公开(公告)号：TW201841367A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW106145404

申请日：2017-12-22

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  平松智記 ,  HIRAMATSU, TOMOKI ,  本田龍之介 ,  HONDA, RYUNOSUKE

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明的一個實施方式提供一種通態電流大的半導體裝置。該半導體裝置包括：基板上的第一導電體；第一導電體上的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；與第二氧化物的頂面及第二氧化物的側面接觸的第二絕緣體；第二絕緣體上的第二導電體；以及與第二絕緣體的側面及第二導電體的側面接觸的第三絕緣體，其中，第二氧化物的厚度為第二氧化物的通道寬度方向上的長度以上，第二導電體包括隔著第二絕緣體與第二氧化物的頂面和側面相對的區域，並且，第二氧化物的側面的載子密度大於第二氧化物的頂面的載子密度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式提供一种通态电流大的半导体设备。该半导体设备包括：基板上的第一导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；与第二氧化物的顶面及第二氧化物的侧面接触的第二绝缘体；第二绝缘体上的第二导电体；以及与第二绝缘体的侧面及第二导电体的侧面接触的第三绝缘体，其中，第二氧化物的厚度为第二氧化物的信道宽度方向上的长度以上，第二导电体包括隔着第二绝缘体与第二氧化物的顶面和侧面相对的区域，并且，第二氧化物的侧面的载子密度大于第二氧化物的顶面的载子密度。