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公开(公告)号：TWI697572B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105123459
申请日：2016-07-25
发明人： 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 張守斌 , ZHANG, SHOUBIN
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公开(公告)号：TW202011420A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108117025
申请日：2019-05-17
发明人： 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO , 野中荘平 , NONAKA, SOHEI
摘要： 一種具備Ag合金膜(11)，與層合於該Ag合金膜(11)之一面或兩面的透明導電氧化物膜(12)之層合膜(10)，其中，Ag合金膜(11)，含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成，且Ag合金膜(11)之膜厚為3nm以上且10nm以下之範圍內。
简体摘要： 一种具备Ag合金膜(11)，与层合于该Ag合金膜(11)之一面或两面的透明导电氧化物膜(12)之层合膜(10)，其中，Ag合金膜(11)，含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之范围内的Ge，剩余部分为Ag及不可避免之杂质的组成，且Ag合金膜(11)之膜厚为3nm以上且10nm以下之范围内。
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公开(公告)号：TWI685477B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW105102710
申请日：2016-01-28
发明人： 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO , 齋藤淳 , SAITO, ATSUSHI , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 張守斌 , ZHANG, SHOUBIN
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公开(公告)号：TW201805454A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106109572
申请日：2017-03-22
发明人： 中澤弘実 , NAKAZAWA, HIROMI , 石井博 , ISHII, HIROSHI , 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO , 齋藤淳 , SAITO, ATSUSHI , 林雄二郎 , HAYASHI, YUJIRO
摘要： 本發明之層合透明導電膜具有由Ag或Ag合金所構成之Ag膜、及配置於前述Ag膜的兩面之透明導電氧化物膜，前述透明導電氧化物膜係由含有Zn、Ga及Ti之氧化物所形成。
简体摘要： 本发明之层合透明导电膜具有由Ag或Ag合金所构成之Ag膜、及配置于前述Ag膜的两面之透明导电氧化物膜，前述透明导电氧化物膜系由含有Zn、Ga及Ti之氧化物所形成。
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公开(公告)号：TW201803409A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106109573
申请日：2017-03-22
发明人： 中澤弘実 , NAKAZAWA, HIROMI , 石井博 , ISHII, HIROSHI , 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO , 齋藤淳 , SAITO, ATSUSHI , 林雄二郎 , HAYASHI, YUJIRO
摘要： 本發明之層合反射電極膜，其係具有由Ag或Ag合金所成之Ag膜、與配置於前述Ag膜上之透明導電氧化物膜，前述透明導電氧化物膜係由包含Zn與Ga、進而包含Sn、Y及Ti中之1種或2種以上之氧化物所成。
简体摘要： 本发明之层合反射电极膜，其系具有由Ag或Ag合金所成之Ag膜、与配置于前述Ag膜上之透明导电氧化物膜，前述透明导电氧化物膜系由包含Zn与Ga、进而包含Sn、Y及Ti中之1种或2种以上之氧化物所成。
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公开(公告)号：TW201638045A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105102710
申请日：2016-01-28
发明人： 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO , 齋藤淳 , SAITO, ATSUSHI , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 張守斌 , ZHANG, SHOUBIN
摘要： 特徵係由金屬成分元素之含有比例為相對於全金屬成分元素量而言Al、Ga中之至少1種或2種之以合計為0.1原子%以上15.0原子%以下，Y、La、Nd、Bi中之至少1種或2種以上之以合計為1.0原子%以上20.0原子%以下，殘餘部分為Zn及不可避免之雜質的氧化物所成。
简体摘要： 特征系由金属成分元素之含有比例为相对于全金属成分元素量而言Al、Ga中之至少1种或2种之以合计为0.1原子%以上15.0原子%以下，Y、La、Nd、Bi中之至少1种或2种以上之以合计为1.0原子%以上20.0原子%以下，残余部分为Zn及不可避免之杂质的氧化物所成。
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公开(公告)号：TWI645052B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW104109561
申请日：2015-03-25
发明人： 野中荘平 , NONAKA, SOHEI , 小見山昌三 , KOMIYAMA, SHOZO , 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO
IPC分类号： C22C5/06 , C23C14/34 , H01L33/36 , G02F1/1343
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公开(公告)号：TW201525169A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103126890
申请日：2014-08-06
发明人： 齋藤淳 , SAITO, ATSUSHI , 野村聡 , NOMURA, SATOSHI , 張守斌 , ZHANG, SHOUBIN , 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/645 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/652 , C04B2235/96 , C22C18/00 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要： 本發明之濺鍍靶係由ZnSn氧化物所成之燒結體，該燒結體具有化學式：ZnxSnyOz(惟，x+y=2，且z=x+2y-α(x+2y))之組成，並滿足缺陷係數α=0.002~0.03及氧之成分比z=2.1~3.8之條件，且對於前述燒結體之厚度方向之平均比電阻的偏差為50%以下。
简体摘要： 本发明之溅镀靶系由ZnSn氧化物所成之烧结体，该烧结体具有化学式：ZnxSnyOz(惟，x+y=2，且z=x+2y-α(x+2y))之组成，并满足缺陷系数α=0.002~0.03及氧之成分比z=2.1~3.8之条件，且对于前述烧结体之厚度方向之平均比电阻的偏差为50%以下。
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公开(公告)号：TWI485270B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW103102109
申请日：2014-01-21
发明人： 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO , 野中荘平 , NONAKA, SOHEI
CPC分类号： C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/14 , C23C14/3414 , H01J37/3429
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公开(公告)号：TW201538754A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104104424
申请日：2015-02-10
发明人： 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO , 野中荘平 , NONAKA, SOHEI
IPC分类号： C22C5/06 , H05B33/24 , G11B7/258 , G02B5/08 , H05B33/26 , H01B1/02 , G06F3/041 , G09F9/00 , G02F1/1335
摘要： 本發明之Ag合金膜係具有一組成，而該組成含有0.01原子%以上1.00原子%以下之Sb、0.05原子%以上1.00原子%以下之Mg，且殘餘部分由Ag及不可避免的雜質所構成。
简体摘要： 本发明之Ag合金膜系具有一组成，而该组成含有0.01原子%以上1.00原子%以下之Sb、0.05原子%以上1.00原子%以下之Mg，且残余部分由Ag及不可避免的杂质所构成。
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