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    電池容器、薄膜包裝電池以及該等物之製造方法
    2.
    发明专利
    電池容器、薄膜包裝電池以及該等物之製造方法 审中-公开
    电池容器、薄膜包装电池以及该等物之制造方法

    公开(公告)号：TW201907601A

    公开(公告)日：2019-02-16

    申请号：TW107138302

    申请日：2015-04-27

    申请人： 日商藤森工業股份有限公司 ,  FUJIMORI KOGYO CO., LTD.

    发明人： 飯塚宏和 ,  IIZUKA,HIROKAZU ,  金田康宏 ,  KANEDA,YASUHIRO ,  鈴木潤 ,  SUZUKI,JUN

    IPC分类号： H01M2/02 ,  B32B15/04 ,  B32B37/00

    摘要： 本發明提供一種電池容器、薄膜包裝電池以及該等物之製造方法。電池容器具有容器主體，該容器主體由具有金屬箔和熔接層的層疊膜形成，其中，關於該容器主體的周壁，一對相對向的凹狀壁的兩側端面的熔接層熔接於一對相對向的壁面的兩側緣的熔接層而連結起來，該對相對向的凹狀壁以使該層疊膜的熔接層凸向收納部側的方式被拉伸成型，在外表面上形成凹部並被從四方的底部彎折而立起，該對相對向的壁面被從該底部彎折而立起。

    简体摘要： 本发明提供一种电池容器、薄膜包装电池以及该等物之制造方法。电池容器具有容器主体，该容器主体由具有金属箔和熔接层的层叠膜形成，其中，关于该容器主体的周壁，一对相对向的凹状壁的两侧端面的熔接层熔接于一对相对向的壁面的两侧缘的熔接层而链接起来，该对相对向的凹状壁以使该层叠膜的熔接层凸向收纳部侧的方式被拉伸成型，在外表面上形成凹部并被从四方的底部弯折而立起，该对相对向的壁面被从该底部弯折而立起。

    複合片材之製造方法及製造裝置
    6.
    发明专利
    複合片材之製造方法及製造裝置 审中-公开
    复合片材之制造方法及制造设备

    公开(公告)号：TW201827233A

    公开(公告)日：2018-08-01

    申请号：TW106144542

    申请日：2017-12-19

    申请人： 日商花王股份有限公司 ,  KAO CORPORATION

    发明人： 黑目圭介 ,  KURODA, KEISUKE ,  松永竜二 ,  MATSUNAGA, RYUJI ,  森田進之介 ,  MORITA, SHINNOSUKE ,  齊藤数馬 ,  SAITOU, KAZUMA

    IPC分类号： B32B37/00 ,  A61F13/15

    摘要： 本發明之複合片材之製造方法具備如下步驟：一面使於周面部具有相互嚙合之凹凸之第1輥(31)及第2輥(32)旋轉，一面將第1片材(1)導入至嚙合部(33)而使之變形為凹凸形狀；將變形為凹凸形狀之第1片材(1)一面保持於第1輥(31)上一面搬送，且使第2片材(2)重疊於搬送中之第1片材(1)；及將重疊之兩個片材(1、2)夾於第1輥(31)之凸部(35)與超音波熔合機之超音波焊頭(42)之間而施加超音波振動；於超音波處理步驟中之超音波振動之施加時形成具有貫通孔(14)之熔合部(4)。

    简体摘要： 本发明之复合片材之制造方法具备如下步骤：一面使于周面部具有相互啮合之凹凸之第1辊(31)及第2辊(32)旋转，一面将第1片材(1)导入至啮合部(33)而使之变形为凹凸形状；将变形为凹凸形状之第1片材(1)一面保持于第1辊(31)上一面搬送，且使第2片材(2)重叠于搬送中之第1片材(1)；及将重叠之两个片材(1、2)夹于第1辊(31)之凸部(35)与超音波熔合机之超音波焊头(42)之间而施加超音波振动；于超音波处理步骤中之超音波振动之施加时形成具有贯通孔(14)之熔合部(4)。

    半導體裝置之製造方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201823038A

    公开(公告)日：2018-07-01

    申请号：TW106134305

    申请日：2017-10-05

    申请人： 日商迪睿合股份有限公司 ,  DEXERIALS CORPORATION

    发明人： 熊倉博之 ,  KUMAKURA, HIROYUKI

    IPC分类号： B32B37/00 ,  C09D163/10 ,  C09D4/02 ,  C09D7/12 ,  B41J2/01 ,  H01L21/52 ,  H01L23/52 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

    摘要： 本發明提供一種可提高半導體裝置之可靠性之半導體裝置之製造方法。 本發明之半導體裝置之製造方法包括如下步驟：(A)將具有光硬化性及熱硬化性且具有25℃下之黏度為5 mPa・s以上且30 mPa・s以下之範圍之液黏度的硬化性樹脂組合物自噴墨式噴嘴噴出至上述配線基板或第2半導體晶片之電極形成面，形成硬化性樹脂組合物層；(B)對上述硬化性樹脂組合物層照射光，形成具有10 Pa・s以上且2000 Pa・s以下之膜黏度之經B階段化之半硬化樹脂層；(C)於上述半硬化樹脂層上按壓上述第1半導體晶片之電極形成面而將上述第1半導體晶片與上述配線基板或第2半導體晶片積層；及(D)對上述半硬化樹脂層進行加熱處理而形成樹脂硬化物層。

    简体摘要： 本发明提供一种可提高半导体设备之可靠性之半导体设备之制造方法。 本发明之半导体设备之制造方法包括如下步骤：(A)将具有光硬化性及热硬化性且具有25℃下之黏度为5 mPa・s以上且30 mPa・s以下之范围之液黏度的硬化性树脂组合物自喷墨式喷嘴喷出至上述配线基板或第2半导体芯片之电极形成面，形成硬化性树脂组合物层；(B)对上述硬化性树脂组合物层照射光，形成具有10 Pa・s以上且2000 Pa・s以下之膜黏度之经B阶段化之半硬化树脂层；(C)于上述半硬化树脂层上按压上述第1半导体芯片之电极形成面而将上述第1半导体芯片与上述配线基板或第2半导体芯片积层；及(D)对上述半硬化树脂层进行加热处理而形成树脂硬化物层。