半導體裝置及其製造方法
    6.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201911404A

    公开(公告)日:2019-03-16

    申请号:TW106139890

    申请日:2017-11-17

    Abstract: 提供金屬閘極結構及相關的方法,其包含實施金屬閘極切割製程,金屬閘極切割製程包含複數個蝕刻步驟,舉例來說,實施第一非等向性乾式蝕刻、實施第二等向性乾式蝕刻以及實施第三濕式蝕刻。在一些實施例中,第二等向性蝕刻移除包含含金屬層之金屬閘極層的剩餘部分。在一些實施例中,第三蝕刻移除介電層的剩餘部分。

    Abstract in simplified Chinese: 提供金属闸极结构及相关的方法,其包含实施金属闸极切割制程,金属闸极切割制程包含复数个蚀刻步骤,举例来说,实施第一非等向性干式蚀刻、实施第二等向性干式蚀刻以及实施第三湿式蚀刻。在一些实施例中,第二等向性蚀刻移除包含含金属层之金属闸极层的剩余部分。在一些实施例中,第三蚀刻移除介电层的剩余部分。

    離子束入射角度檢測方法
    9.
    发明专利
    離子束入射角度檢測方法 有权
    离子束入射角度检测方法

    公开(公告)号:TW502314B

    公开(公告)日:2002-09-11

    申请号:TW090122728

    申请日:2001-09-13

    IPC: H01L

    Abstract: 一種離子束入射角度檢測方法,適用於藉由一檢測物之晶格結構來檢測離子束之入射角度,包括以下步驟。首先,將離子束以平行於上述檢測物之晶格結構內之既定通道平面之方向射入上述檢測物。接著,檢測上述檢測物之狀態,並根據檢測結果而判斷上述離子束之入射角度是否正確。

    Abstract in simplified Chinese: 一种离子束入射角度检测方法,适用于借由一检测物之晶格结构来检测离子束之入射角度,包括以下步骤。首先,将离子束以平行于上述检测物之晶格结构内之既定信道平面之方向射入上述检测物。接着,检测上述检测物之状态,并根据检测结果而判断上述离子束之入射角度是否正确。

    具有晶片固定背面放射率之晶舟
    10.
    发明专利
    具有晶片固定背面放射率之晶舟 有权
    具有芯片固定背面放射率之晶舟

    公开(公告)号:TW538499B

    公开(公告)日:2003-06-21

    申请号:TW091112577

    申请日:2002-06-10

    IPC: H01L

    Abstract: 一種具有晶片固定背面放射率(Backside Emissivity)之晶舟(Boat),此晶舟之特徵在於利用複數個隔片區隔各晶片(Wafer)與控片(Control Wafer),藉此提供固定背面放射率於下方晶片,以去除晶片或控片背面的材質對於其下方晶片形成氧化層的厚度所產生的影響,使晶片能形成厚度一致的氧化層。本發明改善習知晶舟之晶片背面各式各樣的薄膜之放射率迥異,使得下方晶片生長的氧化層厚薄不一,並避免難以控制閘極氧化層厚度。

    Abstract in simplified Chinese: 一种具有芯片固定背面放射率(Backside Emissivity)之晶舟(Boat),此晶舟之特征在于利用复数个隔片区隔各芯片(Wafer)与控片(Control Wafer),借此提供固定背面放射率于下方芯片,以去除芯片或控片背面的材质对于其下方芯片形成氧化层的厚度所产生的影响,使芯片能形成厚度一致的氧化层。本发明改善习知晶舟之芯片背面各式各样的薄膜之放射率迥异,使得下方芯片生长的氧化层厚薄不一,并避免难以控制闸极氧化层厚度。

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