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公开(公告)号:TW201639138A
公开(公告)日:2016-11-01
申请号:TW104139591
申请日:2015-11-27
Inventor: 鄭允瑋 , CHENG, YUN WEI , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI , 王昭雄 , WANG, CHAO HSIUNG , 周俊豪 , CHOU, CHUN HAO , 蔡宗翰 , TSAI, TSUNG HAN , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本發明的一實施例是提供一種影像感測器,其具有偏移設置的堆疊柵格。一畫素感測器是置於一半導體基底中;一金屬柵格組件是置於上述畫素感測器的上方且其內具有一金屬柵格開口,其中上述金屬柵格開口的中心是與上述畫素感測器的中心橫向偏移;一介電質柵格組件是置於上述金屬柵格組件的上方且其內具有一介電質柵格開口,其中上述介電質柵格開口的中心是與上述畫素感測器的中心橫向偏移。本發明的另一實施例是提供上述影像感測器的形成方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一实施例是提供一种影像传感器,其具有偏移设置的堆栈栅格。一像素传感器是置于一半导体基底中;一金属栅格组件是置于上述像素传感器的上方且其内具有一金属栅格开口,其中上述金属栅格开口的中心是与上述像素传感器的中心横向偏移;一介电质栅格组件是置于上述金属栅格组件的上方且其内具有一介电质栅格开口,其中上述介电质栅格开口的中心是与上述像素传感器的中心横向偏移。本发明的另一实施例是提供上述影像传感器的形成方法。
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公开(公告)号:TW201639135A
公开(公告)日:2016-11-01
申请号:TW104139347
申请日:2015-11-26
Inventor: 鄭允瑋 , CHENG, YUN WEI , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI , 王昭雄 , WANG, CHAO HSIUNG , 周俊豪 , CHOU, CHUN HAO , 蔡宗翰 , TSAI, TSUNG HAN , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本發明關於一種背照式影像感測器(back-side illumination (BSI)image sensor),其具有垂直地配置於一金屬網格之側壁之間的一彩色濾光片,與關於其形成方法。在一些實施例中,背照式影像感測器包括一像素感應器位於一半導體基板之內,與一層之介電材料覆於像素感應器上。一金屬網格,其藉由該層之介電材料與半導體基板分隔。一堆疊網格,被設置於金屬網格之上。堆疊網格與一開口鄰接,開口從堆疊網格之一上表面垂直地延伸至被橫向地設置於金屬網格之側壁之間的一位置。一彩色濾光片可被設置於開口之內。藉由具有垂直地延伸於金屬網格之側壁之間的彩色濾光片,可使得介於彩色濾光片與像素感應器的一距離相對地小,藉此降低串擾,並改善所產生之背照式影像感測器的光學性能。
Abstract in simplified Chinese: 本发明关于一种背照式影像传感器(back-side illumination (BSI)image sensor),其具有垂直地配置于一金属网格之侧壁之间的一彩色滤光片,与关于其形成方法。在一些实施例中,背照式影像传感器包括一像素感应器位于一半导体基板之内,与一层之介电材料覆于像素感应器上。一金属网格,其借由该层之介电材料与半导体基板分隔。一堆栈网格,被设置于金属网格之上。堆栈网格与一开口邻接,开口从堆栈网格之一上表面垂直地延伸至被横向地设置于金属网格之侧壁之间的一位置。一彩色滤光片可被设置于开口之内。借由具有垂直地延伸于金属网格之侧壁之间的彩色滤光片,可使得介于彩色滤光片与像素感应器的一距离相对地小,借此降低串扰,并改善所产生之背照式影像传感器的光学性能。
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公开(公告)号:TW201628177A
公开(公告)日:2016-08-01
申请号:TW104137360
申请日:2015-11-12
Inventor: 魏嘉余 , WEI, CHIA YU , 陳胤禎 , CHEN, YIN CHEN , 林彥良 , LIN, YEN LIANG , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14638 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/148
Abstract: 一種影像感測裝置,包含多個像素單元。每一像素單元包含光感測元件、第一電晶體和第二電晶體。第一電晶體耦接於光感測元件。第二電晶體,耦接於光感測元件和第一電晶體。第一電晶體包含具有第一寬度之第一閘極結構,第二電晶體包含具有第二寬度之第二閘極結構,其中第一閘極結構與第二閘極結構之間的距離實質上大於第一寬度和第二寬度。
Abstract in simplified Chinese: 一种影像传感设备,包含多个像素单元。每一像素单元包含光传感组件、第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管耦接于光传感组件。第二晶体管,耦接于光传感组件和第一晶体管。第一晶体管包含具有第一宽度之第一闸极结构,第二晶体管包含具有第二宽度之第二闸极结构,其中第一闸极结构与第二闸极结构之间的距离实质上大于第一宽度和第二宽度。
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公开(公告)号:TWI701821B
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:TW105128820
申请日:2016-09-06
Inventor: 鄭允瑋 , CHENG, YUN WEI , 周俊豪 , CHOU, CHUN HAO , 蔡宗翰 , TSAI, TSUNG HAN , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号:TWI644418B
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:TW105133086
申请日:2016-10-13
Inventor: 蔡宗翰 , TSAI, TSUNG HAN , 鄭允瑋 , CHENG, YUN WEI , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 周俊豪 , CHOU, CHUN HAO , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号:TW201721854A
公开(公告)日:2017-06-16
申请号:TW105129992
申请日:2016-09-14
Inventor: 張素華 , CHANG, SU HUA , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464
Abstract: 影像感測器元件包括基板、彩色濾光片層、至少一畫素、主隔離結構以及子隔離結構。彩色濾光片層安置於基板上。彩色濾光片層包括具有單一原色的第一彩色濾光片。畫素安置於基板中並與第一彩色濾光片對準。主隔離結構圍繞基板中的畫素。安置子隔離結構以將畫素分成複數個子第一畫素。子畫素相對應於具有單一原色的第一彩色濾光片,子第一畫素之每一者包括輻射感測器元件。
Abstract in simplified Chinese: 影像传感器组件包括基板、彩色滤光片层、至少一像素、主隔离结构以及子隔离结构。彩色滤光片层安置于基板上。彩色滤光片层包括具有单一原色的第一彩色滤光片。像素安置于基板中并与第一彩色滤光片对准。主隔离结构围绕基板中的像素。安置子隔离结构以将像素分成复数个子第一像素。子像素相对应于具有单一原色的第一彩色滤光片,子第一像素之每一者包括辐射传感器组件。
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公开(公告)号:TW201711178A
公开(公告)日:2017-03-16
申请号:TW105129366
申请日:2016-09-09
Inventor: 鄭允瑋 , CHENG, YUN WEI , 周俊豪 , CHOU, CHUN HAO , 蔡宗翰 , TSAI, TSUNG HAN , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 一種半導體元件包含基材、元件層、抗反射覆蓋層、數個反射結構、複合格柵結構、鈍化層以及數個彩色濾光片。元件層設於基材上,其中數個溝渠形成於元件層與基材中。抗反射覆蓋層共形覆蓋元件層、基材與溝渠。反射結構分別設於溝渠中的抗反射覆蓋層上。複合格柵結構位於抗反射覆蓋層與反射結構上。複合格柵結構包含數個孔穴貫穿複合格柵結構,且複合格柵結構包含依序堆疊在反射結構上的金屬格柵層與介電格柵層。鈍化層共形覆蓋複合格柵結構。彩色濾光片分別填充孔穴。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包含基材、组件层、抗反射复盖层、数个反射结构、复合格栅结构、钝化层以及数个彩色滤光片。组件层设于基材上,其中数个沟渠形成于组件层与基材中。抗反射复盖层共形覆盖组件层、基材与沟渠。反射结构分别设于沟渠中的抗反射复盖层上。复合格栅结构位于抗反射复盖层与反射结构上。复合格栅结构包含数个孔穴贯穿复合格栅结构,且复合格栅结构包含依序堆栈在反射结构上的金属格栅层与介电格栅层。钝化层共形覆盖复合格栅结构。彩色滤光片分别填充孔穴。
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公开(公告)号:TWI556423B
公开(公告)日:2016-11-01
申请号:TW104137360
申请日:2015-11-12
Inventor: 魏嘉余 , WEI, CHIA YU , 陳胤禎 , CHEN, YIN CHEN , 林彥良 , LIN, YEN LIANG , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14638 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/148
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公开(公告)号:TWI698990B
公开(公告)日:2020-07-11
申请号:TW105133915
申请日:2016-10-20
Inventor: 蔡伯宗 , TSAI, BO TSUNG , 周俊豪 , CHOU, CHUN HAO , 蔡宗翰 , TSAI, TSUNG HAN , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG , 鄭允瑋 , CHENG, YUN WEI
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号:TWI694603B
公开(公告)日:2020-05-21
申请号:TW105129992
申请日:2016-09-14
Inventor: 張素華 , CHANG, SU HUA , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG
IPC: H01L27/146
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