公开(公告)号：TWI476769B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：TW100120311

申请日：2011-06-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭基廷 ,  CHENG, CHITING ,  彭秀芬 ,  PENG, HSIU FEN ,  郭明璋 ,  KUO, MING ZHANG ,  鄒宗成 ,  CHOU, CHUNG CHENG

IPC: G11C11/419

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C7/12 ,  G11C8/14 ,  G11C11/418 ,  G11C11/419

公开(公告)号：TWI546819B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW103135324

申请日：2014-10-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 余華鑫 ,  YU, HUA HSIN ,  彭秀芬 ,  PENG, HSIU FEN ,  謝豪泰 ,  SHIEH, HAU TAI

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C5/06 ,  G11C5/02 ,  G11C11/412 ,  G11C11/419

公开(公告)号：TW201533747A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103135324

申请日：2014-10-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 余華鑫 ,  YU, HUA HSIN ,  彭秀芬 ,  PENG, HSIU FEN ,  謝豪泰 ,  SHIEH, HAU TAI

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C5/06 ,  G11C5/02 ,  G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 本揭露提供一電路，其包含在介於記憶裝置之第一記憶陣列及第二記憶陣列之間的條帶單元區裡的第一電晶體及第二電晶體。該第一電晶體包括連接於第一資料線之第一節點，及連接於第二資料線之第二節點。第一電晶體之第一節點及第二節點在電壓位準上係彼此互補。並且，第二電晶體包括連接於該第二資料線之第一節點，及連接於該第一資料線之第二節點。該第二電晶體之第一節點及第二節點在電壓位準上係彼此互補。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一电路，其包含在介于记忆设备之第一记忆数组及第二记忆数组之间的条带单元区里的第一晶体管及第二晶体管。该第一晶体管包括连接于第一数据线之第一节点，及连接于第二数据线之第二节点。第一晶体管之第一节点及第二节点在电压位准上系彼此互补。并且，第二晶体管包括连接于该第二数据线之第一节点，及连接于该第一数据线之第二节点。该第二晶体管之第一节点及第二节点在电压位准上系彼此互补。