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公开(公告)号：TW202030338A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108104361
申请日：2019-02-11
发明人： 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 安徳優希 , ANTOKU, YUKI , 桑原岳 , KUWAHARA, TAKESHI , 市川司 , ICHIKAWA, TSUKASA
IPC分类号： C22C9/00 , C22C5/04 , B21C1/02 , C22F1/08 , C22F1/14 , C25D3/50 , C25D5/50 , C25D7/06 , H01L21/60 , H01L23/49
摘要： 本發明提供一種鈀被覆銅接合線、其接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法，其在第一接合時不會產生縮孔，接合可靠度高，即使在高溫、高濕環境下亦可長期穩定地維持優良的接合可靠度。 本發明之線接合構造中，接合線係具有銅芯材與Pd層、且含有硫族元素的Pd被覆銅接合線；相對於銅、Pd與硫族元素的總和，Pd的濃度為1.0質量%~4.0質量%；硫族元素濃度共50質量ppm以下，S濃度為5質量ppm~2質量ppm，或是Se濃度為5質量ppm~20質量ppm，或是Te濃度為15質量ppm~50質量ppm以下；在半導體晶片上的包含Al之電極與球體接合部的接合面附近具有Pd濃化接合區域，其中該Pd濃化接合區域的Pd濃度相對於Al、銅與Pd的總和為2.0質量%以上。
简体摘要： 本发明提供一种钯被覆铜接合线、其接合构造、半导体设备及半导体设备的制造方法，其在第一接合时不会产生缩孔，接合可靠度高，即使在高温、高湿环境下亦可长期稳定地维持优良的接合可靠度。 本发明之线接合构造中，接合线系具有铜芯材与Pd层、且含有硫族元素的Pd被覆铜接合线；相对于铜、Pd与硫族元素的总和，Pd的浓度为1.0质量%~4.0质量%；硫族元素浓度共50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm~2质量ppm，或是Se浓度为5质量ppm~20质量ppm，或是Te浓度为15质量ppm~50质量ppm以下；在半导体芯片上的包含Al之电极与球体接合部的接合面附近具有Pd浓化接合区域，其中该Pd浓化接合区域的Pd浓度相对于Al、铜与Pd的总和为2.0质量%以上。
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公开(公告)号：TW201921535A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107143058
申请日：2014-12-11
申请人： 日商新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. , 日商日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION
发明人： 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO , 萩原快朗 , HAGIWARA, YOSHIAKI , 小山田哲哉 , OYAMADA, TETSUYA , 小田大造 , ODA, DAIZO
摘要： 本發明之課題在於提供一種可減少異常迴路產生之接合線。 本發明之解決手段的特徵在於包含：芯材，包含超過50mol%之金屬M；中間層，係形成在前述芯材之表面上，且由Ni、Pd、前述金屬M及不可避免之不純物構成，而前述Ni濃度係15至80mol%；及被覆層，係形成在前述中間層上，且由Ni、Pd及不可避免之不純物構成，而前述Pd濃度係50至100mol%，又，前述金屬M係Cu或Ag，且前述被覆層之Ni濃度係比前述中間層之Ni濃度低。
简体摘要： 本发明之课题在于提供一种可减少异常回路产生之接合线。 本发明之解决手段的特征在于包含：芯材，包含超过50mol%之金属M；中间层，系形成在前述芯材之表面上，且由Ni、Pd、前述金属M及不可避免之不纯物构成，而前述Ni浓度系15至80mol%；及被覆层，系形成在前述中间层上，且由Ni、Pd及不可避免之不纯物构成，而前述Pd浓度系50至100mol%，又，前述金属M系Cu或Ag，且前述被覆层之Ni浓度系比前述中间层之Ni浓度低。
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公开(公告)号：TWI647766B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103143290
申请日：2014-12-11
申请人： 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. , 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION
发明人： 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO , 萩原快朗 , HAGIWARA, YOSHIAKI , 小山田哲哉 , OYAMADA, TETSUYA , 小田大造 , ODA, DAIZO
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公开(公告)号：TWI616215B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106105958
申请日：2017-02-22
发明人： 大久保道正 , OKUBO, MICHIMASA , 後藤研滋 , GOTO, KENJI
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公开(公告)号：TWI608108B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW104116014
申请日：2015-05-20
发明人： 許洛特 馬丁 , SCHLOTT, MARTIN , 赫爾佐格 安德烈亞斯 , HERZOG, ANDREAS , 舍爾 托馬斯 , SCHOLL, THOMAS , 寇尼特卡 烏韋 , KONIETZKA, UWE
CPC分类号： C22C5/06 , C22C1/02 , C22F1/14 , C23C14/14 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01J37/3491
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公开(公告)号：TW201631163A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104143867
申请日：2015-12-25
发明人： 麻田敬雄 , ASADA, TAKAO , 新妻巧望 , NIITSUMA, TAKUMI , 高橋昌宏 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 鶴田輝政 , TSURUTA, TERUMASA
摘要： 本發明係滑動接點材料，其具有6.0質量%以上9.0質量%以下之Cu、0.1質量%以上2.0質量%以下之Ni、0.1質量%以上0.8質量%以下之添加元素M、其餘為Ag之組成。該添加元素M係選自Sm、La、Zr所成之群中之至少一種元素。本發明之滑動接點材料具有於Ag合金基質中分散有分散粒子之材料組織，該分散粒子包含至少含有Ni及添加元素M之兩者之金屬間化合物。該分散粒子中之Ni含量(質量%)與添加元素M之含量(質量%)之比率(KNi/KM)被要求在特定範圍內。本發明係耐磨耗性比以往更優異之Ag合金系之滑動接點材料，且係亦可對應於微型馬達之高旋轉數化之材料。
简体摘要： 本发明系滑动接点材料，其具有6.0质量%以上9.0质量%以下之Cu、0.1质量%以上2.0质量%以下之Ni、0.1质量%以上0.8质量%以下之添加元素M、其余为Ag之组成。该添加元素M系选自Sm、La、Zr所成之群中之至少一种元素。本发明之滑动接点材料具有于Ag合金基质中分散有分散粒子之材料组织，该分散粒子包含至少含有Ni及添加元素M之两者之金属间化合物。该分散粒子中之Ni含量(质量%)与添加元素M之含量(质量%)之比率(KNi/KM)被要求在特定范围内。本发明系耐磨耗性比以往更优异之Ag合金系之滑动接点材料，且系亦可对应于微型马达之高旋转数化之材料。
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公开(公告)号：TW201530673A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103143290
申请日：2014-12-11
申请人： 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. , 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION
发明人： 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO , 萩原快朗 , HAGIWARA, YOSHIAKI , 小山田哲哉 , OYAMADA, TETSUYA , 小田大造 , ODA, DAIZO
CPC分类号： H01L24/45 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/322 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C9/06 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45032 , H01L2224/45101 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45163 , H01L2224/45164 , H01L2224/45166 , H01L2224/45541 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45655 , H01L2224/45664 , H01L2224/4809 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/85444 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/206 , H01L2924/386 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01204 , H01L2924/01033 , H01L2924/01203
摘要： 本發明之課題在於提供一種可減少異常迴路產生之接合線。 本發明之解決手段的特徵在於包含：芯材，包含超過50mol%之金屬M；中間層，係形成在前述芯材之表面上，且由Ni、Pd、前述金屬M及不可避免之不純物構成，而前述Ni濃度係15至80mol%；及被覆層，係形成在前述中間層上，且由Ni、Pd及不可避免之不純物構成，而前述Pd濃度係50至100mol%，又，前述金屬M係Cu或Ag，且前述被覆層之Ni濃度係比前述中間層之Ni濃度低。
简体摘要： 本发明之课题在于提供一种可减少异常回路产生之接合线。 本发明之解决手段的特征在于包含：芯材，包含超过50mol%之金属M；中间层，系形成在前述芯材之表面上，且由Ni、Pd、前述金属M及不可避免之不纯物构成，而前述Ni浓度系15至80mol%；及被覆层，系形成在前述中间层上，且由Ni、Pd及不可避免之不纯物构成，而前述Pd浓度系50至100mol%，又，前述金属M系Cu或Ag，且前述被覆层之Ni浓度系比前述中间层之Ni浓度低。
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公开(公告)号：TW201510243A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103122034
申请日：2014-06-26
发明人： 嶋邦弘 , SHIMA, KUNIHIRO , 後藤研滋 , GOTO, KENJI , 政広泰 , MASAHIRO, YASUSHI , 上野阿莎卡 , UENO, ASAKA , 岩田博夫 , IWATA, HIROO , 中井隆介 , NAKAI, RYUSUKE , 児玉智信 , KODAMA, TOMONOBU
IPC分类号： C22C5/02 , C22F3/00 , C22F1/14 , C21D9/00 , A61B17/12 , A61F2/06 , A61F2/82 , A61L27/04 , A61L29/02
CPC分类号： A61L29/02 , A61L31/022 , B22D7/005 , B22D21/005 , C22C1/02 , C22C5/02 , C22F1/00 , C22F1/14
摘要： 本發明係金鉑合金所形成的醫療用合金，其具有34~36質量%的鉑，剩餘部分由金所構成，該醫療用合金進一步具有α單相組織，其在X光繞射分析中的鉑(111)面之鋒值強度(X)與金(111)面之鋒值強度(Y)的比(X/Y)為0.01以下。該合金可藉由下述方法製造：在將金鉑合金錠熔化鑄造之後，進行2次以上的冷軋加工及用以均質化的熱處理。本發明之合金，對於MRI等磁場環境的相容性優良，且具有相對水的磁化率±4ppm的磁化率，係可實現無人為誤差的材料。
简体摘要： 本发明系金铂合金所形成的医疗用合金，其具有34~36质量%的铂，剩余部分由金所构成，该医疗用合金进一步具有α单相组织，其在X光绕射分析中的铂(111)面之锋值强度(X)与金(111)面之锋值强度(Y)的比(X/Y)为0.01以下。该合金可借由下述方法制造：在将金铂合金锭熔化铸造之后，进行2次以上的冷轧加工及用以均质化的热处理。本发明之合金，对于MRI等磁场环境的兼容性优良，且具有相对水的磁化率±4ppm的磁化率，系可实现无人为误差的材料。
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公开(公告)号：TWI414619B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW097110746
申请日：2008-03-26
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公开(公告)号：TWI697572B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105123459
申请日：2016-07-25
发明人： 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 張守斌 , ZHANG, SHOUBIN
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