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公开(公告)号:TWI368665B
公开(公告)日:2012-07-21
申请号:TW093131142
申请日:2004-10-14
申请人: 應用材料股份有限公司
发明人: 度明奇 魯保門司基 , 阿朗庫碼 單目革善德然 , 易安A 潘誠 , 瑟爾基 羅伯丁
CPC分类号: H01L21/76838 , C23C18/1601 , C23C18/1619 , C23C18/1628 , C23C18/1678 , C23C18/1682 , C23C18/1872 , C23C18/28 , H01L21/288 , Y10S134/902
摘要: 本發明係主要提供一流體製程平臺。該平臺具有一主基座,該主基座具有一基板輸送自動控制裝置、位於該主基座上的至少一基板清洗室、以及至少一製程區。製程區包括氣體供應器,設置成與該製程區之內部流體連通;第一流體製程室,設置於該製程區內;第一基板頭組件,設置以支撐一基板於第一流體製程室中處理;第二流體製程室,設置於該製程區內;第二頭組件,設置以支撐一基板於第二流體製程室中處理;以及一基板輸送單元,位於第一與第二流體製程室之間,並且可將基板運送於流體製程室與主基座的自動控制裝置之間。
简体摘要: 本发明系主要提供一流体制程平台。该平台具有一主基座,该主基座具有一基板输送自动控制设备、位于该主基座上的至少一基板清洗室、以及至少一制程区。制程区包括气体供应器,设置成与该制程区之内部流体连通;第一流体制程室,设置于该制程区内;第一基板头组件,设置以支撑一基板于第一流体制程室中处理;第二流体制程室,设置于该制程区内;第二头组件,设置以支撑一基板于第二流体制程室中处理;以及一基板输送单元,位于第一与第二流体制程室之间,并且可将基板运送于流体制程室与主基座的自动控制设备之间。
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2.具有一輔助電極之不可溶陽極 INSOLUBLE ANODE WITH AN AUXILIARY ELECTRODE 有权
简体标题: 具有一辅助电极之不可溶阳极 INSOLUBLE ANODE WITH AN AUXILIARY ELECTRODE公开(公告)号:TWI352133B
公开(公告)日:2011-11-11
申请号:TW093128333
申请日:2004-09-17
申请人: 應用材料股份有限公司
发明人: 尼可列Y 蔻爾法司基 , 度明奇 魯保門司基 , 依弗京尼 羅賓歐維奇
IPC分类号: C25D
摘要: 本發明係有關於一種電鍍一金屬至一基板之方法及裝置。此裝置包括一液體槽以容納一電鍍溶液;一陽極液體空間位於此液體槽之下方部分;一陰極液體空間位於此液體槽之上方部分;一離子薄膜以隔離此陽極液體空間與陰極液體空間;一電鍍電極置於此陽極液體空間之中央;以及一反電鍍電極其位置鄰近於陽極液體空間中之電鍍電極。
简体摘要: 本发明系有关于一种电镀一金属至一基板之方法及设备。此设备包括一液体槽以容纳一电镀溶液;一阳极液体空间位于此液体槽之下方部分;一阴极液体空间位于此液体槽之上方部分;一离子薄膜以隔离此阳极液体空间与阴极液体空间;一电镀电极置于此阳极液体空间之中央;以及一反电镀电极其位置邻近于阳极液体空间中之电镀电极。
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3.用以處理半導體基板之無電電鍍沉積系統及電鍍室 ELECTROLESS DEPOSITION SYSTEM AND PLATING CELL FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES 失效
简体标题: 用以处理半导体基板之无电电镀沉积系统及电镀室 ELECTROLESS DEPOSITION SYSTEM AND PLATING CELL FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES公开(公告)号:TWI345806B
公开(公告)日:2011-07-21
申请号:TW095102179
申请日:2006-01-20
申请人: 應用材料股份有限公司
CPC分类号: H01L21/67155 , C23C18/1628 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/6723
摘要: 本發明提供一種無電電鍍沉積系統。此系統包括一製程主要平台、至少一置於主要平台上的基板清洗站、以及一置於主要平台上的無電電鍍沉積站。無電電鍍沉積站包括一環控製程封閉區、一用來清洗與活化一基板表面之第一處理站、一用來無電電鍍沉積一沉積層於基板表面之第二處理站、以及一基板傳輸梭,使基板於第一與第二處理站間移動。此系統亦包括一置於主要平台上的基板傳送機械臂,用以進入製程封閉區內部。此系統更包括一流體引入系統,藉由分配過程將一處理流體輸送到製程封閉區內之基板。
简体摘要: 本发明提供一种无电电镀沉积系统。此系统包括一制程主要平台、至少一置于主要平台上的基板清洗站、以及一置于主要平台上的无电电镀沉积站。无电电镀沉积站包括一环控制程封闭区、一用来清洗与活化一基板表面之第一处理站、一用来无电电镀沉积一沉积层于基板表面之第二处理站、以及一基板传输梭,使基板于第一与第二处理站间移动。此系统亦包括一置于主要平台上的基板发送机械臂,用以进入制程封闭区内部。此系统更包括一流体引入系统,借由分配过程将一处理流体输送到制程封闭区内之基板。
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