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    記憶元件及記憶裝置
    5.
    发明专利
    記憶元件及記憶裝置 审中-公开
    记忆组件及记忆设备

    公开(公告)号：TW201519484A

    公开(公告)日：2015-05-16

    申请号：TW103134444

    申请日：2012-03-29

    申请人： 新力股份有限公司 ,  SONY CORPORATION

    发明人： 大森廣之 ,  OHMORI, HIROYUKI ,  細見政功 ,  HOSOMI, MASANORI ,  別所和宏 ,  BESSHO, KAZUHIRO ,  肥後豐 ,  HIGO, YUTAKA ,  山根一陽 ,  YAMANE, KAZUTAKA ,  內田裕行 ,  UCHIDA, HIROYUKI ,  淺山徹哉 ,  ASAYAMA, TETSUYA

    IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16

    CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

    摘要： 本發明提供一種不增大寫入電流便具有高保磁力且可改善熱穩定性之記憶元件。該記憶元件包含：記憶層，其藉由磁性體之磁化狀態而保持資訊；磁化固定層，其具有成為記憶層所記憶之資訊之基準之磁化；中間層，其設置於記憶層與磁化固定層之間且由非磁性體所形成；磁耦合層，其鄰接於磁化固定層且設置於中間層之相反側；及高保磁力層，其鄰接於磁耦合層而設置。而且，利用伴隨在包含記憶層、中間層、磁化固定層之層構造之層疊方向上流動之電流而產生之自旋力矩磁化反轉，使上述記憶層之磁化反轉，藉此進行資訊之記憶，並且磁耦合層為2層之層疊構造。

    简体摘要： 本发明提供一种不增大写入电流便具有高保磁力且可改善热稳定性之记忆组件。该记忆组件包含：记忆层，其借由磁性体之磁化状态而保持信息；磁化固定层，其具有成为记忆层所记忆之信息之基准之磁化；中间层，其设置于记忆层与磁化固定层之间且由非磁性体所形成；磁耦合层，其邻接于磁化固定层且设置于中间层之相反侧；及高保磁力层，其邻接于磁耦合层而设置。而且，利用伴随在包含记忆层、中间层、磁化固定层之层构造之层叠方向上流动之电流而产生之自旋力矩磁化反转，使上述记忆层之磁化反转，借此进行信息之记忆，并且磁耦合层为2层之层叠构造。