公开(公告)号：TWI269382B

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：TW094117657

申请日：2005-05-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 曹昌勝 TSAO, CHANG-SHENG ,  高榮輝 KAO, JUNG-HUI ,  陳燕銘 CHEN, YEN MING ,  吳林峻 WU, LIN-JUNE

IPC: H01L

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76243

Abstract: 本發明為提供一種包含一帶有一表面之基底之製造半導體元件中隔離結構的方法。植入複數個離子於該基底表面下方，再對基底進行退火處理，以形成一離子層於該基底表面下方。可形成一隔離結構於該基底，其自基底表面延伸大約0.1至5微米一離子層的深度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明为提供一种包含一带有一表面之基底之制造半导体组件中隔离结构的方法。植入复数个离子于该基底表面下方，再对基底进行退火处理，以形成一离子层于该基底表面下方。可形成一隔离结构于该基底，其自基底表面延伸大约0.1至5微米一离子层的深度。

公开(公告)号：TW200534402A

公开(公告)日：2005-10-16

申请号：TW093140231

申请日：2004-12-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 邱宏裕 CHIU, HUNG-YU ,  楊忠恆 YANG, CHUNG-HENG ,  吳林峻 WU, LIN-JUNE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 一種形成元件的方法(與其所形成之元件)包括下列步驟：首先提供具有閘極結構於其上方的結構，將低摻雜汲極形成於此結構中且至少鄰接於閘極結構，在將袋狀摻雜形成於此結構中，蝕刻鄰接於閘極結構的結構，以形成具有暴露側壁的溝槽，至少在溝槽的暴露側壁上形成第一襯結構，且在第一襯結構上形成第二襯結構，接下來在鄰接第二襯結構且其外部形成源極／汲極摻雜，以形成元件。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成组件的方法(与其所形成之组件)包括下列步骤：首先提供具有闸极结构于其上方的结构，将低掺杂汲极形成于此结构中且至少邻接于闸极结构，在将袋状掺杂形成于此结构中，蚀刻邻接于闸极结构的结构，以形成具有暴露侧壁的沟槽，至少在沟槽的暴露侧壁上形成第一衬结构，且在第一衬结构上形成第二衬结构，接下来在邻接第二衬结构且其外部形成源极／汲极掺杂，以形成组件。