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    拋光裝置及拋光工具
    1.
    发明专利
    拋光裝置及拋光工具 审中-公开
    抛光设备及抛光工具

    公开(公告)号：TW201714213A

    公开(公告)日：2017-04-16

    申请号：TW105143919

    申请日：2010-12-15

    申请人： 國立大學法人大阪大學 ,  OSAKA UNIVERSITY ,  荏原製作所股份有限公司 ,  EBARA CORPORATION

    发明人： 佐野泰久 ,  SANO, YASUHISA ,  山內和人 ,  YAMAUCHI, KAZUTO ,  村田順二 ,  MURATA, JUNJI ,  岡本武志 ,  OKAMOTO, TAKESHI ,  定國峻 ,  SADAKUNI, SHUN ,  八木圭太 ,  YAGI, KEITA

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/04

    CPC分类号： H01L21/32125 ,  B24B37/0053 ,  B24B37/042 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B49/12 ,  H01L21/02024

    摘要： 本發明係揭露一種拋光方法及拋光裝置，特別適用於將含有例如鎵等之元素之複合半導體之基板之表面拋光至所需程度的平坦度，使得含有鎵之元素之複合半導體之基板之表面能在實際製程時間內被平坦化而具有高表面精度。於例如弱酸水、在其中溶解有空氣之水或電解離子水之水(232)存在下，在將含有鎵、鋁及銦中之一者之複合半導體製成之基板(142)之表面與拋光墊(242)之表面保持彼此接觸的同時相對地移動基板(142)之表面及在與基板(142)保持接觸之表面之區中具有電性導電構件(264)之拋光墊(242)之表面，藉此拋光基板(142)之表面。

    简体摘要： 本发明系揭露一种抛光方法及抛光设备，特别适用于将含有例如镓等之元素之复合半导体之基板之表面抛光至所需程度的平坦度，使得含有镓之元素之复合半导体之基板之表面能在实际制程时间内被平坦化而具有高表面精度。于例如弱酸水、在其中溶解有空气之水或电解离子水之水(232)存在下，在将含有镓、铝及铟中之一者之复合半导体制成之基板(142)之表面与抛光垫(242)之表面保持彼此接触的同时相对地移动基板(142)之表面及在与基板(142)保持接触之表面之区中具有电性导电构件(264)之抛光垫(242)之表面，借此抛光基板(142)之表面。

    拋光裝置及拋光工具
    3.
    发明专利
    拋光裝置及拋光工具 审中-公开
    抛光设备及抛光工具

    公开(公告)号：TW201639022A

    公开(公告)日：2016-11-01

    申请号：TW105122183

    申请日：2010-12-15

    申请人： 國立大學法人大阪大學 ,  OSAKA UNIVERSITY ,  荏原製作所股份有限公司 ,  EBARA CORPORATION

    发明人： 佐野泰久 ,  SANO, YASUHISA ,  山內和人 ,  YAMAUCHI, KAZUTO ,  村田順二 ,  MURATA, JUNJI ,  岡本武志 ,  OKAMOTO, TAKESHI ,  定國峻 ,  SADAKUNI, SHUN ,  八木圭太 ,  YAGI, KEITA

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/04

    CPC分类号： H01L21/32125 ,  B24B37/0053 ,  B24B37/042 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B49/12 ,  H01L21/02024

    摘要： 本發明係揭露一種拋光方法及拋光裝置，特別適用於將含有例如鎵等之元素之複合半導體之基板之表面拋光至所需程度的平坦度，使得含有鎵之元素之複合半導體之基板之表面能在實際製程時間內被平坦化而具有高表面精度。於例如弱酸水、在其中溶解有空氣之水或電解離子水之水(232)存在下，在將含有鎵、鋁及銦中之一者之複合半導體製成之基板(142)之表面與拋光墊(242)之表面保持彼此接觸的同時相對地移動基板(142)之表面及在與基板(142)保持接觸之表面之區中具有電性導電構件(264)之拋光墊(242)之表面，藉此拋光基板(142)之表面。

    简体摘要： 本发明系揭露一种抛光方法及抛光设备，特别适用于将含有例如镓等之元素之复合半导体之基板之表面抛光至所需程度的平坦度，使得含有镓之元素之复合半导体之基板之表面能在实际制程时间内被平坦化而具有高表面精度。于例如弱酸水、在其中溶解有空气之水或电解离子水之水(232)存在下，在将含有镓、铝及铟中之一者之复合半导体制成之基板(142)之表面与抛光垫(242)之表面保持彼此接触的同时相对地移动基板(142)之表面及在与基板(142)保持接触之表面之区中具有电性导电构件(264)之抛光垫(242)之表面，借此抛光基板(142)之表面。

    拋光方法、拋光裝置及拋光工具 POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS AND POLISHING TOOL
    6.
    发明专利
    拋光方法、拋光裝置及拋光工具 POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS AND POLISHING TOOL 审中-公开
    抛光方法、抛光设备及抛光工具 POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS AND POLISHING TOOL

    公开(公告)号：TW201135821A

    公开(公告)日：2011-10-16

    申请号：TW099143912

    申请日：2010-12-15

    申请人： 國立大學法人大阪大學 ,  荏原製作所股份有限公司

    发明人： 佐野泰久 ,  山內和人 ,  村田順二 ,  岡本武志 ,  定國峻 ,  八木圭太

    IPC分类号： H01L ,  B24B

    CPC分类号： H01L21/32125 ,  B24B37/0053 ,  B24B37/042 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B49/12 ,  H01L21/02024

    摘要： 本發明係揭露一種拋光方法及拋光裝置,特別適用於將含有例如鎵等之元素之複合半導體之基板之表面拋光至所需程度的平坦度,使得含有鎵之元素之複合半導體之基板之表面能在實際製程時間內被平坦化而具有高表面精度。於例如弱酸水、在其中溶解有空氣之水或電解離子水之水(232)存在下,在將含有鎵、鋁及銦中之一者之複合半導體製成之基板(142)之表面與拋光墊(242)之表面保持彼此接觸的同時相對地移動基板(142)之表面及在與基板(142)保持接觸之表面之區中具有電性導電構件(264)之拋光墊(242)之表面,藉此拋光基板(142)之表面。

    简体摘要： 本发明系揭露一种抛光方法及抛光设备,特别适用于将含有例如镓等之元素之复合半导体之基板之表面抛光至所需程度的平坦度,使得含有镓之元素之复合半导体之基板之表面能在实际制程时间内被平坦化而具有高表面精度。于例如弱酸水、在其中溶解有空气之水或电解离子水之水(232)存在下,在将含有镓、铝及铟中之一者之复合半导体制成之基板(142)之表面与抛光垫(242)之表面保持彼此接触的同时相对地移动基板(142)之表面及在与基板(142)保持接触之表面之区中具有电性导电构件(264)之抛光垫(242)之表面,借此抛光基板(142)之表面。

    固體氧化物之加工方法及其裝置
    7.
    发明专利
    固體氧化物之加工方法及其裝置 审中-公开
    固体氧化物之加工方法及其设备

    公开(公告)号：TW201338032A

    公开(公告)日：2013-09-16

    申请号：TW101145975

    申请日：2012-12-06

    申请人： 國立大學法人大阪大學 ,  OSAKA UNIVERSITY

    发明人： 山內和人 ,  YAMAUCHI, KAZUTO

    IPC分类号： H01L21/306 ,  B23H3/00

    CPC分类号： C25F3/16 ,  B24B37/046 ,  C30B29/16

    摘要： [課題]本發明之課題在於提供以稀土元素為首，不使用一切研磨劑或磨粒，此外氫氟酸等的操作極為不易，不使用一切環境負擔很大的溶液，可以不引入加工變質層而加工光學玻璃材料等固體氧化物的固體氧化物之加工方法及裝置。[解決手段]在水(1)的存在下，把透過氧結合1種或2種以上的元素之固體氧化物作為被加工物，水分子解離切斷構成固體氧化物的氧元素與其他元素之回饋鍵結(back-bonding)而吸附，把有助於根據加水分解導致的分解產物的生成之觸媒物質作為加工基準面(3)使用，在水的存在下，使被加工物面(5)與加工基準面接觸或者極接近而配置，使加工基準面的電位為不產生H2及O2的範圍，使被加工物與加工基準面相對運動而使分解產物由被加工物表面除去。

    简体摘要： [课题]本发明之课题在于提供以稀土元素为首，不使用一切研磨剂或磨粒，此外氢氟酸等的操作极为不易，不使用一切环境负担很大的溶液，可以不引入加工变质层而加工光学玻璃材料等固体氧化物的固体氧化物之加工方法及设备。[解决手段]在水(1)的存在下，把透过氧结合1种或2种以上的元素之固体氧化物作为被加工物，水分子解离切断构成固体氧化物的氧元素与其他元素之回馈键结(back-bonding)而吸附，把有助于根据加水分解导致的分解产物的生成之触媒物质作为加工基准面(3)使用，在水的存在下，使被加工物面(5)与加工基准面接触或者极接近而配置，使加工基准面的电位为不产生H2及O2的范围，使被加工物与加工基准面相对运动而使分解产物由被加工物表面除去。