公开(公告)号：TWI604514B

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW101112512

申请日：2012-04-09

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 德光成太 ,  TOKUMITSU, SHIGEO ,  上西明夫 ,  UENISHI, AKIO

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1045 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7836

公开(公告)号：TW201730976A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105137208

申请日：2016-11-15

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳俊慶 ,  WU, CHUN-CHING ,  王柏仁 ,  WANG, PO-JEN

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7823 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/7835

摘要： 一種MOS電晶體，其包含基底、第一區域、第二區域、源極區域、汲極區域、主動閘極堆疊以及虛擬閘極堆疊。所述基底具有第一導電性。具有所述第一導電性的所述第一區域形成於所述基底中。具有第二導電性的所述第二區域形成於所述基底中且與所述第一區域相鄰。具有所述第二導電性的所述源極區域形成於所述第一區域中。具有所述第二導電性的所述汲極區域形成於所述第二區域中。所述主動閘極堆疊設置於所述第一區域上。所述虛擬閘極堆疊設置於所述第二區域上，且所述虛擬閘極堆疊電耦接至可變電壓。

简体摘要： 一种MOS晶体管，其包含基底、第一区域、第二区域、源极区域、汲极区域、主动闸极堆栈以及虚拟闸极堆栈。所述基底具有第一导电性。具有所述第一导电性的所述第一区域形成于所述基底中。具有第二导电性的所述第二区域形成于所述基底中且与所述第一区域相邻。具有所述第二导电性的所述源极区域形成于所述第一区域中。具有所述第二导电性的所述汲极区域形成于所述第二区域中。所述主动闸极堆栈设置于所述第一区域上。所述虚拟闸极堆栈设置于所述第二区域上，且所述虚拟闸极堆栈电耦接至可变电压。

公开(公告)号：TW201724525A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105139977

申请日：2016-12-02

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 吳宏祥 ,  WU, HONG-SHYANG ,  吳國銘 ,  WU, KUO-MING

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/402 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

摘要： 本揭露係提供一種半導體結構。該半導體結構包含：一基板；一閘極結構，形成於該基板上；一源極區與一汲極區，形成於該閘極結構之任一側上的該基板中，該源極區與該汲極區皆具有第一傳導型；以及一介電層，其具有一第一部分與一第二部分，其中該介電層的該第一部分係形成於該閘極結構的一部分上，以及該介電層的該第二部分係形成於該基板上並且延伸至該汲極區的一部分，其中該介電層包含至少一凹部於該第二部分上。本揭露亦提供一相關的製造方法。

简体摘要： 本揭露系提供一种半导体结构。该半导体结构包含：一基板；一闸极结构，形成于该基板上；一源极区与一汲极区，形成于该闸极结构之任一侧上的该基板中，该源极区与该汲极区皆具有第一传导型；以及一介电层，其具有一第一部分与一第二部分，其中该介电层的该第一部分系形成于该闸极结构的一部分上，以及该介电层的该第二部分系形成于该基板上并且延伸至该汲极区的一部分，其中该介电层包含至少一凹部于该第二部分上。本揭露亦提供一相关的制造方法。

公开(公告)号：TWI585946B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW102143346

申请日：2013-11-27

申请人： 英力股份有限公司 ,  ENPIRION, INC.

发明人： 洛特非 亞西瑞夫W ,  LOTFI, ASHRAF W. ,  丹姆斯琪 傑佛瑞 ,  DEMSKI, JEFFREY ,  菲根森 安那托利 ,  FEYGENSON, ANATOLY ,  洛派塔 道格拉斯 狄恩 ,  LOPATA, DOUGLAS DEAN ,  諾頓 傑 ,  NORTON, JAY ,  衛爾德 約翰D ,  WELD, JOHN D.

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/522 ,  H01L23/642 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201719890A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105116247

申请日：2016-05-25

申请人： 愛思開海力士有限公司 ,  SK HYNIX INC.

发明人： 金旲勳 ,  KIM, DAE HOON ,  吳世景 ,  OH, SE KYUNG

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66681 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7835

摘要： 一種高電壓積體裝置包括：具有第一導電性的半導體層；具有第二導電性的源極區和具有第二導電性的漂移區，它們設置在半導體層內，並且通過通道區而彼此間隔開；汲極區，具有第二導電性並且設置在漂移區內；閘極絕緣層，設置在通道區之上；第一場絕緣層和第二場絕緣層，設置在漂移區之上並且在通道區與汲極區之間，其中，第一場絕緣層和第二場絕緣層彼此間隔開；絕緣層，設置在漂移區之上，並且位於第一場絕緣層與第二場絕緣層之間；以及閘極電極，設置在閘極絕緣層、第一場絕緣層、絕緣層以及第二場絕緣層之上，其中，第一場絕緣層與通道區相鄰接，而第二場絕緣層與汲極區相鄰接。

简体摘要： 一种高电压积体设备包括：具有第一导电性的半导体层；具有第二导电性的源极区和具有第二导电性的漂移区，它们设置在半导体层内，并且通过信道区而彼此间隔开；汲极区，具有第二导电性并且设置在漂移区内；闸极绝缘层，设置在信道区之上；第一场绝缘层和第二场绝缘层，设置在漂移区之上并且在信道区与汲极区之间，其中，第一场绝缘层和第二场绝缘层彼此间隔开；绝缘层，设置在漂移区之上，并且位于第一场绝缘层与第二场绝缘层之间；以及闸极电极，设置在闸极绝缘层、第一场绝缘层、绝缘层以及第二场绝缘层之上，其中，第一场绝缘层与信道区相邻接，而第二场绝缘层与汲极区相邻接。

公开(公告)号：TWI557876B

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：TW103126567

申请日：2014-08-04

申请人： 日立製作所股份有限公司 ,  HITACHI, LTD.

发明人： 木村浩樹 ,  KIMURA, HIROKI ,  柳田洋平 ,  YANAGIDA, YOUHEI ,  宮越賢治 ,  MIYAKOSHI, KENJI ,  三好智之 ,  MIYOSHI, TOMOYUKI ,  大島文 ,  OOSHIMA, TAKAYUKI

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

公开(公告)号：TWI544591B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW102143349

申请日：2013-11-27

申请人： 英力股份有限公司 ,  ENPIRION, INC.

发明人： 洛特非 亞西瑞夫W ,  LOTFI, ASHRAF W. ,  丹姆斯琪 傑佛瑞 ,  DEMSKI, JEFFREY ,  菲根森 安那托利 ,  FEYGENSON, ANATOLY ,  洛派塔 道格拉斯 狄恩 ,  LOPATA, DOUGLAS DEAN ,  諾頓 傑 ,  NORTON, JAY ,  衛爾德 約翰D ,  WELD, JOHN D.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/522 ,  H01L23/642 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201535533A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103139774

申请日：2014-11-17

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  林德 尼克 ,  LINDERT, NICK ,  葛雷斯 葛蘭 ,  GLASS, GLENN

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696

摘要： 揭露經由在源極區及汲極區之通道介面之閘極控制層(GCL)之沉積，增加有效電閘極長度(Leff)而增進閘極對電晶體通道之控制的技術。GCL為名義上未摻雜層(或相對於重摻雜S/D填充材料之實質上較低摻雜層)，當使用置換S/D沉積形成電晶體時可予沉積。在空腔形成之後及重摻雜S/D填充材料沉積之前，GCL可選擇性沉積於S/D空腔中。以此方式，GCL以閘極堆疊減少源極及汲極欠疊(Xud)，並進一步分離重摻雜源極區及汲極區。接著，增加有效電閘極長度(Leff)及增進閘極對通道之控制。

简体摘要： 揭露经由在源极区及汲极区之信道界面之闸极控制层(GCL)之沉积，增加有效电闸极长度(Leff)而增进闸极对晶体管信道之控制的技术。GCL为名义上未掺杂层(或相对于重掺杂S/D填充材料之实质上较低掺杂层)，当使用置换S/D沉积形成晶体管时可予沉积。在空腔形成之后及重掺杂S/D填充材料沉积之前，GCL可选择性沉积于S/D空腔中。以此方式，GCL以闸极堆栈减少源极及汲极欠叠(Xud)，并进一步分离重掺杂源极区及汲极区。接着，增加有效电闸极长度(Leff)及增进闸极对信道之控制。

公开(公告)号：TWI500158B

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：TW102129598

申请日：2013-08-19

申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

发明人： 陳建銓 ,  CHEN, CHIEN CHUNG ,  李明東 ,  LEE, MING TUNG ,  黃胤富 ,  HUANG, YIN FU ,  連士進 ,  LIEN, SHIH CHIN ,  吳錫垣 ,  WU, SHYI YUAN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78654

公开(公告)号：TW201519408A

公开(公告)日：2015-05-16

申请号：TW103126567

申请日：2014-08-04

申请人： 日立製作所股份有限公司 ,  HITACHI, LTD.

发明人： 木村浩樹 ,  KIMURA, HIROKI ,  柳田洋平 ,  YANAGIDA, YOUHEI ,  宮越賢治 ,  MIYAKOSHI, KENJI ,  三好智之 ,  MIYOSHI, TOMOYUKI ,  大島隆文 ,  OOSHIMA, TAKAYUKI

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 本發明的課題是在於提升靜電保護元件的ESD耐量。 其解決手段，基本思想的本質是作為靜電保護元件ESD，以能夠與二極體並聯的方式，不是閘流體或npn雙極電晶體，而是以能夠含pnp雙極電晶體的方式構成的點。換言之，基本思想的本質是亦可謂由pnp雙極電晶體所寄生性設置的二極體來構成靜電保護元件ESD的點。

简体摘要： 本发明的课题是在于提升静电保护组件的ESD耐量。 其解决手段，基本思想的本质是作为静电保护组件ESD，以能够与二极管并联的方式，不是晶闸管或npn双极晶体管，而是以能够含pnp双极晶体管的方式构成的点。换言之，基本思想的本质是亦可谓由pnp双极晶体管所寄生性设置的二极管来构成静电保护组件ESD的点。