公开(公告)号：TWI700553B

公开(公告)日：2020-08-01

申请号：TW108106809

申请日：2015-09-02

Applicant: 日商住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

Inventor： 城内公之 ,  SHIROUCHI, KIMIYUKI

IPC: G03F7/031 ,  C09K11/07 ,  C08F2/46 ,  C08F291/18 ,  G02F1/01

公开(公告)号：TWI683178B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：TW104128773

申请日：2015-09-01

Applicant: 日商住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

Inventor： 城内公之 ,  SHIROUCHI, KIMIYUKI

IPC: G03F7/004 ,  C09K11/08 ,  G02F1/136

公开(公告)号：TW201619707A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW104128965

申请日：2015-09-02

Applicant: 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

Inventor： 城内公之 ,  SHIROUCHI, KIMIYUKI

IPC: G03F7/031 ,  C09K11/08 ,  G02F1/13357

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C08F2/44 ,  C08F291/00 ,  C08F292/00 ,  F21V9/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/029 ,  G03F7/031 ,  H01L29/06

Abstract: 以光微影法，由以往的硬化性組成物形成硬化圖案時，有顯像後的硬化圖案之殘膜率偏低的問題。殘膜率係指下式(z)所表示之值。 殘膜率(%)=Td/Te×100 (z)[式(z)中，Td是表示硬化圖案之膜厚，Te是表示光照射後的組成物層之膜厚] 本發明係關於一種含有量子點、聚合起始劑及聚合性化合物的硬化性組成物，其中，聚合起始劑含有選自肟化合物、醯基膦化合物、三化合物及聯咪唑化合物所形成之群組中的至少一種。

Abstract in simplified Chinese: 以光微影法，由以往的硬化性组成物形成硬化图案时，有显像后的硬化图案之残膜率偏低的问题。残膜率系指下式(z)所表示之值。 残膜率(%)=Td/Te×100 (z)[式(z)中，Td是表示硬化图案之膜厚，Te是表示光照射后的组成物层之膜厚] 本发明系关于一种含有量子点、聚合起始剂及聚合性化合物的硬化性组成物，其中，聚合起始剂含有选自肟化合物、酰基膦化合物、三化合物及联咪唑化合物所形成之群组中的至少一种。

公开(公告)号：TW201616223A

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW104128773

申请日：2015-09-01

Applicant: 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

Inventor： 城内公之 ,  SHIROUCHI, KIMIYUKI

IPC: G03F7/004 ,  C09K11/08 ,  G02F1/136

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C08F2/44 ,  C08F2/50 ,  C08F291/00 ,  C08F292/00 ,  F21V9/30 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 由以往之硬化性組成物以光蝕刻法形成硬化圖案時，會有顯像後之硬化圖案的殘膜率低的問題。該殘膜率係指以下式(z)所示之值。 殘膜率(%)=Td/Te×100 (z)[式(z)中，Td表示硬化圖案之膜厚，Te表示光照射後的組成物層之膜厚。] 本發明之硬化性組成物係含有：量子點、聚合起始劑、聚合性化合物及硫醇化合物。前述硬化性組成物中，硫醇化合物係分子內含2個以上的氫硫基之硫醇化合物。

Abstract in simplified Chinese: 由以往之硬化性组成物以光蚀刻法形成硬化图案时，会有显像后之硬化图案的残膜率低的问题。该残膜率系指以下式(z)所示之值。 残膜率(%)=Td/Te×100 (z)[式(z)中，Td表示硬化图案之膜厚，Te表示光照射后的组成物层之膜厚。] 本发明之硬化性组成物系含有：量子点、聚合起始剂、聚合性化合物及硫醇化合物。前述硬化性组成物中，硫醇化合物系分子内含2个以上的氢硫基之硫醇化合物。