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    半導體裝置及其製造方法
    1.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201911591A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107119035

    申请日：2018-06-01

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 洪振翔 ,  HUNG, CHEN HSIANG ,  曾仲銓 ,  TSENG, CHUNG CHUAN ,  褚立新 ,  CHU, LI HSIN ,  賴佳平 ,  LAI, CHIA PING

    IPC: H01L31/111 ,  H01L21/78 ,  H01L29/36

    Abstract: 一種半導體裝置包含：形成在基板中的光二極體；以及至少一電晶體，具有包含第一部分以及耦接到第一部分的末端的第二部分的閘極結構，第一部分設置在基板的主要表面上方並沿著基板的主要表面延伸，且第二部分從基板的主要表面延伸到基板中，其中光二極體以及至少一電晶體至少部分形成畫素。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含：形成在基板中的光二极管；以及至少一晶体管，具有包含第一部分以及耦接到第一部分的末端的第二部分的闸极结构，第一部分设置在基板的主要表面上方并沿着基板的主要表面延伸，且第二部分从基板的主要表面延伸到基板中，其中光二极管以及至少一晶体管至少部分形成像素。

    半導體裝置及其製造方法
    3.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201526239A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：TW102146532

    申请日：2013-12-17

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 蔡濬澤 ,  TSAI, CHUN TSE ,  賴佳平 ,  LAI, CHIA PING

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

    Abstract: 本揭露提供一種半導體裝置，包括基底；控制閘極，設於基底上，其中控制閘極具有第一高度；記憶閘極，設於基底上且鄰近控制閘極，其中記憶閘極具有低於第一高度的第二高度；閘極間介電層，設於控制閘極與記憶閘極之間；側壁間隔物，設於控制閘極與記憶閘極之側壁；及頂部間隔物，設於記憶閘極之部分頂部。本揭露亦提供此半導體裝置之製造方法。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体设备，包括基底；控制闸极，设于基底上，其中控制闸极具有第一高度；记忆闸极，设于基底上且邻近控制闸极，其中记忆闸极具有低于第一高度的第二高度；闸极间介电层，设于控制闸极与记忆闸极之间；侧壁间隔物，设于控制闸极与记忆闸极之侧壁；及顶部间隔物，设于记忆闸极之部分顶部。本揭露亦提供此半导体设备之制造方法。

    閃存半導體元件及其製造方法
    5.
    发明专利
    閃存半導體元件及其製造方法 审中-公开
    闪存半导体组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW201523709A

    公开(公告)日：2015-06-16

    申请号：TW103125721

    申请日：2014-07-28

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 張任遠 ,  CHANG, JENYUAN ,  賴佳平 ,  LAI, CHIAPING

    IPC: H01L21/28 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01L27/1157 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

    Abstract: 一種製作閃存半導體元件的方法，包含提供半導體基材，半導體基材具有儲存單元陣列區域以及分流區域相鄰於儲存單元陣列區域。形成控制閘極於儲存單元陣列區域以及分流區域上。沉積介電薄膜層疊覆蓋控制閘極以及半導體基材。沉積導電膜覆蓋介電薄膜層疊。形成二凹陷分別對應位於分流區域上之控制閘極的兩側。圖案化導電膜以形成二側壁儲存閘電極以及頂部儲存閘電極。移除位於儲存單元陣列區域之一側側壁儲存閘電極。移除由側壁儲存閘電極以及頂部儲存閘電極暴露出來的介電薄膜層疊。

    Abstract in simplified Chinese: 一种制作闪存半导体组件的方法，包含提供半导体基材，半导体基材具有存储单元数组区域以及分流区域相邻于存储单元数组区域。形成控制闸极于存储单元数组区域以及分流区域上。沉积介电薄膜层叠覆盖控制闸极以及半导体基材。沉积导电膜覆盖介电薄膜层叠。形成二凹陷分别对应位于分流区域上之控制闸极的两侧。图案化导电膜以形成二侧壁存储闸电极以及顶部存储闸电极。移除位于存储单元数组区域之一侧侧壁存储闸电极。移除由侧壁存储闸电极以及顶部存储闸电极暴露出来的介电薄膜层叠。

    半導體裝置及其製造方法
    6.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201919203A

    公开(公告)日：2019-05-16

    申请号：TW107133037

    申请日：2018-09-19

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 洪振翔 ,  HUNG, CHEN HSIANG ,  褚立新 ,  CHU, LI HSIN ,  賴佳平 ,  LAI, CHIA PING ,  曾仲銓 ,  TSENG, CHUNG CHUAN

    IPC: H01L27/105 ,  H01L29/94

    Abstract: 一種半導體裝置包含：一電容器，其包含第一金屬板；設置在第一金屬板上方的電容介電層；以及設置在電容介電層上方的第二金屬板；以及一電阻器，其包含金屬薄膜，其中電阻器的金屬薄膜和電容器的第二金屬板是由一相同金屬材料所形成，且其中金屬薄膜的頂表面與電容器之第二金屬板的頂表面實質上共平面。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含：一电容器，其包含第一金属板；设置在第一金属板上方的电容介电层；以及设置在电容介电层上方的第二金属板；以及一电阻器，其包含金属薄膜，其中电阻器的金属薄膜和电容器的第二金属板是由一相同金属材料所形成，且其中金属薄膜的顶表面与电容器之第二金属板的顶表面实质上共平面。

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