公开(公告)号：TW201841367A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW106145404

申请日：2017-12-22

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  平松智記 ,  HIRAMATSU, TOMOKI ,  本田龍之介 ,  HONDA, RYUNOSUKE

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明的一個實施方式提供一種通態電流大的半導體裝置。該半導體裝置包括：基板上的第一導電體；第一導電體上的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；與第二氧化物的頂面及第二氧化物的側面接觸的第二絕緣體；第二絕緣體上的第二導電體；以及與第二絕緣體的側面及第二導電體的側面接觸的第三絕緣體，其中，第二氧化物的厚度為第二氧化物的通道寬度方向上的長度以上，第二導電體包括隔著第二絕緣體與第二氧化物的頂面和側面相對的區域，並且，第二氧化物的側面的載子密度大於第二氧化物的頂面的載子密度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式提供一种通态电流大的半导体设备。该半导体设备包括：基板上的第一导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；与第二氧化物的顶面及第二氧化物的侧面接触的第二绝缘体；第二绝缘体上的第二导电体；以及与第二绝缘体的侧面及第二导电体的侧面接触的第三绝缘体，其中，第二氧化物的厚度为第二氧化物的信道宽度方向上的长度以上，第二导电体包括隔着第二绝缘体与第二氧化物的顶面和侧面相对的区域，并且，第二氧化物的侧面的载子密度大于第二氧化物的顶面的载子密度。

公开(公告)号：TW201705490A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105111401

申请日：2016-04-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鳥海聰志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  濱田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI ,  淺野裕治 ,  ASANO, YUJI ,  本田龍之介 ,  HONDA, RYUNOSUKE ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517

Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是提供一種微型電晶體。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，包括：基板上的半導體；半導體上的第一導電體及第二導電體；第一導電體及第二導電體上的第一絕緣體；半導體上的第二絕緣體；第二絕緣體上的第三絕緣體；以及第三絕緣體上的第三導電體，第三絕緣體與第一絕緣體的側面接觸，半導體包括半導體與第一導電體的底面重疊的第一區域、半導體與第二導電體的底面重疊的第二區域、半導體與第三導電體的底面重疊的第三區域，半導體的頂面與第三導電體的底面之間的長度大於第一區域與第三區域之間的長度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种微型晶体管。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，包括：基板上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。

公开(公告)号：TWI695514B

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：TW105111401

申请日：2016-04-12

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鳥海聰志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  濱田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI ,  淺野裕治 ,  ASANO, YUJI ,  本田龍之介 ,  HONDA, RYUNOSUKE ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12 ,  H01L27/105