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公开(公告)号：TW201547008A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW103146473
申请日：2014-12-31
Inventor： 莊 學理 , CHUANG, HARRY-HAK-LAY , 吳偉成 , WU, WEI CHENG , 黃進義 , HUANG, CHIN YI , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 吳常明 , WU, CHANG MING
IPC: H01L27/11 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11534 , H01L27/11521 , H01L29/66545
Abstract: 本發明關於將ESF3記憶體埋置於HKMG積體電路的方法，且此方法採用置換閘極技術。ESF3記憶體係形成於凹陷基板上，以避免ILD層上進行的CMP損傷記憶控制閘極。在記憶單元與周邊電路交界之過渡區中，可形成不對稱的絕緣區。
Abstract in simplified Chinese: 本发明关于将ESF3内存埋置于HKMG集成电路的方法，且此方法采用置换闸极技术。ESF3内存系形成于凹陷基板上，以避免ILD层上进行的CMP损伤记忆控制闸极。在记忆单元与周边电路交界之过渡区中，可形成不对称的绝缘区。
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公开(公告)号：TW201351408A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102112630
申请日：2013-04-10
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 黃進義 , HUANG, CHIN YI , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/15 , G11C11/1673
Abstract: 一陣列中之磁阻性記憶體具有高電阻狀態或低電阻狀態用以儲存邏輯值。於讀取操作期間，一偏壓源耦接至一定址記憶體字元，並耦接與位元電阻有關之參數至各位元位置之感測放大器。感測放大器決定此參數值是否高於或低於位於高電阻狀態或低電阻狀態之間之參考值。藉由平均或分離於高電阻狀態或低電阻狀態之參考位元之兩個不同電阻以取得參考值。偏壓電流流動於具有變化之電阻之定址線，可藉由將一電阻自一冗餘定址陣列置入至比較電路以抵銷感測放大器與定址記憶體字元間之因距離不同所造成之影響，其中上述之電阻等同於用以定址選取字元線以及位元位置之導體之電阻。
Abstract in simplified Chinese: 一数组中之磁阻性内存具有高电阻状态或低电阻状态用以存储逻辑值。于读取操作期间，一偏压源耦接至一寻址内存字符，并耦接与比特电阻有关之参数至各比特位置之传感放大器。传感放大器决定此参数值是否高于或低于位于高电阻状态或低电阻状态之间之参考值。借由平均或分离于高电阻状态或低电阻状态之参考比特之两个不同电阻以取得参考值。偏压电流流动于具有变化之电阻之寻址线，可借由将一电阻自一冗余寻址数组置入至比较电路以抵销传感放大器与寻址内存字符间之因距离不同所造成之影响，其中上述之电阻等同于用以寻址选取字符线以及比特位置之导体之电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI528374B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102141846
申请日：2013-11-18
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 黃進義 , HUANG, CHIN YI , 陳 崑崙 , TRAN, LUAN C.
CPC classification number: G06F11/1056 , G06F11/10 , G06F11/1004 , G06F11/1048 , G06F11/1052 , G06F11/1402 , G06F11/141 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C2013/0076 , H03M13/11 , H03M13/611
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公开(公告)号：TW201421483A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102141846
申请日：2013-11-18
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 黃進義 , HUANG, CHIN YI , 陳 崑崙 , TRAN, LUAN C.
CPC classification number: G06F11/1056 , G06F11/10 , G06F11/1004 , G06F11/1048 , G06F11/1052 , G06F11/1402 , G06F11/141 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C2013/0076 , H03M13/11 , H03M13/611
Abstract: 本揭露之一些方面關於一種方法，此方法用以將多位元的預期字組寫入至記憶體之一記憶體位置。在將寫入多位元字組後，實際的多位元字組自記憶體位置被讀取，然後實際的多位元字組與多位元的預期字組相比而識別儲存於記憶體位置之許多錯誤位元以及許多正確的位元。將許多的錯誤位元重寫至記憶體位置而不需要將正確的位元重寫至記憶體位置。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露之一些方面关于一种方法，此方法用以将多比特的预期字组写入至内存之一内存位置。在将写入多比特字组后，实际的多比特字组自内存位置被读取，然后实际的多比特字组与多比特的预期字组相比而识别存储于内存位置之许多错误比特以及许多正确的比特。将许多的错误比特重写至内存位置而不需要将正确的比特重写至内存位置。
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公开(公告)号：TW201911382A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107110962
申请日：2018-03-29
Inventor： 薛婉君 , SYUE, WAN-JYUN , 黃進義 , HUANG, CHIN-YI , 曾國隆 , TZENG, KUO-LUNG , 楊卓蒼 , YANG, ZHUO-CANG
IPC: H01L21/22 , H01L29/772
Abstract: 本發明之實施例提供一種半導體裝置，其包含：一第一半導體區域，設置於一第二半導體區域上，其中，該第一及該第二半導體區域分別具有一第一摻雜類型及一第二摻雜類型；一第一源極/汲極接觸區域及一第二源極/汲極接觸區域，具有該第二摻雜類型，且橫向地分隔；以及一閘極電極，橫向地設置於該第一及該第二源極/汲極接觸區域之間，其中，該閘極電極包含一第一側壁及一第二側壁，該第一側壁相對地較接近於該第一源極/汲極接觸區域，該第二側壁相對地較接近於該第二源極/汲極接觸區域，其中，該閘極電極的該第一側壁及該第二側壁具有不同截面積。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之实施例提供一种半导体设备，其包含：一第一半导体区域，设置于一第二半导体区域上，其中，该第一及该第二半导体区域分别具有一第一掺杂类型及一第二掺杂类型；一第一源极/汲极接触区域及一第二源极/汲极接触区域，具有该第二掺杂类型，且横向地分隔；以及一闸极电极，横向地设置于该第一及该第二源极/汲极接触区域之间，其中，该闸极电极包含一第一侧壁及一第二侧壁，该第一侧壁相对地较接近于该第一源极/汲极接触区域，该第二侧壁相对地较接近于该第二源极/汲极接触区域，其中，该闸极电极的该第一侧壁及该第二侧壁具有不同截面积。
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公开(公告)号：TWI563633B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103146473
申请日：2014-12-31
Inventor： 莊 學理 , CHUANG, HARRY-HAK-LAY , 吳偉成 , WU, WEI CHENG , 黃進義 , HUANG, CHIN YI , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 吳常明 , WU, CHANG MING
IPC: H01L27/11 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11534 , H01L27/11521 , H01L29/66545
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公开(公告)号：TWI528357B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102112630
申请日：2013-04-10
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 黃進義 , HUANG, CHIN YI , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/15 , G11C11/1673
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