底中且具有與第一摻雜類型相反的第二摻雜類型。周邊井環繞且分隔第一漂移井與第二漂移井。主體井位於基底中且具有第二摻雜類型。另外,主體井上覆第一漂移井且藉由第一漂移井與周邊井分隔。閘電極上覆第一漂移井與主體井之間的接面。
Abstract in simplified Chinese: 本申请案的各种实施例是关于一种集成电路(IC),其中高压金属氧化物半导体(HVMOS)设备与高压接面终端(HVJT)设备集成在一起。在一些实施例中,第一漂移井及第二漂移井位于基底中。第一漂移井及第二漂移井以环形图案毗连且具有第一掺杂类型。周边井位于基底中且具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。周边井环绕且分隔第一漂移井与第二漂移井。主体井位于基底中且具有第二掺杂类型。另外,主体井上覆第一漂移井且借由第一漂移井与周边井分隔。闸电极上覆第一漂移井与主体井之间的接面。
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公开(公告)号:TW201919234A
公开(公告)日:2019-05-16
申请号:TW107138447
申请日:2018-10-30
Inventor: 姆魯凱森 卡迪克 , MURUKESAN, KARTHICK , 江文智 , CHIANG, WEN-CHIH , 鍾久華 , CHUNG, CHIU-HUA , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN-LIN , 吳國銘 , WU, KUO-MING , 林炫政 , LIN, SHIUAN-JENG , 林天聲 , LIN, TIAN-SHENG , 陳益民 , CHEN, YI-MIN , 林宏洲 , LIN, HUNG-CHOU , 邱奕正 , CHIU, YI-CHENG
Abstract: 本申請的各種實施例關於一種積體電路(IC),其中自舉金屬氧化物半導體(MOS)元件與高壓金屬氧化物半導體(HVMOS)元件和高壓接面終端(HVJT)元件整合。在一些實施例中,漂移井在半導體基底中。漂流井具有第一摻雜型並具有環形頂佈局。第一切換元件在漂移井上。第二切換元件在半導體基底上,在漂移井的側壁的凹口處。周邊井在半導體基底中,並具有與第一摻雜型相反的第二摻雜型。周邊井圍繞漂移井、第一切換元件和第二切換元件,並進一步將第二切換元件與漂移井和第一切換元件分開。
Abstract in simplified Chinese: 本申请的各种实施例关于一种集成电路(IC),其中自举金属氧化物半导体(MOS)组件与高压金属氧化物半导体(HVMOS)组件和高压接面终端(HVJT)组件集成。在一些实施例中,漂移井在半导体基底中。漂流井具有第一掺杂型并具有环形顶布局。第一切换组件在漂移井上。第二切换组件在半导体基底上,在漂移井的侧壁的凹口处。周边井在半导体基底中,并具有与第一掺杂型相反的第二掺杂型。周边井围绕漂移井、第一切换组件和第二切换组件,并进一步将第二切换组件与漂移井和第一切换组件分开。
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公开(公告)号:TWI700779B
公开(公告)日:2020-08-01
申请号:TW107134134
申请日:2018-09-27
Inventor: 姆魯凱森 卡迪克 , MURUKESAN, KARTHICK , 江文智 , CHIANG, WEN-CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN-LIN , 霍克孝 , HUO, KER-HSIAO , 吳國銘 , WU, KUO-MING , 陳柏智 , CHEN, PO-CHIH , 蘇如意 , SU, RU-YI , 林炫政 , LIN, SHIUAN-JENG , 陳益民 , CHEN, YI-MIN , 林宏洲 , LIN, HUNG-CHOU , 邱奕正 , CHIU, YI-CHENG
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公开(公告)号:TW202018859A
公开(公告)日:2020-05-16
申请号:TW108139279
申请日:2019-10-30
Inventor: 陳冠榮 , CHEN, KUAN-JUNG , 李宗霖 , LEE, TSUNG-LIN , 林俊銘 , LIN, CHUN-MING , 江文智 , CHIANG, WEN-CHIH , 王證鈜 , WANG, CHENG-HUNG
IPC: H01L21/76
Abstract: 本揭露之一些實施例提供溝槽隔離的結構以及方法。在一些實施例中,揭露一種矽晶絕緣體結構。矽晶絕緣體結構包括一基板、一介電層以及一多晶矽區域。基板包括一處理層、一絕緣層、一埋入層以及一溝槽。絕緣層係佈設在處理層之上。埋入層係佈設在絕緣層之上。溝槽係從埋入層之一上表面向下延伸,並在處理層中終止。介電層係位於溝槽之一底表面上,並接觸處理層。多晶矽區域係位於溝槽中,並接觸介電層。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露之一些实施例提供沟槽隔离的结构以及方法。在一些实施例中,揭露一种硅晶绝缘体结构。硅晶绝缘体结构包括一基板、一介电层以及一多晶硅区域。基板包括一处理层、一绝缘层、一埋入层以及一沟槽。绝缘层系布设在处理层之上。埋入层系布设在绝缘层之上。沟槽系从埋入层之一上表面向下延伸,并在处理层中终止。介电层系位于沟槽之一底表面上,并接触处理层。多晶硅区域系位于沟槽中,并接触介电层。
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