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公开(公告)号：TWI643293B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106135180
申请日：2017-10-13
Inventor： 李筠 , LEE, YUN , 李振銘 , LEE, CHEN MING , 楊復凱 , YANG, FU KAI , 黃意君 , HUANG, YI JYUN , 王勝雄 , WANG, SHENG HSIUNG , 王美勻 , WANG, MEI YUN
IPC: H01L21/768
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公开(公告)号：TW201838092A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106120765
申请日：2017-06-21
Inventor： 許劭銘 , KOH, SHAO-MING , 李振銘 , LEE, CHEN MING , 楊復凱 , YANG, FU KAI
IPC: H01L21/768
Abstract: 一種方法，包含形成第一與第二接觸窗開口，以分別顯露第一及第二源極/汲極區；形成罩幕層，其具有分別在第一和第二接觸窗開口中的第一部分和第二部分；分別形成第一和第二犧牲層間介電層於第一和第二接觸窗開口中；從第一接觸窗開口移除第一犧牲層間介電層；填入填充材至第一接觸窗開口中；及，蝕刻第二犧牲層間介電層。填充材保護罩幕層之第一部分，以避免被蝕刻。層間介電層形成於第二接觸窗開口中及罩幕層之第二部份上。使用濕式蝕刻移除填充材和罩幕層的第一部分，以顯露出第一接觸窗開口。接觸窗插塞係形成於第一接觸窗開口中。
Abstract in simplified Chinese: 一种方法，包含形成第一与第二接触窗开口，以分别显露第一及第二源极/汲极区；形成罩幕层，其具有分别在第一和第二接触窗开口中的第一部分和第二部分；分别形成第一和第二牺牲层间介电层于第一和第二接触窗开口中；从第一接触窗开口移除第一牺牲层间介电层；填入填充材至第一接触窗开口中；及，蚀刻第二牺牲层间介电层。填充材保护罩幕层之第一部分，以避免被蚀刻。层间介电层形成于第二接触窗开口中及罩幕层之第二部份上。使用湿式蚀刻移除填充材和罩幕层的第一部分，以显露出第一接触窗开口。接触窗插塞系形成于第一接触窗开口中。
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公开(公告)号：TW201545341A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103146482
申请日：2014-12-31
Inventor： 聶君文 , NIEH, CHUN WEN , 許宏彰 , HSU, HUNG CHANG , 林威戎 , LIN, WEI JUNG , 蔡彥明 , TSAI, YAN MING , 李振銘 , LEE, CHEN MING , 王美勻 , WANG, MEI YUN
IPC: H01L29/45 , H01L21/283 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823871 , H01L21/283 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L27/092 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/665
Abstract: 提供一種形成電性接觸的方法。形成第一和第二場效電晶體於半導體基板上。在形成於基板上的介電層中蝕刻出開口，其中這些開口延伸至上述場效電晶體的源極與汲極區域。形成硬罩幕於場效電晶體的源極與汲極區域之上。移除硬罩幕之第一部份，此第一部份係形成於第一場效電晶體的源極與汲極區域之上。形成第一矽化物層於第一場效電晶體的源極與汲極區域之上。移除硬罩幕之第二部份，此第二部份係形成於第二場效電晶體的源極與汲極區域之上。形成第二矽化物層於第二場效電晶體的源極與汲極區域之上。沉積金屬層於上述開口中，以填充開口。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种形成电性接触的方法。形成第一和第二场效应管于半导体基板上。在形成于基板上的介电层中蚀刻出开口，其中这些开口延伸至上述场效应管的源极与汲极区域。形成硬罩幕于场效应管的源极与汲极区域之上。移除硬罩幕之第一部份，此第一部份系形成于第一场效应管的源极与汲极区域之上。形成第一硅化物层于第一场效应管的源极与汲极区域之上。移除硬罩幕之第二部份，此第二部份系形成于第二场效应管的源极与汲极区域之上。形成第二硅化物层于第二场效应管的源极与汲极区域之上。沉积金属层于上述开口中，以填充开口。
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公开(公告)号：TW201824448A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106136206
申请日：2017-10-20
Inventor： 李振銘 , LEE, CHEN MING , 楊復凱 , YANG, FU KAI , 王美勻 , WANG, MEI YUN
Abstract: 在製造半導體元件的方法中，層間介電層形成於底層結構之上。底層結構包含複數個閘極結構，各具有金屬閘極及帽蓋絕緣層配置於金屬閘極上；複數個源極/汲極磊晶層配置於兩相鄰閘極結構之間；以及蝕刻停止層覆蓋此些源極/汲極磊晶層。蝕刻以形成開口於層間介電層中。介電填充層形成於此開口中。藉由濕式蝕刻，移除配置於此些源極/汲極磊晶層上方的層間介電層。移除配置於此些源極/汲極磊晶層上的蝕刻停止層，藉此至少暴露出部分此些源極/汲極磊晶層。形成導電材料於此些暴露的源極/汲極磊晶層上。
Abstract in simplified Chinese: 在制造半导体组件的方法中，层间介电层形成于底层结构之上。底层结构包含复数个闸极结构，各具有金属闸极及帽盖绝缘层配置于金属闸极上；复数个源极/汲极磊晶层配置于两相邻闸极结构之间；以及蚀刻停止层覆盖此些源极/汲极磊晶层。蚀刻以形成开口于层间介电层中。介电填充层形成于此开口中。借由湿式蚀刻，移除配置于此些源极/汲极磊晶层上方的层间介电层。移除配置于此些源极/汲极磊晶层上的蚀刻停止层，借此至少暴露出部分此些源极/汲极磊晶层。形成导电材料于此些暴露的源极/汲极磊晶层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201715726A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105124398
申请日：2016-08-02
Inventor： 李振銘 , LEE, CHEN MING , 楊復凱 , YANG, FU KAI , 王美勻 , WANG, MEI YUN , 趙高毅 , CHAO, HUGO
CPC classification number: H01L21/823864 , H01L21/2652 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L23/535 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/41775 , H01L29/41791 , H01L29/42364 , H01L29/4983 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7845 , H01L29/7848
Abstract: 一種半導體裝置，包括：設置於基底上方之閘極結構，及設置於該閘極結構兩側側壁上之側壁間隔物。側壁間隔物包括至少四層間隔物層，其含有從該閘極結構依第一至第四之順序堆疊的間隔物層。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：设置于基底上方之闸极结构，及设置于该闸极结构两侧侧壁上之侧壁间隔物。侧壁间隔物包括至少四层间隔物层，其含有从该闸极结构依第一至第四之顺序堆栈的间隔物层。
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公开(公告)号：TWI679767B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW106135671
申请日：2017-10-18
Inventor： 許 劭銘 , KOH, SHAO-MING , 李振銘 , LEE, CHEN MING , 吳以雯 , WU, I WEN , 楊復凱 , YANG, FU KAI , 王嘉亨 , WANG, JIA HENG , 王美勻 , WANG, MEI YUN
IPC: H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/3065
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公开(公告)号：TWI669783B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW106120765
申请日：2017-06-21
Inventor： 許劭銘 , KOH, SHAO-MING , 李振銘 , LEE, CHEN MING , 楊復凱 , YANG, FU KAI
IPC: H01L21/768
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公开(公告)号：TWI601286B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105124398
申请日：2016-08-02
Inventor： 李振銘 , LEE, CHEN MING , 楊復凱 , YANG, FU KAI , 王美勻 , WANG, MEI YUN , 趙高毅 , CHAO, HUGO
CPC classification number: H01L21/823864 , H01L21/2652 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L23/535 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/41775 , H01L29/41791 , H01L29/42364 , H01L29/4983 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7845 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TWI528550B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103146482
申请日：2014-12-31
Inventor： 聶君文 , NIEH, CHUN WEN , 許宏彰 , HSU, HUNG CHANG , 林威戎 , LIN, WEI JUNG , 蔡彥明 , TSAI, YAN MING , 李振銘 , LEE, CHEN MING , 王美勻 , WANG, MEI YUN
IPC: H01L29/45 , H01L21/283 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823871 , H01L21/283 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L27/092 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/665
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