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1.

发明专利
含日本腦炎疫苗之微針陣列审中-公开
简体标题：含日本脑炎疫苗之微针数组

公开(公告)号：TW202003029A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108117831

申请日：2019-05-23

申请人： 日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION , 一般財團法人阪大微生物病硏究會 , THE RESEARCH FOUNDATION FOR MICROBIAL DISEASES OF OSAKA UNIVERSITY

发明人： 島田俊雄 , SHIMADA, TOSHIO , 森久容 , MORI, HISAHIRO , 草野隆之 , KUSANO, TAKAYUKI

IPC分类号： A61K39/12 , A61K47/26 , A61K47/36 , A61K47/14 , A61K47/30 , A61K47/44 , A61M37/00

摘要： 本發明之課題係提供一種含日本腦炎疫苗之微針陣列，其可抑制於微針陣列之製造之際，日本腦炎疫苗的活性降低。依據本發明，提供一種微針陣列，其係具有薄片部及存在於薄片部上表面的複數之針部的微針陣列，針部含有電中性的水溶性高分子及雙醣類中之至少一種、日本腦炎疫苗、及電中性的界面活性劑，薄片部含有電中性的水溶性高分子及雙醣類中之至少一種。

简体摘要： 本发明之课题系提供一种含日本脑炎疫苗之微针数组，其可抑制于微针数组之制造之际，日本脑炎疫苗的活性降低。依据本发明，提供一种微针数组，其系具有薄片部及存在于薄片部上表面的复数之针部的微针数组，针部含有电中性的水溶性高分子及双糖类中之至少一种、日本脑炎疫苗、及电中性的界面活性剂，薄片部含有电中性的水溶性高分子及双糖类中之至少一种。

2.

发明专利
高分子化合物及其製造方法、包含該化合物之有機半導體材料以及包含該化合物之有機太陽能電池审中-公开
简体标题：高分子化合物及其制造方法、包含该化合物之有机半导体材料以及包含该化合物之有机太阳能电池

公开(公告)号：TW201920345A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW107128967

申请日：2018-08-20

申请人： 國立大學法人廣島大學 , HIROSHIMA UNIVERSITY , 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY , 日商石原產業股份有限公司 , ISHIHARA SANGYO KAISHA, LTD.

发明人： 尾坂格 , OSAKA, ITARU , 斎藤慎彦 , SAITO, MASAHIKO , 安蘇芳雄 , ASO, YOSHIO , 家裕 , IE, YUTAKA , 森山太一 , MORIYAMA, TAICHI

IPC分类号： C08G61/12 , H01L51/46

摘要： 本發明係提供一種作為p型有機半導體材料，具有更為優異之特性，尤其是作為太陽能電池使用時可有助於良好之短路電流密度或光電轉換效率的達成之高分子化合物。　　下述一般式(I)表示之高分子化合物。(一般式(I)中，R1、R2、R3及R4分別獨立為氫原子、氟原子或碳原子數1～60之脂肪族烴基；n為2以上之整數)。

简体摘要： 本发明系提供一种作为p型有机半导体材料，具有更为优异之特性，尤其是作为太阳能电池使用时可有助于良好之短路电流密度或光电转换效率的达成之高分子化合物。　　下述一般式(I)表示之高分子化合物。(一般式(I)中，R1、R2、R3及R4分别独立为氢原子、氟原子或碳原子数1～60之脂肪族烃基；n为2以上之整数)。

3.

发明专利
組成物及製造器件之方法有权
简体标题：组成物及制造器件之方法

公开(公告)号：TWI642654B

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW103121689

申请日：2014-06-24

申请人： 東洋合成工業股份有限公司 , TOYO GOSEI CO., LTD. , 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY

发明人： 榎本智至 , ENOMOTO, SATOSHI

IPC分类号： C07C43/23 , C07C35/38 , C07C39/12 , C07D219/06 , C07D311/86 , C07D335/16 , C07C49/782 , C07C33/24 , C07D309/12 , G03F7/028 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027

4.

发明专利
導電性組合物审中-公开
简体标题：导电性组合物

公开(公告)号：TW201802828A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106120126

申请日：2017-06-16

申请人： 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY , 施敏打硬股份有限公司 , CEMEDINE CO., LTD.

发明人： 荒木徹平 , ARAKI, TEPPEI , 関谷毅 , SEKITANI, TSUYOSHI , 菅沼克昭 , SUGANUMA, KATSUAKI , 古賀大尚 , KOGA, HIROTAKA , 吳天旭 , WU, TIANXU , 岡部祐輔 , OKABE, YUSUKE , 秋元雅人 , AKIMOTO, MASATO

IPC分类号： H01B5/12 , D01F1/09 , B82B3/00 , C01G5/00

CPC分类号： C08K7/06 , C08L21/00 , H01B1/00 , H01B1/14 , H01B5/14 , H01B5/16

摘要： 本發明提供一種具有較高之伸縮性，且對反覆伸縮之耐久性較高之導電性組合物與使用其之導電電路及元件安裝方法。本發明之導電性組合物含有：(A)於1 Hz下之動態黏彈性測定中23℃下之儲存彈性模數落於0.1 MPa至100 MPa之範圍內之彈性體成分、(B)縱橫比為20以上且10,000以下之銀奈米線、及(C)50%平均粒徑為0.1 μm以上之導電性材料。

简体摘要： 本发明提供一种具有较高之伸缩性，且对反复伸缩之耐久性较高之导电性组合物与使用其之导电电路及组件安装方法。本发明之导电性组合物含有：(A)于1 Hz下之动态黏弹性测定中23℃下之存储弹性模数落于0.1 MPa至100 MPa之范围内之弹性体成分、(B)纵横比为20以上且10,000以下之银奈米线、及(C)50%平均粒径为0.1 μm以上之导电性材料。

5.

发明专利
形成金屬奈米線層之基材及其製造方法审中-公开
简体标题：形成金属奈米线层之基材及其制造方法

公开(公告)号：TW201801901A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106108759

申请日：2017-03-16

申请人： 昭和電工股份有限公司 , SHOWA DENKO K. K. , 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY

发明人： 荒木徹平 , ARAKI, TEPPEI , 関谷毅 , SEKITANI, TSUYOSHI , 菅沼克昭 , SUGANUMA, KATSUAKI , 酒金婷 , JIU, JINTING , 大籏英樹 , OHATA, HIDEKI , 內田博 , UCHIDA, HIROSHI , 原真尚 , HARA, MASANAO , 中澤恵理 , NAKAZAWA, ERI

IPC分类号： B32B5/16 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B27/12 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C18/20 , C23C18/31 , H01B5/14 , H01B13/00

CPC分类号： B32B5/16 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B27/12 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01B5/14 , H01B13/00

摘要： 本發明係一種形成金屬奈米線層之基材及其製造方法，其課題為提供：對於移位或硫化‧氧化等具有高耐久性之同時，具有高機械性強度的形成金屬奈米線層之基材，及其製造方法。解決手段為將金屬奈米線層形成於基材上，經由賦予外部能量而金屬奈米線之一部分則為埋入於具有可撓性的基材之狀態，加以電鍍所露出之金屬奈米線之一部分或全部之形成金屬奈米線層之基材。

简体摘要： 本发明系一种形成金属奈米线层之基材及其制造方法，其课题为提供：对于移位或硫化‧氧化等具有高耐久性之同时，具有高机械性强度的形成金属奈米线层之基材，及其制造方法。解决手段为将金属奈米线层形成于基材上，经由赋予外部能量而金属奈米线之一部分则为埋入于具有可挠性的基材之状态，加以电镀所露出之金属奈米线之一部分或全部之形成金属奈米线层之基材。

6.

发明专利
自行車用發電機有权
简体标题：自行车用发电机

公开(公告)号：TWI583587B

公开(公告)日：2017-05-21

申请号：TW103140977

申请日：2014-11-26

申请人： 島野股份有限公司 , SHIMANO INC. , 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY

发明人： 藤原岳志 , FUJIWARA, TAKESHI , 神部拓郎 , JINBU, TAKURO , 平田勝弘 , HIRATA, KATSUHIRO , 新口昇 , NIGUCHI, NOBORU , 宇賀治元 , UKAJI, HAJIME , 鴛海翼 , OSHIUMI, TSUBASA , 大野勇輝 , OHNO, YUKI , 森元瑛樹 , MORIMOTO, EIKI

IPC分类号： B62J6/12 , H02K1/27 , H02K21/22

CPC分类号： B62J6/12 , H02K16/02 , H02K21/22

7.

发明专利
化學增幅型抗蝕劑材料审中-公开
简体标题：化学增幅型抗蚀剂材料

公开(公告)号：TW201716859A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105126480

申请日：2016-08-19

申请人： 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 中川恭志 , NAKAGAWA, HISASHI , 成岡岳彦 , NARUOKA, TAKEHIKO , 永井智樹 , NAGAI, TOMOKI , 田川精一 , TAGAWA, SEIICHI , 大島明博 , OSHIMA, AKIHIRO , 永原誠司 , NAGAHARA, SEIJI

IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027

CPC分类号： G03F7/203 , C07C303/32 , C07C309/07 , C07C381/12 , C07D409/14 , C08F220/14 , C08F220/22 , C08F220/26 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2002 , G03F7/2022 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/0274

摘要： 本發明提供一種於利用EUV光等電離放射線等的圖案形成技術的實用化方面有用的化學增幅型抗蝕劑材料。本發明的化學增幅型抗蝕劑材料是用於包括以下步驟的製程中：圖案曝光步驟，對抗蝕劑材料膜的既定部位照射作為電離放射線或非電離放射線的第一放射線；總括曝光步驟，對所述抗蝕劑材料膜照射作為非電離放射線的第二放射線；烘烤步驟，將所述抗蝕劑材料膜加熱；及顯影步驟，形成抗蝕劑圖案；並且所述化學增幅型抗蝕劑材料含有（1）藉由酸的作用而於顯影液中成為可溶或不溶的基質成分、以及（2）藉由曝光而產生感放射線性增感體及酸的成分，所述（2）成分含有（a）成分、（a）成分～（c）成分中的任意兩種成分、或（a）成分～（c）成分全部，由所述（2）成分所產生的酸的凡德瓦體積為3.0×10-28m3以上。

简体摘要： 本发明提供一种于利用EUV光等电离放射线等的图案形成技术的实用化方面有用的化学增幅型抗蚀剂材料。本发明的化学增幅型抗蚀剂材料是用于包括以下步骤的制程中：图案曝光步骤，对抗蚀剂材料膜的既定部位照射作为电离放射线或非电离放射线的第一放射线；总括曝光步骤，对所述抗蚀剂材料膜照射作为非电离放射线的第二放射线；烘烤步骤，将所述抗蚀剂材料膜加热；及显影步骤，形成抗蚀剂图案；并且所述化学增幅型抗蚀剂材料含有（1）借由酸的作用而于显影液中成为可溶或不溶的基质成分、以及（2）借由曝光而产生感放射线性增感体及酸的成分，所述（2）成分含有（a）成分、（a）成分～（c）成分中的任意两种成分、或（a）成分～（c）成分全部，由所述（2）成分所产生的酸的凡德瓦体积为3.0×10-28m3以上。