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公开(公告)号：TWI476769B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW100120311
申请日：2011-06-10
Inventor： 鄭基廷 , CHENG, CHITING , 彭秀芬 , PENG, HSIU FEN , 郭明璋 , KUO, MING ZHANG , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG CHENG
IPC: G11C11/419
CPC classification number: G11C8/08 , G11C7/12 , G11C8/14 , G11C11/418 , G11C11/419
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公开(公告)号：TWI686809B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106127471
申请日：2017-08-14
Inventor： 林洋緒 , LIN, YANGSYU , 鄭基廷 , CHENG, CHITING
IPC: G11C16/30
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公开(公告)号：TW201824284A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106127471
申请日：2017-08-14
Inventor： 林洋緒 , LIN, YANGSYU , 鄭基廷 , CHENG, CHITING
IPC: G11C16/30
Abstract: 本發明實施例係關於一種雙軌裝置，該雙軌裝置包含：一第一電力域電路，其透過一第一頭端控制開關耦合至一第一電源供應器；及一第二電力域電路，其耦合至一第二電源供應器。該第一電源供應器及該第二電源供應器具有不同穩態電壓位準。該第一電力域電路介接至該第二電力域電路。該裝置亦包含一電源偵測器電路，其用於回應於該第二電源供應器之一電壓位準而針對該第一頭端控制開關提供一控制訊號。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于一种双轨设备，该双轨设备包含：一第一电力域电路，其透过一第一头端控制开关耦合至一第一电源供应器；及一第二电力域电路，其耦合至一第二电源供应器。该第一电源供应器及该第二电源供应器具有不同稳态电压位准。该第一电力域电路介接至该第二电力域电路。该设备亦包含一电源侦测器电路，其用于回应于该第二电源供应器之一电压位准而针对该第一头端控制开关提供一控制信号。
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公开(公告)号：TW201806319A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105134636
申请日：2016-10-26
Inventor： 辛格爾 馬木特 , SINANGIL, MAHMUT , 柯欣欣 , KO, HSIN-HSIN , 鄭基廷 , CHENG, CHITING , 陳炎輝 , CHEN, YEN-HUEI , 廖宏仁 , LIAO, HUNG-JEN , 張 琮永 , CHANG, JONATHAN TSUNG-YUNG
IPC: H03K5/003
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K19/018521
Abstract: 本發明實施例提供一種使用升壓電路之位準位移器電路。該升壓電路經組態以在跨該位準位移器電路之電壓域之高電壓相差較大時改良該位準位移器電路之操作。電路設備包含核心位準位移器電路，其將輸入信號之第一電壓改變成輸出信號之第二電壓。該電路設備進一步包含第一升壓電路，其耦合至該核心位準位移器電路且在該輸入信號自低值轉變成高值時產生施加於該核心位準位移器電路之第一暫態電壓。該電路設備亦包含第二升壓電路，其耦合至該核心位準位移器電路且在該輸入信號自高值轉變成低值時產生施加於該核心位準位移器電路之第二暫態電壓。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种使用升压电路之位准位移器电路。该升压电路经组态以在跨该位准位移器电路之电压域之高电压相差较大时改良该位准位移器电路之操作。电路设备包含内核位准位移器电路，其将输入信号之第一电压改变成输出信号之第二电压。该电路设备进一步包含第一升压电路，其耦合至该内核位准位移器电路且在该输入信号自低值转变成高值时产生施加于该内核位准位移器电路之第一暂态电压。该电路设备亦包含第二升压电路，其耦合至该内核位准位移器电路且在该输入信号自高值转变成低值时产生施加于该内核位准位移器电路之第二暂态电压。
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公开(公告)号：TW201743336A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106108321
申请日：2017-03-14
Inventor： 蘇建國 , SU, CHIEN-KUO , 李政宏 , LEE, CHENG HUNG , 鄭基廷 , CHENG, CHITING , 廖宏仁 , LIAO, HUNG-JEN , 張 琮永 , CHANG, JONATHAN TSUNG-YUNG , 陳炎輝 , CHEN, YEN-HUEI , 阿加沃爾 潘卡伊 , AGGARWAL, PANKAJ , 廖忠志 , LIAW, JHON-JHY
CPC classification number: G11C7/12 , G11C7/227 , G11C11/419
Abstract: 本發明實施例揭示一種記憶體巨集，其包含第一記憶體胞陣列、第一追蹤電路及第一預充電電路。該第一追蹤電路包含：第一組記憶體胞，其回應於第一組控制信號而組態為第一組負載胞；第二組記憶體胞，其回應於第二組控制信號而組態為第一組下拉胞；及第一追蹤位元線，其耦合至該第一組記憶體胞及該第二組記憶體胞。該第一組下拉胞及該第一組負載胞經組態以追蹤該第一記憶體胞陣列之記憶體胞。該第一預充電電路耦合至該第一追蹤位元線，且經組態以回應於第三組控制信號而將該第一追蹤位元線充電至預充電電壓位準。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭示一种内存宏，其包含第一内存胞数组、第一追踪电路及第一预充电电路。该第一追踪电路包含：第一组内存胞，其回应于第一组控制信号而组态为第一组负载胞；第二组内存胞，其回应于第二组控制信号而组态为第一组下拉胞；及第一追踪比特线，其耦合至该第一组内存胞及该第二组内存胞。该第一组下拉胞及该第一组负载胞经组态以追踪该第一内存胞数组之内存胞。该第一预充电电路耦合至该第一追踪比特线，且经组态以回应于第三组控制信号而将该第一追踪比特线充电至预充电电压位准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI635494B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW106125590
申请日：2017-07-28
Inventor： 鄭基廷 , CHENG, CHITING , 林洋緒 , LIN, YANGSYU
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公开(公告)号：TWI628664B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105121881
申请日：2016-07-12
Inventor： 張 琮永 , CHANG, JONATHAN TSUNG-YUNG , 鄭基廷 , CHENG, CHITING , 李政宏 , LEE, CHENG HUNG , 廖宏仁 , LIAO, HUNG JEN , 克林頓 邁克爾 , CLINTON, MICHAEL
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公开(公告)号：TW201824281A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106125590
申请日：2017-07-28
Inventor： 鄭基廷 , CHENG, CHITING , 林洋緒 , LIN, YANGSYU
Abstract: 本發明實施例揭露一種雙軌記憶體，其可依一第一電壓及一第二電壓操作。該雙軌記憶體包含：一記憶體陣列，其依該第一電壓操作；一字線驅動器電路，其經組態以將該記憶體陣列之一字線驅動至該第一電壓；一資料路徑，其經組態以傳輸一輸入資料信號或一輸出資料信號，其中該資料路徑包含用於將該輸入資料信號自該第二電壓轉移至該第一電壓之一第一位準移位器；及一控制電路，其經組態以對該記憶體陣列、該字線驅動器電路及該資料路徑提供控制信號，其中該控制電路包含用於將一輸入控制信號自該第二電壓轉移至該第一電壓之一第二位準移位器；其中該資料路徑及該控制電路經組態以依該第一電壓及該第二電壓兩者操作。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露一种双轨内存，其可依一第一电压及一第二电压操作。该双轨内存包含：一内存数组，其依该第一电压操作；一字线驱动器电路，其经组态以将该内存数组之一字线驱动至该第一电压；一数据路径，其经组态以传输一输入数据信号或一输出数据信号，其中该数据路径包含用于将该输入数据信号自该第二电压转移至该第一电压之一第一位准移位器；及一控制电路，其经组态以对该内存数组、该字线驱动器电路及该数据路径提供控制信号，其中该控制电路包含用于将一输入控制信号自该第二电压转移至该第一电压之一第二位准移位器；其中该数据路径及该控制电路经组态以依该第一电压及该第二电压两者操作。
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公开(公告)号：TW201836275A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106132832
申请日：2017-09-25
Inventor： 吳尚錡 , WU, SHANG-CHI , 鄭基廷 , CHENG, CHITING , 謝維哲 , HSIEH, WEI-JER , 林洋緒 , LIN, YANGSYU
IPC: H03K19/0185 , H03K5/003
Abstract: 本發明實施例係關於一種位準位移器，其包括：一輸入端，其在一輸入電壓域中操作；及一輸出端，其用於在一輸出電壓域中輸出一輸出信號。該位準位移器進一步包含一反相器電路，該反相器電路在該輸入電壓域中操作用於使一輸入信號反相以產生一經反相之輸入信號。該位準位移器亦包含一中間電路，該中間電路在一中間電壓域中操作用於產生一中間信號。一輸出緩衝器電路至少部分基於該經反相之輸入信號及該中間信號而產生該輸出信號。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于一种位准位移器，其包括：一输入端，其在一输入电压域中操作；及一输出端，其用于在一输出电压域中输出一输出信号。该位准位移器进一步包含一反相器电路，该反相器电路在该输入电压域中操作用于使一输入信号反相以产生一经反相之输入信号。该位准位移器亦包含一中间电路，该中间电路在一中间电压域中操作用于产生一中间信号。一输出缓冲器电路至少部分基于该经反相之输入信号及该中间信号而产生该输出信号。
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公开(公告)号：TW201712679A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105121881
申请日：2016-07-12
Inventor： 張 琮永 , CHANG, JONATHAN TSUNG-YUNG , 鄭基廷 , CHENG, CHITING , 李政宏 , LEE, CHENG HUNG , 廖宏仁 , LIAO, HUNG JEN , 克林頓 邁克爾 , CLINTON, MICHAEL
CPC classification number: G11C7/12 , G11C5/14 , G11C5/147 , G11C7/06 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C8/06 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/417 , G11C11/418
Abstract: 一雙軌記憶體操作在一第一電壓及一第二電壓，該雙軌記憶體包括：一記憶體陣列操作在一第一電壓；一字線驅動電路設置以驅動該記憶體陣列之一字線至該第一電壓；一資料路徑設置以傳輸一輸入資料訊號或一輸出資料訊號；及一控制電路設置以產生複數控制訊號至該記憶體陣列、字線驅動電路及該資料路徑；其中該資料路徑及該控制電路設置以操作在該第一電壓及該第二電壓兩者。相關之記憶體巨集及方法亦被揭示。
Abstract in simplified Chinese: 一双轨内存操作在一第一电压及一第二电压，该双轨内存包括：一内存数组操作在一第一电压；一字线驱动电路设置以驱动该内存数组之一字线至该第一电压；一数据路径设置以传输一输入数据信号或一输出数据信号；及一控制电路设置以产生复数控制信号至该内存数组、字线驱动电路及该数据路径；其中该数据路径及该控制电路设置以操作在该第一电压及该第二电压两者。相关之内存宏及方法亦被揭示。
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