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公开(公告)号：TWI528550B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103146482
申请日：2014-12-31
Inventor： 聶君文 , NIEH, CHUN WEN , 許宏彰 , HSU, HUNG CHANG , 林威戎 , LIN, WEI JUNG , 蔡彥明 , TSAI, YAN MING , 李振銘 , LEE, CHEN MING , 王美勻 , WANG, MEI YUN
IPC: H01L29/45 , H01L21/283 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823871 , H01L21/283 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L27/092 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/665
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公开(公告)号：TW201820502A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106107511
申请日：2017-03-08
Inventor： 劉奕瑩 , LIU, YI YING , 林鈺庭 , LIN, YU TING , 聶君文 , NIEH, CHUN WEN , 陳威宇 , CHEN, WEI YU , 王喻生 , WANG, YU SHENG
IPC: H01L21/67
Abstract: 方法包括：將晶圓置入晶圓載具；將晶圓載具置於沉積工具的裝載埠上；將晶圓載具連接至沉積工具的前端界面單元；以氮氣淨化前端界面單元；以及在沉積工具中沉積金屬層於晶圓上。
Abstract in simplified Chinese: 方法包括：将晶圆置入晶圆载具；将晶圆载具置于沉积工具的装载端口上；将晶圆载具连接至沉积工具的前端界面单元；以氮气净化前端界面单元；以及在沉积工具中沉积金属层于晶圆上。
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公开(公告)号：TW201545341A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103146482
申请日：2014-12-31
Inventor： 聶君文 , NIEH, CHUN WEN , 許宏彰 , HSU, HUNG CHANG , 林威戎 , LIN, WEI JUNG , 蔡彥明 , TSAI, YAN MING , 李振銘 , LEE, CHEN MING , 王美勻 , WANG, MEI YUN
IPC: H01L29/45 , H01L21/283 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823871 , H01L21/283 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L27/092 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/665
Abstract: 提供一種形成電性接觸的方法。形成第一和第二場效電晶體於半導體基板上。在形成於基板上的介電層中蝕刻出開口，其中這些開口延伸至上述場效電晶體的源極與汲極區域。形成硬罩幕於場效電晶體的源極與汲極區域之上。移除硬罩幕之第一部份，此第一部份係形成於第一場效電晶體的源極與汲極區域之上。形成第一矽化物層於第一場效電晶體的源極與汲極區域之上。移除硬罩幕之第二部份，此第二部份係形成於第二場效電晶體的源極與汲極區域之上。形成第二矽化物層於第二場效電晶體的源極與汲極區域之上。沉積金屬層於上述開口中，以填充開口。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种形成电性接触的方法。形成第一和第二场效应管于半导体基板上。在形成于基板上的介电层中蚀刻出开口，其中这些开口延伸至上述场效应管的源极与汲极区域。形成硬罩幕于场效应管的源极与汲极区域之上。移除硬罩幕之第一部份，此第一部份系形成于第一场效应管的源极与汲极区域之上。形成第一硅化物层于第一场效应管的源极与汲极区域之上。移除硬罩幕之第二部份，此第二部份系形成于第二场效应管的源极与汲极区域之上。形成第二硅化物层于第二场效应管的源极与汲极区域之上。沉积金属层于上述开口中，以填充开口。
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