公开(公告)号：TW200539330A

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：TW094116273

申请日：2005-05-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭鈞隆 CHENG, CHUNG-LONG ,  鄭光茗 THEI, KONG-BENG ,  高榮輝 KAO, JUNG-HUI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76224

Abstract: 一種在表面清潔與形成氧化膜的方法，特別適用於矽表面，首先清潔表面再使其暴露在臭氧蒸汽中，以在表面上形成氧化膜，此方式對在STI結構中之溝槽表面上形成前襯氧化膜特別有利。

Abstract in simplified Chinese: 一种在表面清洁与形成氧化膜的方法，特别适用于硅表面，首先清洁表面再使其暴露在臭氧蒸汽中，以在表面上形成氧化膜，此方式对在STI结构中之沟槽表面上形成前衬氧化膜特别有利。

公开(公告)号：TWI269382B

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：TW094117657

申请日：2005-05-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 曹昌勝 TSAO, CHANG-SHENG ,  高榮輝 KAO, JUNG-HUI ,  陳燕銘 CHEN, YEN MING ,  吳林峻 WU, LIN-JUNE

IPC: H01L

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76243

Abstract: 本發明為提供一種包含一帶有一表面之基底之製造半導體元件中隔離結構的方法。植入複數個離子於該基底表面下方，再對基底進行退火處理，以形成一離子層於該基底表面下方。可形成一隔離結構於該基底，其自基底表面延伸大約0.1至5微米一離子層的深度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明为提供一种包含一带有一表面之基底之制造半导体组件中隔离结构的方法。植入复数个离子于该基底表面下方，再对基底进行退火处理，以形成一离子层于该基底表面下方。可形成一隔离结构于该基底，其自基底表面延伸大约0.1至5微米一离子层的深度。