公开(公告)号：TWI574366B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW102103092

申请日：2013-01-28

Applicant: 新光電氣工業股份有限公司 ,  SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 宮尾仁 ,  MIYAO, HITOSHI

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201347123A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102103092

申请日：2013-01-28

Applicant: 新光電氣工業股份有限公司 ,  SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 宮尾仁 ,  MIYAO, HITOSHI

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一種製造引線框的方法，包括藉由一第一衝壓來形成一長方形第一小凹坑於一晶粒承座的背側上，該第一小凹坑包括朝一深度方向傾斜，且被配置於在一個方向上之兩相對側的第一斜側表面，及直立於一深度方向，且被配置於在另一方向上之兩相對側的直立側表面，該方法更包括及藉由一第二衝壓來形成一具有第二斜側表面的第二小凹坑於該晶粒承座的背側上，以致於該第二小凹坑的第二斜側表面被配置在該第一小凹坑之直立側表面的側旁區域上，其中，該等直立側表面是變換成朝一與第一斜側表面顛倒之方向傾斜的顛倒斜側表面，且該晶粒承座的前側是為半導體元件安裝表面。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造引线框的方法，包括借由一第一冲压来形成一长方形第一小凹坑于一晶粒承座的背侧上，该第一小凹坑包括朝一深度方向倾斜，且被配置于在一个方向上之两相对侧的第一斜侧表面，及直立于一深度方向，且被配置于在另一方向上之两相对侧的直立侧表面，该方法更包括及借由一第二冲压来形成一具有第二斜侧表面的第二小凹坑于该晶粒承座的背侧上，以致于该第二小凹坑的第二斜侧表面被配置在该第一小凹坑之直立侧表面的侧旁区域上，其中，该等直立侧表面是变换成朝一与第一斜侧表面颠倒之方向倾斜的颠倒斜侧表面，且该晶粒承座的前侧是为半导体组件安装表面。