公开(公告)号：TW201911382A

公开(公告)日：2019-03-16

申请号：TW107110962

申请日：2018-03-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 薛婉君 ,  SYUE, WAN-JYUN ,  黃進義 ,  HUANG, CHIN-YI ,  曾國隆 ,  TZENG, KUO-LUNG ,  楊卓蒼 ,  YANG, ZHUO-CANG

IPC: H01L21/22 ,  H01L29/772

Abstract: 本發明之實施例提供一種半導體裝置，其包含：一第一半導體區域，設置於一第二半導體區域上，其中，該第一及該第二半導體區域分別具有一第一摻雜類型及一第二摻雜類型；一第一源極/汲極接觸區域及一第二源極/汲極接觸區域，具有該第二摻雜類型，且橫向地分隔；以及一閘極電極，橫向地設置於該第一及該第二源極/汲極接觸區域之間，其中，該閘極電極包含一第一側壁及一第二側壁，該第一側壁相對地較接近於該第一源極/汲極接觸區域，該第二側壁相對地較接近於該第二源極/汲極接觸區域，其中，該閘極電極的該第一側壁及該第二側壁具有不同截面積。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之实施例提供一种半导体设备，其包含：一第一半导体区域，设置于一第二半导体区域上，其中，该第一及该第二半导体区域分别具有一第一掺杂类型及一第二掺杂类型；一第一源极/汲极接触区域及一第二源极/汲极接触区域，具有该第二掺杂类型，且横向地分隔；以及一闸极电极，横向地设置于该第一及该第二源极/汲极接触区域之间，其中，该闸极电极包含一第一侧壁及一第二侧壁，该第一侧壁相对地较接近于该第一源极/汲极接触区域，该第二侧壁相对地较接近于该第二源极/汲极接触区域，其中，该闸极电极的该第一侧壁及该第二侧壁具有不同截面积。