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    半導體裝置
    3.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201842673A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW107111955

    申请日：2014-05-06

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO ,  松田慎平 ,  MATSUDA, SHINPEI

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

    摘要： 本發明的一個方式提供一種使用氧化物半導體的半導體裝置，其中抑制閘極BT應力所導致的寄生通道的形成，或者一種包括電特性優良的電晶體的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：具有在第一閘極電極和第二閘極電極之間設置氧化物半導體膜的雙閘極結構的電晶體，其中，在第一閘極電極或第二閘極電極和氧化物半導體膜之間設置閘極絕緣膜，並且，在電晶體的通道寬度方向上，第一閘極電極或第二閘極電極與氧化物半導體膜的側面隔著閘極絕緣膜相對。

    简体摘要： 本发明的一个方式提供一种使用氧化物半导体的半导体设备，其中抑制闸极BT应力所导致的寄生信道的形成，或者一种包括电特性优良的晶体管的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：具有在第一闸极电极和第二闸极电极之间设置氧化物半导体膜的双闸极结构的晶体管，其中，在第一闸极电极或第二闸极电极和氧化物半导体膜之间设置闸极绝缘膜，并且，在晶体管的信道宽度方向上，第一闸极电极或第二闸极电极与氧化物半导体膜的侧面隔着闸极绝缘膜相对。

    發光裝置及其製造方法
    4.
    发明专利
    發光裝置及其製造方法 审中-公开
    发光设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201834202A

    公开(公告)日：2018-09-16

    申请号：TW106144012

    申请日：2010-09-15

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 江口晉吾 ,  EGUCHI, SHINGO ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

    IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 本發明的目的在於增進發光裝置的可靠度。本發明的另一目的在於提供可撓性給具有使用氧化物半導體膜的薄膜電晶體之發光裝置。發光裝置在一可撓基底上具有驅動電路部及像素部，驅動電路部包含用於驅動電路的薄膜電晶體，像素部包含用於像素的薄膜電晶體。用於驅動電路的薄膜電晶體及用於像素的薄膜電晶體是逆交錯薄膜電晶體，包含與部份氧化物絕緣層接觸的氧化物半導體層。

    简体摘要： 本发明的目的在于增进发光设备的可靠度。本发明的另一目的在于提供可挠性给具有使用氧化物半导体膜的薄膜晶体管之发光设备。发光设备在一可挠基底上具有驱动电路部及像素部，驱动电路部包含用于驱动电路的薄膜晶体管，像素部包含用于像素的薄膜晶体管。用于驱动电路的薄膜晶体管及用于像素的薄膜晶体管是逆交错薄膜晶体管，包含与部份氧化物绝缘层接触的氧化物半导体层。

    半導體裝置
    7.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW202005099A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108113891

    申请日：2019-04-19

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  島行德 ,  SHIMA, YUKINORI

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L51/50

    摘要： 提供一種電特性良好的半導體裝置。提供一種電特性穩定的半導體裝置。半導體裝置包括絕緣表面上的第一電晶體及第二電晶體。第一電晶體及第二電晶體分別包括第一絕緣層、第一絕緣層上的半導體層、半導體層上的第二絕緣層以及隔著第二絕緣層與半導體層重疊的第一導電層。第一絕緣層具有與半導體層重疊的凸狀的第一區域及不與半導體層重疊且厚度比第一區域薄的第二區域。第一導電層具有第二區域上的第一導電層的底面位於比半導體層的底面更低處的部分。此外，第二電晶體還具有第三導電層，該第三導電層隔著第一絕緣層與半導體層重疊。

    简体摘要： 提供一种电特性良好的半导体设备。提供一种电特性稳定的半导体设备。半导体设备包括绝缘表面上的第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管分别包括第一绝缘层、第一绝缘层上的半导体层、半导体层上的第二绝缘层以及隔着第二绝缘层与半导体层重叠的第一导电层。第一绝缘层具有与半导体层重叠的凸状的第一区域及不与半导体层重叠且厚度比第一区域薄的第二区域。第一导电层具有第二区域上的第一导电层的底面位于比半导体层的底面更低处的部分。此外，第二晶体管还具有第三导电层，该第三导电层隔着第一绝缘层与半导体层重叠。

    發光裝置及其製造方法
    8.
    发明专利
    發光裝置及其製造方法 审中-公开
    发光设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW202004922A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108120329

    申请日：2010-09-01

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

    摘要： 目的係為了提高發光裝置的可靠性。發光裝置在一基板上具有：驅動器電路部，其包括用於驅動器電路之電晶體；及像素部，其包括用於像素之電晶體。用於該驅動器電路之該電晶體和用於該像素之該電晶體為反向交錯式電晶體，其各個包括與氧化物絕緣層的一部分接觸之氧化物半導體層。在該像素部中，濾色器層和發光元件係設置在該氧化物絕緣層上。在用於該驅動器電路的該電晶體中，與閘極電極層和該氧化物半導體層重疊之導電層係設置在該氧化物絕緣層上。該閘極電極層、源極電極層、和汲極電極層係使用金屬導電膜所形成。

    简体摘要： 目的系为了提高发光设备的可靠性。发光设备在一基板上具有：驱动器电路部，其包括用于驱动器电路之晶体管；及像素部，其包括用于像素之晶体管。用于该驱动器电路之该晶体管和用于该像素之该晶体管为反向交错式晶体管，其各个包括与氧化物绝缘层的一部分接触之氧化物半导体层。在该像素部中，滤色器层和发光组件系设置在该氧化物绝缘层上。在用于该驱动器电路的该晶体管中，与闸极电极层和该氧化物半导体层重叠之导电层系设置在该氧化物绝缘层上。该闸极电极层、源极电极层、和汲极电极层系使用金属导电膜所形成。