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公开(公告)号：TW201820531A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106120011
申请日：2017-06-15
Inventor： 何彥勳 , HO, YEN HSUNG , 曾嘉毅 , TSENG, CHIA YI , 林志勳 , LIN, CHIH HSUN , 莊坤蒼 , CHUANG, KUN TSANG , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG
IPC: H01L21/76
Abstract: 一種半導體結構的製造方法包含：形成第一特徵及第二特徵於半導體基材之切割區域中，第一特徵與第二特徵彼此電性隔離；形成層間介電層於第一特徵與第二特徵上；以及形成第一接觸與第二接觸於層間介電層中，第一接觸連接第一特徵，且第二接觸連接第二特徵。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构的制造方法包含：形成第一特征及第二特征于半导体基材之切割区域中，第一特征与第二特征彼此电性隔离；形成层间介电层于第一特征与第二特征上；以及形成第一接触与第二接触于层间介电层中，第一接触连接第一特征，且第二接触连接第二特征。
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公开(公告)号：TW201409561A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102128417
申请日：2013-08-08
Inventor： 陳威成 , CHEN, WEI CHENG , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 林志勳 , LIN, CHIH HSUN , 林子凱 , LIN, TZU KAI
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/261 , C11D11/0047 , H01L21/67028
Abstract: 本發明揭露一種清洗及乾燥半導體晶圓的方法，包括將一半導體晶圓置入一清洗設備的一腔室內，以大約為300 RPM至1600 RPM的範圍的轉速旋轉半導體晶圓，且同時以異丙醇及氮氣的一混合物及一去離子水噴灑半導體晶圓。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种清洗及干燥半导体晶圆的方法，包括将一半导体晶圆置入一清洗设备的一腔室内，以大约为300 RPM至1600 RPM的范围的转速旋转半导体晶圆，且同时以异丙醇及氮气的一混合物及一去离子水喷洒半导体晶圆。
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公开(公告)号：TWI524413B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102128417
申请日：2013-08-08
Inventor： 陳威成 , CHEN, WEI CHENG , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 林志勳 , LIN, CHIH HSUN , 林子凱 , LIN, TZU KAI
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/261 , C11D11/0047 , H01L21/67028
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