公开(公告)号：TW201823518A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106131551

申请日：2017-09-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊能傑 ,  YANG, NENG JYE ,  連建洲 ,  LIAN, JIAN JOU ,  王育文 ,  WANG, YU WEN ,  黃國彬 ,  HUANG, KUO BIN ,  葉明熙 ,  YEH, MING HSI ,  林舜武 ,  LIN, SHUN WU ,  張詩敏 ,  CHANG, SHIH MIN

IPC: C23F1/40 ,  C23F11/06 ,  C23F11/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本發明以高選擇性的濕蝕刻化學品移除多晶矽閘極，而不損傷圍繞多晶矽閘極的層狀物，其可用於金屬閘極置換的整合方法。舉例來說，濕蝕刻化學品可包含一或多種鹼溶劑，其具有立體障礙的胺結構；緩衝系統，其包含氫氧化四甲基銨與單乙醇胺；一或多種極性溶劑；與水。

Abstract in simplified Chinese: 本发明以高选择性的湿蚀刻化学品移除多晶硅闸极，而不损伤围绕多晶硅闸极的层状物，其可用于金属闸极置换的集成方法。举例来说，湿蚀刻化学品可包含一或多种碱溶剂，其具有三維障碍的胺结构；缓冲系统，其包含氢氧化四甲基铵与单乙醇胺；一或多种极性溶剂；与水。

公开(公告)号：TW201839515A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW106142528

申请日：2017-12-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 連建洲 ,  LIAN, JIAN JOU ,  許耀文 ,  HSU, YAO WEN ,  楊能傑 ,  YANG, NENG JYE ,  陳立民 ,  CHEN, LI MIN ,  吳嘉偉 ,  WU, CHIA WEI ,  陳冠霖 ,  CHEN, KUAN LIN ,  黃國彬 ,  HUANG, KUO BIN

IPC: G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

Abstract: 提供一種半導體裝置的製造方法。在中間層的圖案化後，移除中間層。為了減少或防止由於中間層及中介層的圖案化而暴露的其它下層的損害，於蝕刻製程中包含抑制劑以抑制從下層移除的材料的量。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备的制造方法。在中间层的图案化后，移除中间层。为了减少或防止由于中间层及中介层的图案化而暴露的其它下层的损害，于蚀刻制程中包含抑制剂以抑制从下层移除的材料的量。

公开(公告)号：TW201911405A

公开(公告)日：2019-03-16

申请号：TW106140712

申请日：2017-11-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許耀文 ,  HSU, YAO WEN ,  連建洲 ,  LIAN, JIAN JOU ,  楊能傑 ,  YANG, NENG JYE ,  吳嘉偉 ,  WU, CHIA WEI ,  陳冠霖 ,  CHEN, KUAN LIN ,  黃國彬 ,  HUANG, KUO BIN ,  陳立民 ,  CHEN, LI MIN

IPC: H01L21/306

Abstract: 提供半導體裝置製造方法，包括將材料曝露至半水性蝕刻溶液。此半水性蝕刻溶液包括與前述材料螯合且作為蝕刻驅動力及前述材料之間的催化劑之溶劑。因此，此蝕刻驅動力可被用以去除前述材料。

Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备制造方法，包括将材料曝露至半水性蚀刻溶液。此半水性蚀刻溶液包括与前述材料螯合且作为蚀刻驱动力及前述材料之间的催化剂之溶剂。因此，此蚀刻驱动力可被用以去除前述材料。

公开(公告)号：TW201839525A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW107109433

申请日：2018-03-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許耀文 ,  HSU, YAO WEN ,  連建洲 ,  LIAN, JIAN JOU ,  楊能傑 ,  YANG, NENG JYE ,  陳冠霖 ,  CHEN, KUAN LIN

IPC: G03F7/30

Abstract: 半水相濕式清潔系統與方法可用於移除含碳的矽材(如電漿殘留物)或含氮的矽材(如電漿殘留物)。半水相濕式清潔系統包含羥基末端有機化合物、二醇、與氟離子予體材料。上述系統設置以在乾蝕刻後的濕式清潔時，保護氧化矽與非晶矽。濕式清潔系統設置以選擇性地移除含碳電漿殘留物或含氮電漿殘留物。調整濕式清潔系統的pH值，即可改變含碳電漿殘餘物或含氮電漿殘餘物的移除步驟其選擇性。如此一來，四乙氧基矽烷的凹陷可小於約3nm。此外，濕式清潔系統可回收以供後續使用。

Abstract in simplified Chinese: 半水相湿式清洁系统与方法可用于移除含碳的硅材(如等离子残留物)或含氮的硅材(如等离子残留物)。半水相湿式清洁系统包含羟基末端有机化合物、二醇、与氟离子予体材料。上述系统设置以在干蚀刻后的湿式清洁时，保护氧化硅与非晶硅。湿式清洁系统设置以选择性地移除含碳等离子残留物或含氮等离子残留物。调整湿式清洁系统的pH值，即可改变含碳等离子残余物或含氮等离子残余物的移除步骤其选择性。如此一来，四乙氧基硅烷的凹陷可小于约3nm。此外，湿式清洁系统可回收以供后续使用。