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    具有優選排列方向之奈米雙晶金膜、其製備方法、及包含其之接合結構
    3.
    发明专利
    具有優選排列方向之奈米雙晶金膜、其製備方法、及包含其之接合結構 审中-公开
    具有优选排列方向之奈米双晶金膜、其制备方法、及包含其之接合结构

    公开(公告)号：TW201606144A

    公开(公告)日：2016-02-16

    申请号：TW103127879

    申请日：2014-08-14

    申请人： 國立交通大學 ,  NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY

    发明人： 陳智 ,  CHEN, CHIH ,  邱韋嵐 ,  CHIU, WEI LAN ,  周苡嘉 ,  CHOU, YI CHIA

    IPC分类号： C25D3/48

    CPC分类号： C25D3/48 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C5/02 ,  C25D5/50 ,  C25D21/10

    摘要： 本發明係有關於一種具有優選排列方向之奈米雙晶金膜、其製備方法、及包含其之接合結構。該金膜具有一厚度方向，且於該厚度方向沿著[220]晶軸方向堆疊；其中，該金膜係至少50%以上之體積係由複數個奈米雙晶金所構成，該些奈米雙晶金係彼此相鄰且沿著垂直該厚度之方向排列，並沿著[111]晶軸方向堆疊而成。

    简体摘要： 本发明系有关于一种具有优选排列方向之奈米双晶金膜、其制备方法、及包含其之接合结构。该金膜具有一厚度方向，且于该厚度方向沿着[220]晶轴方向堆栈；其中，该金膜系至少50%以上之体积系由复数个奈米双晶金所构成，该些奈米双晶金系彼此相邻且沿着垂直该厚度之方向排列，并沿着[111]晶轴方向堆栈而成。

    具有奈米雙晶銅之電性連接體、其製備方法、以及包含其之電性連接結構
    4.
    发明专利
    具有奈米雙晶銅之電性連接體、其製備方法、以及包含其之電性連接結構 审中-公开
    具有奈米双晶铜之电性连接体、其制备方法、以及包含其之电性连接结构

    公开(公告)号：TW201415563A

    公开(公告)日：2014-04-16

    申请号：TW101143398

    申请日：2012-11-21

    申请人： 國立交通大學 ,  NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY

    发明人： 陳智 ,  CHEN, CHIH ,  劉道奇 ,  LIU, TAO CHI ,  邱韋嵐 ,  CHIU, WEI LAN

    IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

    CPC分类号： H01L2224/11

    摘要： 本發明係有關於一種具有奈米雙晶銅之電性連接體、其製備方法、以及包含其之電性連接結構。本發明之具有雙晶銅之電性連接結構之製備方法，係包括步驟：(A)提供一第一基板；(B)於該第一基板之部分表面形成一奈米雙晶銅層；(C)將一焊料配置於該奈米雙晶銅層之表面；以及(D)進行回焊以使該焊料與奈米雙晶銅層接合，其中，該焊料至少部分轉換為一介金屬化合物(intermetallic compound,IMC)層，該介金屬化合物層係包括有一Cu3Sn層。本發明技術使得焊料與奈米雙晶銅所反應在介金屬化合物與銲錫界面的孔洞減少，提升接點可靠度。

    简体摘要： 本发明系有关于一种具有奈米双晶铜之电性连接体、其制备方法、以及包含其之电性连接结构。本发明之具有双晶铜之电性连接结构之制备方法，系包括步骤：(A)提供一第一基板；(B)于该第一基板之部分表面形成一奈米双晶铜层；(C)将一焊料配置于该奈米双晶铜层之表面；以及(D)进行回焊以使该焊料与奈米双晶铜层接合，其中，该焊料至少部分转换为一介金属化合物(intermetallic compound,IMC)层，该介金属化合物层系包括有一Cu3Sn层。本发明技术使得焊料与奈米双晶铜所反应在介金属化合物与焊锡界面的孔洞减少，提升接点可靠度。