公开(公告)号：TWI669895B

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：TW106139837

申请日：2012-12-06

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  鎌田康一郎 ,  KAMATA, KOICHIRO ,  三輪美沙子 ,  MIWA, MISAKO ,  前田修平 ,  MAEDA, SHUHEI

IPC: H02M3/10

公开(公告)号：TWI669878B

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：TW106111176

申请日：2011-07-27

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鹽野入豐 ,  SHIONOIRI, YUTAKA ,  鎌田康一郎 ,  KAMATA, KOICHIRO ,  佐藤美沙子 ,  SATO, MISAKO ,  前田修平 ,  MAEDA, SHUHEI

IPC: H02J50/00

公开(公告)号：TW201721844A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW106104276

申请日：2011-05-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鎌田康一郎 ,  KAMATA, KOICHIRO

IPC: H01L27/115 ,  G11C11/404 ,  G11C11/56 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C16/24 ,  G11C11/404 ,  G11C11/565 ,  G11C16/26 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一半導體裝置，具有減少的面積，且有更高的集成度以及更大的儲存容量。使用一多值記憶體單元，其包含一包含背閘極電極之讀取電晶體以及寫入電晶體。藉由開啟該寫入電晶體來寫入資料，以便供應根據該資料之電位至一節點，該寫入電晶體之源極電極和汲極電極之其中一者和該讀取電晶體之閘極電極彼此電連接於該節點處，然後關閉該寫入電晶體，並且於該節點中保持一預定電位。藉由供應讀取控制電位至電連接至該讀取電晶體之源極電極和汲極電極之其中一者的控制信號線，然後偵測讀取信號線之電位變化來讀取資料。

Abstract in simplified Chinese: 提供一半导体设备，具有减少的面积，且有更高的集成度以及更大的存储容量。使用一多值内存单元，其包含一包含背闸极电极之读取晶体管以及写入晶体管。借由打开该写入晶体管来写入数据，以便供应根据该数据之电位至一节点，该写入晶体管之源极电极和汲极电极之其中一者和该读取晶体管之闸极电极彼此电连接于该节点处，然后关闭该写入晶体管，并且于该节点中保持一预定电位。借由供应读取控制电位至电连接至该读取晶体管之源极电极和汲极电极之其中一者的控制信号线，然后侦测读取信号线之电位变化来读取数据。

公开(公告)号：TWI532287B

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW100126605

申请日：2011-07-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鹽野入豐 ,  SHIONOIRI, YUTAKA ,  鎌田康一郎 ,  KAMATA, KOICHIRO ,  佐藤美沙子 ,  SATO, MISAKO ,  前田修平 ,  MAEDA, SHUHEI

IPC: H02J17/00

CPC classification number: H02J50/12 ,  H02J7/025 ,  H02J17/00 ,  H02J50/20 ,  H02J50/40 ,  H02J50/80 ,  H02J50/90

公开(公告)号：TWI525791B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW100113203

申请日：2011-04-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鎌田康一郎 ,  KAMATA, KOICHIRO ,  伊藤良明 ,  ITO, YOSHIAKI ,  王丸拓郎 ,  OHMARU, TAKURO

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8248

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66772

公开(公告)号：TWI587299B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW100137910

申请日：2011-10-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鎌田康一郎 ,  KAMATA, KOICHIRO

IPC: G11C11/404 ,  G11C11/56 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/4094 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/565 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1203

公开(公告)号：TWI544735B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW100106921

申请日：2011-03-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鎌田康一郎 ,  KAMATA, KOICHIRO

IPC: H02M7/217 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0817 ,  H01L27/1225

公开(公告)号：TWI539710B

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：TW101101767

申请日：2012-01-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鎌田康一郎 ,  KAMATA, KOICHIRO ,  岡野真也 ,  OKANO, SHINYA ,  佐藤美沙子 ,  SATO, MISAKO ,  前田修平 ,  MAEDA, SHUHEI

IPC: H02J17/00

CPC classification number: H03H7/38 ,  H01F38/14 ,  H02J5/005 ,  H02J7/025 ,  H02J50/12 ,  H02J50/40 ,  H02J50/80 ,  H03C1/36 ,  H03D1/02

公开(公告)号：TWI529728B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW099139046

申请日：2010-11-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鎌田康一郎 ,  KAMATA, KOICHIRO ,  關根祐輔 ,  SEKINE, YUSUKE

IPC: G11C16/18 ,  G11C16/26 ,  G11C16/20

CPC classification number: G11C16/0433 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI525622B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW100145982

申请日：2011-12-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鎌田康一郎 ,  KAMATA, KOICHIRO

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C16/3404 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/0433