公开(公告)号：TW201526239A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW102146532

申请日：2013-12-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡濬澤 ,  TSAI, CHUN TSE ,  賴佳平 ,  LAI, CHIA PING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

Abstract: 本揭露提供一種半導體裝置，包括基底；控制閘極，設於基底上，其中控制閘極具有第一高度；記憶閘極，設於基底上且鄰近控制閘極，其中記憶閘極具有低於第一高度的第二高度；閘極間介電層，設於控制閘極與記憶閘極之間；側壁間隔物，設於控制閘極與記憶閘極之側壁；及頂部間隔物，設於記憶閘極之部分頂部。本揭露亦提供此半導體裝置之製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体设备，包括基底；控制闸极，设于基底上，其中控制闸极具有第一高度；记忆闸极，设于基底上且邻近控制闸极，其中记忆闸极具有低于第一高度的第二高度；闸极间介电层，设于控制闸极与记忆闸极之间；侧壁间隔物，设于控制闸极与记忆闸极之侧壁；及顶部间隔物，设于记忆闸极之部分顶部。本揭露亦提供此半导体设备之制造方法。

公开(公告)号：TWI524533B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW103115917

申请日：2014-05-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡濬澤 ,  TSAI, CHUN TSE ,  賴佳平 ,  LAI, CHIA PING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833

公开(公告)号：TWI515906B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW102146532

申请日：2013-12-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡濬澤 ,  TSAI, CHUN TSE ,  賴佳平 ,  LAI, CHIA PING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TW201521199A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW103115917

申请日：2014-05-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡濬澤 ,  TSAI, CHUN TSE ,  賴佳平 ,  LAI, CHIA PING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833

Abstract: 本發明一些實施例提供半導體裝置結構及其形成方法。半導體裝置結構包括：基板；控制閘極，形成在基板上；絕緣層，形成在控制閘極的側壁上；以及記憶體閘極，形成鄰近於絕緣層，其中絕緣層具有第一高度，且記憶體閘極具有第二高度低於第一高度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一些实施例提供半导体设备结构及其形成方法。半导体设备结构包括：基板；控制闸极，形成在基板上；绝缘层，形成在控制闸极的侧壁上；以及内存闸极，形成邻近于绝缘层，其中绝缘层具有第一高度，且内存闸极具有第二高度低于第一高度。