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公开(公告)号：TWI643348B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106103361
申请日：2017-01-26
Inventor： 陳奕升 , CHEN, YI-SHENG , 鄭光茗 , THEI, KONG-BENG , 范富傑 , FAN, FU-JIER , 高榮輝 , KAO, JUNG-HUI , 陳奕寰 , CHEN, YI-HUAN , 林國樹 , LIN, KAU-CHU
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW202005082A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108101703
申请日：2019-01-16
Inventor： 鄭光茗 , THEI, KONG-BENG , 周建志 , CHOU, CHIEN-CHIH , 段孝勤 , TUAN, HSIAO-CHIN , 陳奕寰 , CHEN, YI-HUAN , 卡利尼克斯 亞歷山大 , KALNITSKY, ALEXANDER
IPC: H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在一些實施例中，提供一種半導體裝置。該半導體裝置包含設置於一半導體基板中的一對源極/汲極區，其中該等源極/汲極區橫向隔開。一閘極電極經設置於該半導體基板上方該等源極/汲極區之間。側壁間隔件經設置於該半導體基板上方該閘極電極之相對側上。矽化物阻擋結構經設置於該等側壁間隔件上方，其中該等源極/汲極區中面對該閘極電極之各自側與該等側壁間隔件之外側隔開且與該矽化物阻擋結構之外側壁實質上對準。
Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，提供一种半导体设备。该半导体设备包含设置于一半导体基板中的一对源极/汲极区，其中该等源极/汲极区横向隔开。一闸极电极经设置于该半导体基板上方该等源极/汲极区之间。侧壁间隔件经设置于该半导体基板上方该闸极电极之相对侧上。硅化物阻挡结构经设置于该等侧壁间隔件上方，其中该等源极/汲极区中面对该闸极电极之各自侧与该等侧壁间隔件之外侧隔开且与该硅化物阻挡结构之外侧壁实质上对准。
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公开(公告)号：TW201729427A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW106103361
申请日：2017-01-26
Inventor： 陳奕升 , CHEN, YI-SHENG , 鄭光茗 , THEI, KONG-BENG , 范富傑 , FAN, FU-JIER , 高榮輝 , KAO, JUNG-HUI , 陳奕寰 , CHEN, YI-HUAN , 林國樹 , LIN, KAU-CHU
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823475 , H01L23/528
Abstract: 一種半導體裝置，其包括一電晶體。該電晶體包括一主動區，在一基板中；一圖案化導電層，係一互連層的一部份，該互連層係用於路由；以及一絕緣層，延伸在該基板上方且用以將該主動區與該圖案化導電層絕緣。該圖案化導電層以及該絕緣層係作該電晶體的一閘極。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，其包括一晶体管。该晶体管包括一主动区，在一基板中；一图案化导电层，系一互连层的一部份，该互连层系用于路由；以及一绝缘层，延伸在该基板上方且用以将该主动区与该图案化导电层绝缘。该图案化导电层以及该绝缘层系作该晶体管的一闸极。
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公开(公告)号：TW201824383A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106119687
申请日：2017-06-13
Inventor： 陳昭雄 , CHEN, CHAO-HSUING , 范富傑 , FAN, FU-JIER , 陳奕寰 , CHEN, YI-HUAN , 鄭光茗 , THEI, KONG-BENG , 霍克孝 , HUO, KER-HSIAO , 劉思賢 , LIU, SZU-HSIEN
IPC: H01L21/306
Abstract: 本發明實施例係關於一種積體電路(IC)及一種用於製造該積體電路之方法。一多晶矽層形成於一基板之一第一區域上方且具有相對於彼此堆積以界定一第一堆積密度之複數個多晶矽結構。一虛設層形成於該基板之一第二區域上方且具有相對於彼此堆積以界定一第二堆積密度之複數個虛設結構，其中該第一堆積密度及第二堆積密度實質上係類似的。一層間介電層形成於該基板之該第一區域及第二區域上方。在形成該層間介電層之後，通常由該第一堆積密度及第二堆積密度抑制與一化學機械研磨併發之該基板之至少第二區域之碟狀效應。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于一种集成电路(IC)及一种用于制造该集成电路之方法。一多晶硅层形成于一基板之一第一区域上方且具有相对于彼此堆积以界定一第一堆积密度之复数个多晶硅结构。一虚设层形成于该基板之一第二区域上方且具有相对于彼此堆积以界定一第二堆积密度之复数个虚设结构，其中该第一堆积密度及第二堆积密度实质上系类似的。一层间介电层形成于该基板之该第一区域及第二区域上方。在形成该层间介电层之后，通常由该第一堆积密度及第二堆积密度抑制与一化学机械研磨并发之该基板之至少第二区域之碟状效应。
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公开(公告)号：TW201820673A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106120339
申请日：2017-06-19
Inventor： 陳奕寰 , CHEN, YI-HUAN , 范富傑 , FAN, FU-JIER , 鄭光茗 , THEI, KONG-BENG , 霍克孝 , HUO, KER-HSIAO , 葉力瑄 , YEH, LI-HSUAN , 趙堉斌 , ZHAO, YU-BIN
Abstract: 本揭露係關於一種包含一邏輯裝置之有機發光裝置及一種相關聯的製造方法，該邏輯裝置包括一虛設圖案及一合併間隔件。在一些實施例中，該有機發光裝置放置於一基板上方。該邏輯裝置耦合至該有機發光裝置且包括放置於該基板內且藉由一通道區域分離之一對源極/汲極區域。一閘極結構上覆該通道區域且包括一閘極電極及藉由一合併間隔件與該閘極電極分離之一虛設圖案。藉由將該虛設圖案及該合併間隔件配置於該閘極電極與該等源極/汲極區域之間，放大該閘極電極與該源極/汲極區域之間之一距離，且因此減小閘極誘發的汲極洩漏(GIDL)效應。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于一种包含一逻辑设备之有机发光设备及一种相关联的制造方法，该逻辑设备包括一虚设图案及一合并间隔件。在一些实施例中，该有机发光设备放置于一基板上方。该逻辑设备耦合至该有机发光设备且包括放置于该基板内且借由一信道区域分离之一对源极/汲极区域。一闸极结构上覆该信道区域且包括一闸极电极及借由一合并间隔件与该闸极电极分离之一虚设图案。借由将该虚设图案及该合并间隔件配置于该闸极电极与该等源极/汲极区域之间，放大该闸极电极与该源极/汲极区域之间之一距离，且因此减小闸极诱发的汲极泄漏(GIDL)效应。
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公开(公告)号：TW201740530A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105140718
申请日：2016-12-08
Inventor： 朱振樑 , CHU, CHEN-LIANG , 龔達淵 , KUNG, TA-YUAN , 霍克孝 , HUO, KER-HSIAO , 陳奕寰 , CHEN, YI-HUAN
IPC: H01L23/522 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7836 , H01L23/5226 , H01L29/0615 , H01L29/1045 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 係揭示一種半導體結構。該半導體結構包括：一基板，具一第一導電性；一第一區，具該第一導電性且形成在該基板中；一第二區，具該第一導電性且形成在該第一區中，其中該第二區具有高於該第一區的一較高摻雜密度；一源極區，具一第二導電性且形成在該第二區中；一汲極區，具該第二導電性且形成在該基板中；一接觸點區，具該第一導電性且形成在該第二區中並相鄰於該源極區；以及一阻劑保護氧化物(RPO)層，形成在該第二區的一頂部表面上。也揭示一種相關之成形加工方法。
Abstract in simplified Chinese: 系揭示一种半导体结构。该半导体结构包括：一基板，具一第一导电性；一第一区，具该第一导电性且形成在该基板中；一第二区，具该第一导电性且形成在该第一区中，其中该第二区具有高于该第一区的一较高掺杂密度；一源极区，具一第二导电性且形成在该第二区中；一汲极区，具该第二导电性且形成在该基板中；一接触点区，具该第一导电性且形成在该第二区中并相邻于该源极区；以及一阻剂保护氧化物(RPO)层，形成在该第二区的一顶部表面上。也揭示一种相关之成形加工方法。
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