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公开(公告)号：TWI696220B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107134392
申请日：2018-09-28
Inventor： 黃銘淇 , HUANG, MING CHI , 莊英良 , CHUANG, YING LIANG , 葉明熙 , YEH, MING HSI , 黃國彬 , HUANG, KUO BIN
IPC: H01L21/3213 , H01L21/8238
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公开(公告)号：TW201839515A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106142528
申请日：2017-12-05
Inventor： 連建洲 , LIAN, JIAN JOU , 許耀文 , HSU, YAO WEN , 楊能傑 , YANG, NENG JYE , 陳立民 , CHEN, LI MIN , 吳嘉偉 , WU, CHIA WEI , 陳冠霖 , CHEN, KUAN LIN , 黃國彬 , HUANG, KUO BIN
IPC: G03F7/09 , H01L21/027 , H01L21/306
Abstract: 提供一種半導體裝置的製造方法。在中間層的圖案化後，移除中間層。為了減少或防止由於中間層及中介層的圖案化而暴露的其它下層的損害，於蝕刻製程中包含抑制劑以抑制從下層移除的材料的量。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备的制造方法。在中间层的图案化后，移除中间层。为了减少或防止由于中间层及中介层的图案化而暴露的其它下层的损害，于蚀刻制程中包含抑制剂以抑制从下层移除的材料的量。
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公开(公告)号：TW201911405A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106140712
申请日：2017-11-23
Inventor： 許耀文 , HSU, YAO WEN , 連建洲 , LIAN, JIAN JOU , 楊能傑 , YANG, NENG JYE , 吳嘉偉 , WU, CHIA WEI , 陳冠霖 , CHEN, KUAN LIN , 黃國彬 , HUANG, KUO BIN , 陳立民 , CHEN, LI MIN
IPC: H01L21/306
Abstract: 提供半導體裝置製造方法，包括將材料曝露至半水性蝕刻溶液。此半水性蝕刻溶液包括與前述材料螯合且作為蝕刻驅動力及前述材料之間的催化劑之溶劑。因此，此蝕刻驅動力可被用以去除前述材料。
Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备制造方法，包括将材料曝露至半水性蚀刻溶液。此半水性蚀刻溶液包括与前述材料螯合且作为蚀刻驱动力及前述材料之间的催化剂之溶剂。因此，此蚀刻驱动力可被用以去除前述材料。
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公开(公告)号：TWI679769B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107116124
申请日：2018-05-11
Inventor： 黃如立 , HUANG, JU LI , 莊英良 , CHUANG, YING LIANG , 葉明熙 , YEH, MING HSI , 黃國彬 , HUANG, KUO BIN
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公开(公告)号：TWI668758B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106139890
申请日：2017-11-17
Inventor： 黃銘淇 , HUANG, MING CHI , 莊英良 , CHUANG, YING LIANG , 葉明熙 , YEH, MING HSI , 黃國彬 , HUANG, KUO BIN
IPC: H01L21/306 , H01L21/328 , H01L27/02
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201911404A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106139890
申请日：2017-11-17
Inventor： 黃銘淇 , HUANG, MING CHI , 莊英良 , CHUANG, YING LIANG , 葉明熙 , YEH, MING HSI , 黃國彬 , HUANG, KUO BIN
IPC: H01L21/306 , H01L21/328 , H01L27/02
Abstract: 提供金屬閘極結構及相關的方法，其包含實施金屬閘極切割製程，金屬閘極切割製程包含複數個蝕刻步驟，舉例來說，實施第一非等向性乾式蝕刻、實施第二等向性乾式蝕刻以及實施第三濕式蝕刻。在一些實施例中，第二等向性蝕刻移除包含含金屬層之金屬閘極層的剩餘部分。在一些實施例中，第三蝕刻移除介電層的剩餘部分。
Abstract in simplified Chinese: 提供金属闸极结构及相关的方法，其包含实施金属闸极切割制程，金属闸极切割制程包含复数个蚀刻步骤，举例来说，实施第一非等向性干式蚀刻、实施第二等向性干式蚀刻以及实施第三湿式蚀刻。在一些实施例中，第二等向性蚀刻移除包含含金属层之金属闸极层的剩余部分。在一些实施例中，第三蚀刻移除介电层的剩余部分。
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公开(公告)号：TW201823518A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106131551
申请日：2017-09-14
Inventor： 楊能傑 , YANG, NENG JYE , 連建洲 , LIAN, JIAN JOU , 王育文 , WANG, YU WEN , 黃國彬 , HUANG, KUO BIN , 葉明熙 , YEH, MING HSI , 林舜武 , LIN, SHUN WU , 張詩敏 , CHANG, SHIH MIN
IPC: C23F1/40 , C23F11/06 , C23F11/14 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本發明以高選擇性的濕蝕刻化學品移除多晶矽閘極，而不損傷圍繞多晶矽閘極的層狀物，其可用於金屬閘極置換的整合方法。舉例來說，濕蝕刻化學品可包含一或多種鹼溶劑，其具有立體障礙的胺結構；緩衝系統，其包含氫氧化四甲基銨與單乙醇胺；一或多種極性溶劑；與水。
Abstract in simplified Chinese: 本发明以高选择性的湿蚀刻化学品移除多晶硅闸极，而不损伤围绕多晶硅闸极的层状物，其可用于金属闸极置换的集成方法。举例来说，湿蚀刻化学品可包含一或多种碱溶剂，其具有三維障碍的胺结构；缓冲系统，其包含氢氧化四甲基铵与单乙醇胺；一或多种极性溶剂；与水。
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公开(公告)号：TWI562210B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW098128192
申请日：2009-08-21
Inventor： 葉明熙 , YEH, MATT , 林舜武 , LIN, SHUN WU , 陳啟群 , CHEN, CHI CHUN , 陳嘉仁 , CHEN, RYAN CHIA JEN , 陳薏新 , CHEN, YI HSING , 陳建豪 , CHEN, CHIEN HAO , 趙元舜 , CHAO, DONALD Y. , 黃國彬 , HUANG, KUO BIN
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28105 , H01L21/28123 , H01L21/28158 , H01L21/31111 , H01L21/32139 , H01L29/401
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公开(公告)号：TW502314B
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：TW090122728
申请日：2001-09-13
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種離子束入射角度檢測方法，適用於藉由一檢測物之晶格結構來檢測離子束之入射角度，包括以下步驟。首先，將離子束以平行於上述檢測物之晶格結構內之既定通道平面之方向射入上述檢測物。接著，檢測上述檢測物之狀態，並根據檢測結果而判斷上述離子束之入射角度是否正確。
Abstract in simplified Chinese: 一种离子束入射角度检测方法，适用于借由一检测物之晶格结构来检测离子束之入射角度，包括以下步骤。首先，将离子束以平行于上述检测物之晶格结构内之既定信道平面之方向射入上述检测物。接着，检测上述检测物之状态，并根据检测结果而判断上述离子束之入射角度是否正确。
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公开(公告)号：TW538499B
公开(公告)日：2003-06-21
申请号：TW091112577
申请日：2002-06-10
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種具有晶片固定背面放射率(Backside Emissivity)之晶舟(Boat)，此晶舟之特徵在於利用複數個隔片區隔各晶片(Wafer)與控片(Control Wafer)，藉此提供固定背面放射率於下方晶片，以去除晶片或控片背面的材質對於其下方晶片形成氧化層的厚度所產生的影響，使晶片能形成厚度一致的氧化層。本發明改善習知晶舟之晶片背面各式各樣的薄膜之放射率迥異，使得下方晶片生長的氧化層厚薄不一，並避免難以控制閘極氧化層厚度。
Abstract in simplified Chinese: 一种具有芯片固定背面放射率(Backside Emissivity)之晶舟(Boat)，此晶舟之特征在于利用复数个隔片区隔各芯片(Wafer)与控片(Control Wafer)，借此提供固定背面放射率于下方芯片，以去除芯片或控片背面的材质对于其下方芯片形成氧化层的厚度所产生的影响，使芯片能形成厚度一致的氧化层。本发明改善习知晶舟之芯片背面各式各样的薄膜之放射率迥异，使得下方芯片生长的氧化层厚薄不一，并避免难以控制闸极氧化层厚度。
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