公开(公告)号：TW201820531A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106120011

申请日：2017-06-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 何彥勳 ,  HO, YEN HSUNG ,  曾嘉毅 ,  TSENG, CHIA YI ,  林志勳 ,  LIN, CHIH HSUN ,  莊坤蒼 ,  CHUANG, KUN TSANG ,  許永隆 ,  HSU, YUNG LUNG

IPC: H01L21/76

Abstract: 一種半導體結構的製造方法包含：形成第一特徵及第二特徵於半導體基材之切割區域中，第一特徵與第二特徵彼此電性隔離；形成層間介電層於第一特徵與第二特徵上；以及形成第一接觸與第二接觸於層間介電層中，第一接觸連接第一特徵，且第二接觸連接第二特徵。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构的制造方法包含：形成第一特征及第二特征于半导体基材之切割区域中，第一特征与第二特征彼此电性隔离；形成层间介电层于第一特征与第二特征上；以及形成第一接触与第二接触于层间介电层中，第一接触连接第一特征，且第二接触连接第二特征。