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公开(公告)号：TWI596766B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105120574
申请日：2016-06-29
发明人： 李智聖 , LI, CHIH SHENG , 黃信傑 , HUANG, HSIN CHIEH , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L21/3081 , H01L21/31 , H01L27/10879 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/66545 , H01L29/6681 , H01L29/7831 , H01L29/785 , H01L29/786
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公开(公告)号：TWI592361B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104126814
申请日：2015-08-18
申请人： 格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人： 臧 輝 , ZANG, HUI , 劉兵武 , LIU, BINGWU
IPC分类号： B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66772 , H01L29/775 , H01L29/7842 , H01L29/7847 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201717285A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105129760
申请日：2016-09-13
发明人： 洪俊九 , HONG, JOON GOO , 奧布拉多維奇 博爾納 J. , OBRADOVIC, BORNA J. , 羅德爾 馬克 S. , RODDER, MARK S.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78642 , H01L21/2256 , H01L29/0676 , H01L29/42392 , H01L29/66666 , H01L29/66742 , H01L29/66772 , H01L29/78618 , H01L29/78654 , H01L29/78684 , H01L29/78696
摘要： 本發明提供一種用於製造自對準垂直奈米薄片場效電晶體的方法。使用反應性離子蝕刻在包含多個層的層狀結構中蝕刻垂直溝槽，且藉由垂直半導體奈米薄片使用磊晶製程填充所述垂直溝槽。來自所述多個層當中的犧牲層經蝕刻掉，且藉由塗佈有高介電常數介電材料的導電（例如，金屬）閘極層替換。來自所述多個層當中的兩個其他層，一個在所述閘極層上方且一個在所述閘極層下方，經摻雜且充當在所述垂直半導體奈米薄片中形成兩個PN接面的擴散製程的摻雜劑供體。
简体摘要： 本发明提供一种用于制造自对准垂直奈米薄片场效应管的方法。使用反应性离子蚀刻在包含多个层的层状结构中蚀刻垂直沟槽，且借由垂直半导体奈米薄片使用磊晶制程填充所述垂直沟槽。来自所述多个层当中的牺牲层经蚀刻掉，且借由涂布有高介电常数介电材料的导电（例如，金属）闸极层替换。来自所述多个层当中的两个其他层，一个在所述闸极层上方且一个在所述闸极层下方，经掺杂且充当在所述垂直半导体奈米薄片中形成两个pn结的扩散制程的掺杂剂供体。
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公开(公告)号：TW201633454A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW105100753
申请日：2016-01-12
发明人： 泰伯利 坎達巴拉 N , TAPILY, KANDABARA N. , 中村源志 , NAKAMURA, GENJI
IPC分类号： H01L21/764 , H01L21/336 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78654 , H01L29/78696
摘要： 本發明之實施例描述在基板上形成奈米線結構的方法。根據一實施例，該方法包含：a)在基板上沉積第一半導體層；b)蝕刻第一半導體層，以形成圖案化第一半導體層；c)在圖案化第一半導體層的範圍形成介電層；及d)在圖案化第一半導體層上、及在介電層上沉積第二半導體層。該方法更包含：e)重複a)-d)至少一次；f)在e)之後，重複a)-c)一次；g)蝕刻圖案化第一半導體層、介電層、及第二半導體層，以形成鰭式結構；及h) 將圖案化第一半導體層從鰭式結構移除。
简体摘要： 本发明之实施例描述在基板上形成奈米线结构的方法。根据一实施例，该方法包含：a)在基板上沉积第一半导体层；b)蚀刻第一半导体层，以形成图案化第一半导体层；c)在图案化第一半导体层的范围形成介电层；及d)在图案化第一半导体层上、及在介电层上沉积第二半导体层。该方法更包含：e)重复a)-d)至少一次；f)在e)之后，重复a)-c)一次；g)蚀刻图案化第一半导体层、介电层、及第二半导体层，以形成鳍式结构；及h) 将图案化第一半导体层从鳍式结构移除。
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公开(公告)号：TWI538111B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW098121197
申请日：2009-06-24
发明人： 大沼英人 , OHNUMA, HIDETO , 牧野賢一郎 , MAKINO, KENICHIRO , 飯窪陽一 , IIKUBO, YOICHI , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 志賀愛子 , SHIGA, AIKO
CPC分类号： H01L21/84 , H01L21/76254 , H01L29/66772 , H01L29/78621
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公开(公告)号：TWI514520B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW097120754
申请日：2008-06-04
发明人： 掛端哲彌 , KAKEHATA, TETSUYA
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L27/112 , H01L27/1122 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L29/66772
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公开(公告)号：TWI500160B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW098126276
申请日：2009-08-04
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 白石康次郎 , SHIRAISHI, KOJIRO
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L29/6675 , H01L29/78618 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI494974B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW098103240
申请日：2009-02-02
发明人： 大沼英人 , OHNUMA, HIDETO , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772
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公开(公告)号：TWI489553B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW098136484
申请日：2009-10-28
申请人： 國立大學法人 東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 , FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人： 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 磯貝達典 , ISOGAI, TATSUNORI , 田中宏明 , TANAKA, HIROAKI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/28079 , H01L21/28518 , H01L21/823835 , H01L27/092 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4958 , H01L29/66772 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI480984B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW097150456
申请日：2008-12-24
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高橋秀和 , TAKAHASHI, HIDEKAZU , 山田大幹 , YAMADA, DAIKI , 門馬洋平 , MONMA, YOHEI , 安達廣樹 , ADACHI, HIROKI
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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