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    無電沉積裝置 APPARATUS FOR ELECTROLESS DEPOSITION
    6.
    发明专利
    無電沉積裝置 APPARATUS FOR ELECTROLESS DEPOSITION 失效
    无电沉积设备 APPARATUS FOR ELECTROLESS DEPOSITION

    公开(公告)号：TWI368665B

    公开(公告)日：2012-07-21

    申请号：TW093131142

    申请日：2004-10-14

    申请人： 應用材料股份有限公司

    发明人： 度明奇 魯保門司基 ,  阿朗庫碼 單目革善德然 ,  易安A 潘誠 ,  瑟爾基 羅伯丁

    IPC分类号： C23C ,  H01L

    CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/1872 ,  C23C18/28 ,  H01L21/288 ,  Y10S134/902

    摘要： 本發明係主要提供一流體製程平臺。該平臺具有一主基座，該主基座具有一基板輸送自動控制裝置、位於該主基座上的至少一基板清洗室、以及至少一製程區。製程區包括氣體供應器，設置成與該製程區之內部流體連通；第一流體製程室，設置於該製程區內；第一基板頭組件，設置以支撐一基板於第一流體製程室中處理；第二流體製程室，設置於該製程區內；第二頭組件，設置以支撐一基板於第二流體製程室中處理；以及一基板輸送單元，位於第一與第二流體製程室之間，並且可將基板運送於流體製程室與主基座的自動控制裝置之間。

    简体摘要： 本发明系主要提供一流体制程平台。该平台具有一主基座，该主基座具有一基板输送自动控制设备、位于该主基座上的至少一基板清洗室、以及至少一制程区。制程区包括气体供应器，设置成与该制程区之内部流体连通；第一流体制程室，设置于该制程区内；第一基板头组件，设置以支撑一基板于第一流体制程室中处理；第二流体制程室，设置于该制程区内；第二头组件，设置以支撑一基板于第二流体制程室中处理；以及一基板输送单元，位于第一与第二流体制程室之间，并且可将基板运送于流体制程室与主基座的自动控制设备之间。

    利用超臨界溶劑在半導體基板上形成金屬膜的組成物及方法 COMPOSITION AND METHODS FOR FORMING METAL FILMS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING SUPERCRITICAL SOLVENTS
    7.
    发明专利
    利用超臨界溶劑在半導體基板上形成金屬膜的組成物及方法 COMPOSITION AND METHODS FOR FORMING METAL FILMS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING SUPERCRITICAL SOLVENTS 审中-公开
    利用超临界溶剂在半导体基板上形成金属膜的组成物及方法 COMPOSITION AND METHODS FOR FORMING METAL FILMS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING SUPERCRITICAL SOLVENTS

    公开(公告)号：TW200848529A

    公开(公告)日：2008-12-16

    申请号：TW097103487

    申请日：2008-01-30

    申请人： 蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 馬克 伊恩 華格納 WAGNER, MARK IAN

    IPC分类号： C23C ,  H01L

    CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1685 ,  C23C18/31

    摘要： 一種用以在半導體基板上形成金屬膜的組成物及方法。所揭示方法之一包含:加熱該半導體基板以獲得一經加熱的半導體基板;暴露該經加熱的半導體基板至包含至少一金屬前驅物的一組成物,該金屬前驅物包含至少一配位子、一過量的中性不穩定配位子、一超臨界溶劑、以及可選擇地B、C、N、Si、P與其混合物其中至少一者的來源;在該經加熱的半導體基板處或接近該經加熱的半導體基板處,暴露該組成物至一還原劑及/或熱能;分離該至少一配位子與該金屬前驅物;及形成該金屬膜,但令金屬氧化物的形成極小化。

    简体摘要： 一种用以在半导体基板上形成金属膜的组成物及方法。所揭示方法之一包含:加热该半导体基板以获得一经加热的半导体基板;暴露该经加热的半导体基板至包含至少一金属前驱物的一组成物,该金属前驱物包含至少一配位子、一过量的中性不稳定配位子、一超临界溶剂、以及可选择地B、C、N、Si、P与其混合物其中至少一者的来源;在该经加热的半导体基板处或接近该经加热的半导体基板处,暴露该组成物至一还原剂及/或热能;分离该至少一配位子与该金属前驱物;及形成该金属膜,但令金属氧化物的形成极小化。

    鍍層處理裝置、鍍層處理方法及記憶媒體
    9.
    发明专利
    鍍層處理裝置、鍍層處理方法及記憶媒體 审中-公开
    镀层处理设备、镀层处理方法及记忆媒体

    公开(公告)号：TW201339363A

    公开(公告)日：2013-10-01

    申请号：TW101144292

    申请日：2012-11-27

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 稲富裕一郎 ,  INATOMI, YUICHIRO ,  田中崇 ,  TANAKA, TAKASHI ,  岩下光秋 ,  IWASHITA, MITSUAKI

    IPC分类号： C23C18/31

    CPC分类号： C23C18/1678 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/42 ,  C23C18/54

    摘要： 本發明之課題在於提供可以有效率地加熱基板，同時防止在排出的鍍層液混入溫度調節水等，可以使鍍層液容易地再利用之鍍層處理裝置。本發明之解決手段之鍍層處理裝置(20)，具備保持基板(W)的基板保持機構(110)，朝向被保持於基板保持機構(110)的基板(W)吐出鍍層液(35)的吐出機構(21)，以及被連接於吐出機構(21)，對吐出機構(21)供給鍍層液(35)的鍍層液供給機構(30)。氣體供給機構(170)，加熱比熱容量比空氣還高的加熱用氣體(G)而朝向被保持於基板保持機構(110)的基板(W)供給。至少吐出機構(21)、鍍層液供給機構(30)及氣體供給機構(170)係藉由控制機構(160)控制。

    简体摘要： 本发明之课题在于提供可以有效率地加热基板，同时防止在排出的镀层液混入温度调节水等，可以使镀层液容易地再利用之镀层处理设备。本发明之解决手段之镀层处理设备(20)，具备保持基板(W)的基板保持机构(110)，朝向被保持于基板保持机构(110)的基板(W)吐出镀层液(35)的吐出机构(21)，以及被连接于吐出机构(21)，对吐出机构(21)供给镀层液(35)的镀层液供给机构(30)。气体供给机构(170)，加热比热容量比空气还高的加热用气体(G)而朝向被保持于基板保持机构(110)的基板(W)供给。至少吐出机构(21)、镀层液供给机构(30)及气体供给机构(170)系借由控制机构(160)控制。

    無電電鍍方法及設備 ELECTROLESS PLATING METHOD AND APPARATUS
    10.
    发明专利
    無電電鍍方法及設備 ELECTROLESS PLATING METHOD AND APPARATUS 审中-公开
    无电电镀方法及设备 ELECTROLESS PLATING METHOD AND APPARATUS

    公开(公告)号：TW200831703A

    公开(公告)日：2008-08-01

    申请号：TW096136256

    申请日：2007-09-28

    申请人： 蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 威廉 尤 THIE, WILLIAM ,  約翰M 柏依 BOYD, JOHN M. ,  葉斯帝 多迪 DORDI, YEZDI ,  佛禮茲C 瑞德克 REDEKER, FRITZ C.

    IPC分类号： C23C ,  C25D

    CPC分类号： C23C18/1617 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1678 ,  H01L21/67092

    摘要： 本發明提供一種無電電鍍系統。該系統包含:一第一真空吸盤,用以支撐一第一晶圓;以及一第二真空吸盤,用以支撐一第二晶圓,以使該第二晶圓的一上表面相對於該第一晶圓的一上表面。該系統亦包含:一液體輸送系統,用以將一電鍍液輸送至該第一晶圓的上表面,其中因應於該電鍍液的輸送,使該第二晶圓的上表面接近該第一晶圓的上表面,俾能使該電鍍液接觸該兩上表面。本發明亦提供一種用以將一無電電鍍液施加至一基板的方法。

    简体摘要： 本发明提供一种无电电镀系统。该系统包含:一第一真空吸盘,用以支撑一第一晶圆;以及一第二真空吸盘,用以支撑一第二晶圆,以使该第二晶圆的一上表面相对于该第一晶圆的一上表面。该系统亦包含:一液体输送系统,用以将一电镀液输送至该第一晶圆的上表面,其中因应于该电镀液的输送,使该第二晶圆的上表面接近该第一晶圆的上表面,俾能使该电镀液接触该两上表面。本发明亦提供一种用以将一无电电镀液施加至一基板的方法。