公开(公告)号：TW201735364A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105132087

申请日：2016-10-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  潘冠廷 ,  PAN, KUAN TING ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H.

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/283 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/24 ,  H01L29/49 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 一種鰭式場效電晶體的製造方法包含形成隔離區延伸至半導體基材內，及使隔離區內縮。介於隔離區之間的半導體基材之一部分突出至高於隔離區，以形成半導體鰭片。形成虛擬閘極電極覆蓋半導體鰭片的中間部分，而半導體鰭片的末端部分不被虛擬閘極電極覆蓋。虛擬閘極電極包含虛擬閘極電極下部分及虛擬閘極電極上部分，其中虛擬閘極電極上部分包含在虛擬閘極電極下部分上方的多晶矽。虛擬閘極電極下部分及虛擬閘極電極上部分是由不同材料所形成。源/汲極區係形成在虛擬閘極電極的相對側上。取代閘極電極係替換為虛擬閘極電極。

Abstract in simplified Chinese: 一种鳍式场效应管的制造方法包含形成隔离区延伸至半导体基材内，及使隔离区内缩。介于隔离区之间的半导体基材之一部分突出至高于隔离区，以形成半导体鳍片。形成虚拟闸极电极覆盖半导体鳍片的中间部分，而半导体鳍片的末端部分不被虚拟闸极电极覆盖。虚拟闸极电极包含虚拟闸极电极下部分及虚拟闸极电极上部分，其中虚拟闸极电极上部分包含在虚拟闸极电极下部分上方的多晶硅。虚拟闸极电极下部分及虚拟闸极电极上部分是由不同材料所形成。源/汲极区系形成在虚拟闸极电极的相对侧上。取代闸极电极系替换为虚拟闸极电极。

公开(公告)号：TWI612674B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW105132087

申请日：2016-10-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  潘冠廷 ,  PAN, KUAN TING ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H.

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/283 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/24 ,  H01L29/49 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TW201911510A

公开(公告)日：2019-03-16

申请号：TW106140359

申请日：2017-11-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  朱熙甯 ,  JU, SHI NING ,  潘冠廷 ,  PAN, KUAN TING ,  程冠倫 ,  CHENG, KUAN LUN ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO

IPC: H01L23/50

Abstract: 埋藏內連接線的各種具體例係在此被揭露。在一具體例中，裝置包含設置在基材上的鰭片。鰭片包含主動裝置。複數個隔離特徵係設置在基材上且在主動裝置之下。內連接係設置在基材上且在複數個隔離特徵之間，以使內連接係在複數個隔離特徵之最高表面之下。內連接係電性耦合至主動裝置。在一些此具體例中，主動裝置之閘極堆疊係設置在主動裝置之通道區域上，且主動裝置之閘極堆疊係電性耦合至內連接。在一些此具體例中，源極/汲極接觸窗係電性耦合至主動裝置之源極/汲極區域，且源極/汲極接觸窗係電性耦合至內連接。

Abstract in simplified Chinese: 埋藏内连接线的各种具体例系在此被揭露。在一具体例中，设备包含设置在基材上的鳍片。鳍片包含主动设备。复数个隔离特征系设置在基材上且在主动设备之下。内连接系设置在基材上且在复数个隔离特征之间，以使内连接系在复数个隔离特征之最高表面之下。内连接系电性耦合至主动设备。在一些此具体例中，主动设备之闸极堆栈系设置在主动设备之信道区域上，且主动设备之闸极堆栈系电性耦合至内连接。在一些此具体例中，源极/汲极接触窗系电性耦合至主动设备之源极/汲极区域，且源极/汲极接触窗系电性耦合至内连接。