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    發光裝置
    4.
    发明专利
    發光裝置 审中-公开
    发光设备

    公开(公告)号：TW201947795A

    公开(公告)日：2019-12-16

    申请号：TW108118977

    申请日：2015-03-03

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 中田昌孝 ,  NAKADA, MASATAKA ,  阿部貴征 ,  ABE, TAKAYUKI ,  千田尚之 ,  SENDA, NAOYUKI

    IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32

    摘要： 提供一種起因於裂縫的不良得到降低的撓性裝置。另外，提供一種生產率高的撓性裝置。另外，提供一種即使保持在高溫高濕環境下也不容易產生顯示不良的撓性裝置。一種發光裝置，該發光裝置包括第一撓性基板、第二撓性基板、緩衝層、第一裂縫抑制層以及發光元件，第一撓性基板的第一面和第二撓性基板的第二面相互對置，緩衝層及第一裂縫抑制層設置在第一撓性基板的第一面上，緩衝層和第一裂縫抑制層相互重疊，發光元件設置在第二撓性基板的第二面上。

    简体摘要： 提供一种起因于裂缝的不良得到降低的挠性设备。另外，提供一种生产率高的挠性设备。另外，提供一种即使保持在高温高湿环境下也不容易产生显示不良的挠性设备。一种发光设备，该发光设备包括第一挠性基板、第二挠性基板、缓冲层、第一裂缝抑制层以及发光组件，第一挠性基板的第一面和第二挠性基板的第二面相互对置，缓冲层及第一裂缝抑制层设置在第一挠性基板的第一面上，缓冲层和第一裂缝抑制层相互重叠，发光组件设置在第二挠性基板的第二面上。

    半導體裝置的製造方法
    6.
    发明专利
    半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201820395A

    公开(公告)日：2018-06-01

    申请号：TW106137516

    申请日：2017-10-31

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 片山雅博 ,  KATAYAMA, MASAHIRO ,  土橋正佳 ,  DOBASHI, MASAYOSHI ,  中田昌孝 ,  NAKADA, MASATAKA

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  B32B27/00 ,  B23K26/57

    摘要： 本發明的目的是以低成本且高生產率製造半導體裝置。另外，提高半導體裝置的製程的良率。在基板上形成島狀金屬氧化物層，以覆蓋金屬氧化物層的端部的方式在金屬氧化物層上形成樹脂層，照射光，由此使金屬氧化物層與樹脂層分離。另外，也可以在形成樹脂層之後且照射光之前在樹脂層上形成絕緣層。例如，將樹脂層形成為島狀，將絕緣層以覆蓋樹脂層的端部的方式形成。在樹脂層上形成黏合層的情況下，較佳為以黏合層的端部位於金屬氧化物層的端部的內側的方式形成黏合層。

    简体摘要： 本发明的目的是以低成本且高生产率制造半导体设备。另外，提高半导体设备的制程的良率。在基板上形成岛状金属氧化物层，以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层，照射光，由此使金属氧化物层与树脂层分离。另外，也可以在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层。例如，将树脂层形成为岛状，将绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。在树脂层上形成黏合层的情况下，较佳为以黏合层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成黏合层。

    半導體裝置
    8.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201921703A

    公开(公告)日：2019-06-01

    申请号：TW108104981

    申请日：2015-01-26

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  中田昌孝 ,  NAKADA, MASATAKA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC分类号： H01L29/786

    摘要： 本發明的一個方式提供一種使用氧化物半導體的通態電流較大的半導體裝置。該半導體裝置包括設置在驅動電路部的第一電晶體及設置在像素部的第二電晶體，第一電晶體與第二電晶體的結構不同。另外，第一電晶體及第二電晶體是頂閘極結構的電晶體，並在氧化物半導體膜中的不與閘極電極重疊的區域中包含雜質元素。在氧化物半導體膜中，包含雜質元素的區域具有低電阻區域的功能。另外，在氧化物半導體膜中，包含雜質元素的區域與包含氫的膜接觸。另外，設置在驅動電路部的第一電晶體可以包括層疊有第一膜及第二膜的氧化物半導體膜，設置在像素部的第二電晶體也可以包括其金屬元素的原子個數比與第一膜不同的氧化物半導體膜。

    简体摘要： 本发明的一个方式提供一种使用氧化物半导体的通态电流较大的半导体设备。该半导体设备包括设置在驱动电路部的第一晶体管及设置在像素部的第二晶体管，第一晶体管与第二晶体管的结构不同。另外，第一晶体管及第二晶体管是顶闸极结构的晶体管，并在氧化物半导体膜中的不与闸极电极重叠的区域中包含杂质元素。在氧化物半导体膜中，包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，在氧化物半导体膜中，包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，设置在驱动电路部的第一晶体管可以包括层叠有第一膜及第二膜的氧化物半导体膜，设置在像素部的第二晶体管也可以包括其金属元素的原子个数比与第一膜不同的氧化物半导体膜。

    半導體裝置、使用該半導體裝置的顯示裝置、使用該顯示裝置的顯示模組以及使用該半導體裝置、該顯示裝置及該顯示模組的電子裝置
    9.
    发明专利
    半導體裝置、使用該半導體裝置的顯示裝置、使用該顯示裝置的顯示模組以及使用該半導體裝置、該顯示裝置及該顯示模組的電子裝置 审中-公开
    半导体设备、使用该半导体设备的显示设备、使用该显示设备的显示模块以及使用该半导体设备、该显示设备及该显示模块的电子设备

    公开(公告)号：TW201921656A

    公开(公告)日：2019-06-01

    申请号：TW108102055

    申请日：2015-01-29

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  片山雅博 ,  KATAYAMA, MASAHIRO ,  中田昌孝 ,  NAKADA, MASATAKA

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362

    摘要： 本發明題為半導體裝置、顯示裝置、顯示模組以及電子裝置。本發明的一個方式提供一種半導體裝置，其中包括使用氧化物半導體的交錯型電晶體及電容元件。本發明的一個方式是一種包括電晶體及電容元件的半導體裝置，其中電晶體包括：氧化物半導體膜；氧化物半導體膜上的閘極絕緣膜；閘極絕緣膜上的閘極電極；閘極電極上的第二絕緣膜；第二絕緣膜上的第三絕緣膜；以及第三絕緣膜上的源極電極及汲極電極，源極電極及汲極電極與氧化物半導體膜電連接，電容元件包括：第一導電膜；第二導電膜；以及該第二絕緣膜，第一導電膜與閘極電極設置在同一表面上，該第二導電膜與源極電極及汲極電極設置在同一表面上，該第二絕緣膜設置在第一導電膜與第二導電膜之間。

    简体摘要： 本发明题为半导体设备、显示设备、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体设备，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容组件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容组件的半导体设备，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的闸极绝缘膜；闸极绝缘膜上的闸极电极；闸极电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源极电极及汲极电极，源极电极及汲极电极与氧化物半导体膜电连接，电容组件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与闸极电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源极电极及汲极电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。