公开(公告)号：TW202004861A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108106035

申请日：2019-02-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 龔達淵 ,  KUNG, TA-YUAN ,  柳瑞興 ,  LIU, RUEY-HSIN ,  朱振樑 ,  CHU, CHEN-LIANG ,  姚智文 ,  YAO, CHIH-WEN ,  雷明達 ,  LEI, MING-TA

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/76

Abstract: 本發明實施例係關於一種半導體裝置，其包含一半導體基板、一閘極介電質、一閘極電極及一對源極/汲極區域。該閘極介電質安置於該半導體基板中以具有界定低於該半導體基板之一上表面之一上邊界之一凹形輪廓。該閘極電極安置於該閘極介電質上方。該對源極/汲極區域安置於該閘極介電質之對置側上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于一种半导体设备，其包含一半导体基板、一闸极介电质、一闸极电极及一对源极/汲极区域。该闸极介电质安置于该半导体基板中以具有界定低于该半导体基板之一上表面之一上边界之一凹形轮廓。该闸极电极安置于该闸极介电质上方。该对源极/汲极区域安置于该闸极介电质之对置侧上。

公开(公告)号：TW201724362A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105132404

申请日：2016-10-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 雷明達 ,  LEI, MING-TA ,  朱家驊 ,  CHU, CHIA-HUA ,  蔣昕志 ,  CHIANG, HSIN-CHIH ,  陳東村 ,  CHEN, TUNG-TSUN ,  鄭鈞文 ,  CHENG, CHUN-WEN

IPC: H01L21/77 ,  G01N27/407

CPC classification number: C23F4/00 ,  G01N27/128 ,  G01N33/0075 ,  H01L21/28

Abstract: 本揭露之一些實施例提供一種在一物聯網(IOT)中之氣體感測器。該氣體感測器包含一基板、經放置於該基板上方之一導體，及經放置於該導體上方之一感測膜。該導體具有：一俯視圖圖案，其包含複數個開口，該開口之一最小尺寸小於約4微米；及一周邊，其密封該開口。本揭露之一些實施例提供一種製造一氣體感測器之方法。該方法包含：接收一基板；於該基板上方形成一導體；圖案化該導體以藉由一蝕刻操作於該導體中形成複數個開口；及於該導體上方形成一氣體感測膜。該等開口係以一重複圖案配置，且該開口之一最小尺寸係約4微米。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露之一些实施例提供一种在一物联网(IOT)中之气体传感器。该气体传感器包含一基板、经放置于该基板上方之一导体，及经放置于该导体上方之一传感膜。该导体具有：一俯视图图案，其包含复数个开口，该开口之一最小尺寸小于约4微米；及一周边，其密封该开口。本揭露之一些实施例提供一种制造一气体传感器之方法。该方法包含：接收一基板；于该基板上方形成一导体；图案化该导体以借由一蚀刻操作于该导体中形成复数个开口；及于该导体上方形成一气体传感膜。该等开口系以一重复图案配置，且该开口之一最小尺寸系约4微米。

公开(公告)号：TW334615B

公开(公告)日：1998-06-21

申请号：TW086111482

申请日：1997-08-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 吳振銘 ,  黃振銘 ,  雷明達 ,  蔣敏雄

IPC: H01L

Abstract: 一種防止中間介電層接觸窗歪斜的方法，在半導體基板的表面製作積體電路，積體電路包括場氧化層、主動區與連接線，在表面形成中間介電層覆蓋在表面，中間介電層包括未摻雜矽玻璃層、硼磷攙雜四乙氧基矽烷以及電漿輔助四乙氧基矽烷（或是電漿輔助二氧化矽層），按著利用化學機械研磨處理對中間介電層作平坦化處理，進行第一次快速熱退火處理製程，然後，在中間介電層之中形成接觸窗，最後進行第二次快速熱退火處理製程，完成積體電路之中間介電層接觸窗的製作。

Abstract in simplified Chinese: 一种防止中间介电层接触窗歪斜的方法，在半导体基板的表面制作集成电路，集成电路包括场氧化层、主动区与连接线，在表面形成中间介电层覆盖在表面，中间介电层包括未掺杂硅玻璃层、硼磷搀杂四乙氧基硅烷以及等离子辅助四乙氧基硅烷（或是等离子辅助二氧化硅层），按着利用化学机械研磨处理对中间介电层作平坦化处理，进行第一次快速热退火处理制程，然后，在中间介电层之中形成接触窗，最后进行第二次快速热退火处理制程，完成集成电路之中间介电层接触窗的制作。

公开(公告)号：TW463303B

公开(公告)日：2001-11-11

申请号：TW088116457

申请日：1999-09-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭光茗 ,  雷明達 ,  伍壽國

IPC: H01L

Abstract: 一種在半導體底材上製造接觸孔於自對準矽化金屬源極/汲極接面上之方法。首先提供一具有多晶矽閘極、源極/汲極區域與隔離結構之半導體底材。接著，形成金屬層於閘極結構、源極/汲極區域上。再進行第一次快速熱回火程序，以便在源極/汲極區域與多晶矽閘極上,分別形成自對準矽化金屬薄膜及多晶矽化金屬薄膜。接著，移除未反應之金屬層，並形成金屬間介電層於半導體底材上。然後，形成接觸孔於金屬間介電層上，且曝露出自對準矽化金屬薄膜。再進行接觸孔離子植入程序，以便在半導體底材中，形成離子摻雜區域。隨後，進行第二次快速熱回火程序，以提昇自對準矽化金屬薄膜及多晶矽化金屬薄膜之導電性，且活化離子摻雜區域。

Abstract in simplified Chinese: 一种在半导体底材上制造接触孔于自对准硅化金属源极/汲极接面上之方法。首先提供一具有多晶硅闸极、源极/汲极区域与隔离结构之半导体底材。接着，形成金属层于闸极结构、源极/汲极区域上。再进行第一次快速热回火进程，以便在源极/汲极区域与多晶硅闸极上,分别形成自对准硅化金属薄膜及多晶硅化金属薄膜。接着，移除未反应之金属层，并形成金属间介电层于半导体底材上。然后，形成接触孔于金属间介电层上，且曝露出自对准硅化金属薄膜。再进行接触孔离子植入进程，以便在半导体底材中，形成离子掺杂区域。随后，进行第二次快速热回火进程，以提升自对准硅化金属薄膜及多晶硅化金属薄膜之导电性，且活化离子掺杂区域。

公开(公告)号：TW428281B

公开(公告)日：2001-04-01

申请号：TW088113764

申请日：1999-08-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭光茗 ,  雷明達 ,  伍壽國

IPC: H01L

Abstract: 本發明係為一種關於形成無邊界接觸窗與自行對準矽化物的製程，首先於一具有主動元件的基材上形成一氮氧化矽層或氮化矽層，其係利用電漿強化化學氣相沈積法(PECVD)完成，接著形成一絕緣層於該氮氮化矽層上，然後蝕刻該絕緣層，至暴露該元件之部份表面為止，最後蝕刻該開口的氮化矽層，以形成該無邊界接觸窗的開口。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系为一种关于形成无边界接触窗与自行对准硅化物的制程，首先于一具有主动组件的基材上形成一氮氧化硅层或氮化硅层，其系利用等离子强化化学气相沉积法(PECVD)完成，接着形成一绝缘层于该氮氮化硅层上，然后蚀刻该绝缘层，至暴露该组件之部份表面为止，最后蚀刻该开口的氮化硅层，以形成该无边界接触窗的开口。

公开(公告)号：TWI317766B

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：TW092130119

申请日：2003-10-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 萬文愷 ,  林義雄 ,  雷明達 ,  彭寶慶 ,  林正忠 ,  林佳惠 ,  劉埃森

IPC: C23C

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76886

Abstract: 一種銅導線之無電鍍方法。此銅導線之無電鍍方法包含下列步驟，首先提供一基材，此基材具有導電區域與非導電區域，其中導電區域係為銅導線所構成。接著覆蓋金屬薄膜於導電區域之表面，然後清潔基材之表面。並更進一步的將金屬薄膜進行熱處理，使金屬薄膜與導電區域之金屬材質形成合金層，例如是鎳銅合金層。 A method of electroless plating for copper leads is described. The method includes the following steps. First, a substrate with conductive areas and nonconductive areas is provided. The conductive areas are formed by copper leads. Metal thin films are formed on the conductive areas of the substrate. Subsequently, the substrate surface is cleaned. The method further includes a step to form alloy layers, such as NiCu alloy layers, with a heat treatment on the metal thin films.

Abstract in simplified Chinese: 一种铜导线之无电镀方法。此铜导线之无电镀方法包含下列步骤，首先提供一基材，此基材具有导电区域与非导电区域，其中导电区域系为铜导线所构成。接着覆盖金属薄膜于导电区域之表面，然后清洁基材之表面。并更进一步的将金属薄膜进行热处理，使金属薄膜与导电区域之金属材质形成合金层，例如是镍铜合金层。 A method of electroless plating for copper leads is described. The method includes the following steps. First, a substrate with conductive areas and nonconductive areas is provided. The conductive areas are formed by copper leads. Metal thin films are formed on the conductive areas of the substrate. Subsequently, the substrate surface is cleaned. The method further includes a step to form alloy layers, such as NiCu alloy layers, with a heat treatment on the metal thin films.

公开(公告)号：TWI679684B

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW107115934

申请日：2018-05-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭志昌 ,  CHENG, CHIH CHANG ,  朱馥鈺 ,  CHU, FU YU ,  柳瑞興 ,  LIU, RUEY HSIN ,  雷明達 ,  LEI, MING TA ,  黃士芬 ,  HUANG, SHIH FEN

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201919107A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107115934

申请日：2018-05-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭志昌 ,  CHENG, CHIH CHANG ,  朱馥鈺 ,  CHU, FU YU ,  柳瑞興 ,  LIU, RUEY HSIN ,  雷明達 ,  LEI, MING TA ,  黃士芬 ,  HUANG, SHIH FEN

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明實施例提供一種半導體元件，包括具有元件區域的半導體基板。隔離結構於封閉路徑中橫向延伸，以標定元件區域。第一源極/汲極區域及第二源極/汲極區域，位於元件區域中且橫向相隔。第一源極/汲極區域的側壁與隔離結構於第一隔離結構側壁直接接觸。第一源極/汲極區域的其餘側壁與隔離結構分隔。選擇性導電通道位於元件區域中，選擇性導電通道自第一源極/汲極區域橫向延伸至第二源極/汲極區域。半導體元件更包括具有中央部分及第一外圍部分的平板。中央部分覆蓋選擇性導電通道，且第一外圍部分朝第一隔離結構側壁突出於中央部分。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体组件，包括具有组件区域的半导体基板。隔离结构于封闭路径中横向延伸，以标定组件区域。第一源极/汲极区域及第二源极/汲极区域，位于组件区域中且横向相隔。第一源极/汲极区域的侧壁与隔离结构于第一隔离结构侧壁直接接触。第一源极/汲极区域的其余侧壁与隔离结构分隔。选择性导电信道位于组件区域中，选择性导电信道自第一源极/汲极区域横向延伸至第二源极/汲极区域。半导体组件更包括具有中央部分及第一外围部分的平板。中央部分覆盖选择性导电信道，且第一外围部分朝第一隔离结构侧壁突出于中央部分。

公开(公告)号：TWI315557B

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：TW092103499

申请日：2003-02-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 彭寶慶 ,  林義雄 ,  雷明達 ,  劉埃森 ,  林佳惠 ,  林正忠

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭示一種形成不同閘極間隙壁寬度之方法。首先，提供一基底，其上具有第一、第二、及第三閘極，在第一、第二、及第三閘極之側壁各依序形成第一及第二間隙壁，其中第二間隙壁底部係覆蓋部份之第一間隙壁。接著，在第一閘極上方形成第一遮蔽層並等向性蝕刻未被遮蔽之第一間隙壁，使其同時下陷及底切至第一深度。接著，去除第一遮蔽層後，在第一及第二閘極上方形成第二遮蔽層並等向性蝕刻未被遮蔽之第一間隙壁，使其同時下陷及底切至第二深度。最後，依序去除第二遮蔽層及第二間隙壁，以分別在這些閘極之側壁形成不同寬度之間隙壁。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种形成不同闸极间隙壁宽度之方法。首先，提供一基底，其上具有第一、第二、及第三闸极，在第一、第二、及第三闸极之侧壁各依序形成第一及第二间隙壁，其中第二间隙壁底部系覆盖部份之第一间隙壁。接着，在第一闸极上方形成第一屏蔽层并等向性蚀刻未被屏蔽之第一间隙壁，使其同时下陷及底切至第一深度。接着，去除第一屏蔽层后，在第一及第二闸极上方形成第二屏蔽层并等向性蚀刻未被屏蔽之第一间隙壁，使其同时下陷及底切至第二深度。最后，依序去除第二屏蔽层及第二间隙壁，以分别在这些闸极之侧壁形成不同宽度之间隙壁。

公开(公告)号：TW406438B

公开(公告)日：2000-09-21

申请号：TW087118573

申请日：1998-11-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳遂泓 ,  施教仁 ,  雷明達 ,  李進源

IPC: H01L

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本發明提供一種阻值穩定的複晶矽負載之製造方法，其特徵在於同時植入As以及BF2於複晶矽負載，使複晶矽負載的阻值在溫度變化時不致產生大幅的變化，進而改善靜態隨取記憶體的操作穩定性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种阻值稳定的复晶硅负载之制造方法，其特征在于同时植入As以及BF2于复晶硅负载，使复晶硅负载的阻值在温度变化时不致产生大幅的变化，进而改善静态随取内存的操作稳定性。