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公开(公告)号：TWI685878B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW105134855
申请日：2016-10-27
Inventor： 方堂涼太 , HODO, RYOTA , 倉田求 , KURATA, MOTOMU , 笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 岡本悟 , OKAMOTO, SATORU , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L21/02 , H01L21/463 , H01L21/467 , H01L21/768 , H01L23/535 , H01L27/12 , H01L29/66 , H01L29/786
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公开(公告)号：TW201841367A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106145404
申请日：2017-12-22
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 平松智記 , HIRAMATSU, TOMOKI , 本田龍之介 , HONDA, RYUNOSUKE
Abstract: 本發明的一個實施方式提供一種通態電流大的半導體裝置。該半導體裝置包括：基板上的第一導電體；第一導電體上的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；與第二氧化物的頂面及第二氧化物的側面接觸的第二絕緣體；第二絕緣體上的第二導電體；以及與第二絕緣體的側面及第二導電體的側面接觸的第三絕緣體，其中，第二氧化物的厚度為第二氧化物的通道寬度方向上的長度以上，第二導電體包括隔著第二絕緣體與第二氧化物的頂面和側面相對的區域，並且，第二氧化物的側面的載子密度大於第二氧化物的頂面的載子密度。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式提供一种通态电流大的半导体设备。该半导体设备包括：基板上的第一导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；与第二氧化物的顶面及第二氧化物的侧面接触的第二绝缘体；第二绝缘体上的第二导电体；以及与第二绝缘体的侧面及第二导电体的侧面接触的第三绝缘体，其中，第二氧化物的厚度为第二氧化物的信道宽度方向上的长度以上，第二导电体包括隔着第二绝缘体与第二氧化物的顶面和侧面相对的区域，并且，第二氧化物的侧面的载子密度大于第二氧化物的顶面的载子密度。
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公开(公告)号：TW201834249A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106143008
申请日：2017-12-07
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 及川欣聡 , OIKAWA, YOSHIAKI
Abstract: 本發明提供一種電特性良好的半導體裝置。本發明的半導體裝置包括：基板上的第一導電體、第一導電體上的第一絕緣體、第一絕緣體上的氧化物、氧化物上的第二絕緣體、第二絕緣體上的第二導電體、第二導電體上的第三絕緣體、與第二絕緣體的側面、第二導電體的側面及第三絕緣體的側面接觸的第四絕緣體、以及與氧化物、第一絕緣體及第四絕緣體接觸的第五絕緣體。第一絕緣體和第五絕緣體在氧化物一側的周邊區域中接觸。氧化物包括形成有通道的第一區域、相鄰於第一區域的第二區域、相鄰於第二區域的第三區域以及相鄰於第三區域的第四區域。第一區域具有比第二區域、第三區域及第四區域高的電阻，並與第二導電體重疊。第二區域具有比第三區域及第四區域高的電阻，並與第二導電體重疊。第三區域具有比第四區域高的電阻，並與第四絕緣體重疊。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电特性良好的半导体设备。本发明的半导体设备包括：基板上的第一导电体、第一导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第二导电体、第二导电体上的第三绝缘体、与第二绝缘体的侧面、第二导电体的侧面及第三绝缘体的侧面接触的第四绝缘体、以及与氧化物、第一绝缘体及第四绝缘体接触的第五绝缘体。第一绝缘体和第五绝缘体在氧化物一侧的周边区域中接触。氧化物包括形成有信道的第一区域、相邻于第一区域的第二区域、相邻于第二区域的第三区域以及相邻于第三区域的第四区域。第一区域具有比第二区域、第三区域及第四区域高的电阻，并与第二导电体重叠。第二区域具有比第三区域及第四区域高的电阻，并与第二导电体重叠。第三区域具有比第四区域高的电阻，并与第四绝缘体重叠。
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公开(公告)号：TW201834244A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106139359
申请日：2017-11-14
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 徳丸亮 , TOKUMARU, RYO
IPC: H01L29/10 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/108 , H01L21/4757 , H01L21/443 , H01L21/02
Abstract: 本發明提供一種電特性良好的半導體裝置。本發明是一種包括第一電晶體和第二電晶體的半導體裝置。第一電晶體包括：基板上的第一導電體；其上的第一絕緣體；其上的第一氧化物；其上的第二絕緣體；具有與第二絕緣體的側面大致對齊的側面且在第二絕緣體上的第二導電體；具有與第二導電體的側面大致對齊的側面且在第二導電體上的第三絕緣體；接觸於第二絕緣體的側面、第二導電體的側面及第三絕緣體的側面的第四絕緣體；以及接觸於第一氧化物及第四絕緣體的第五絕緣體。第二電晶體包括：第三導電體；其至少一部分與第三導電體重疊的第四導電體；以及第三導電體與第四導電體之間的第二氧化物。第三導電體及第四導電體電連接於第一導電體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电特性良好的半导体设备。本发明是一种包括第一晶体管和第二晶体管的半导体设备。第一晶体管包括：基板上的第一导电体；其上的第一绝缘体；其上的第一氧化物；其上的第二绝缘体；具有与第二绝缘体的侧面大致对齐的侧面且在第二绝缘体上的第二导电体；具有与第二导电体的侧面大致对齐的侧面且在第二导电体上的第三绝缘体；接触于第二绝缘体的侧面、第二导电体的侧面及第三绝缘体的侧面的第四绝缘体；以及接触于第一氧化物及第四绝缘体的第五绝缘体。第二晶体管包括：第三导电体；其至少一部分与第三导电体重叠的第四导电体；以及第三导电体与第四导电体之间的第二氧化物。第三导电体及第四导电体电连接于第一导电体。
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公开(公告)号：TW201826509A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106130878
申请日：2017-09-08
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI
Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是提供一種新穎的顯示裝置。該顯示裝置包括像素部以及驅動該像素部的驅動電路，驅動電路包括雙閘極結構的第一電晶體，像素部包括單閘極結構的第二電晶體及與第二電晶體電連接的像素電極。第一電晶體及第二電晶體的每一個包括具有通道的功能的第一金屬氧化物膜。各金屬氧化物膜包括第一區域及第二區域，第一區域包含In或者Zn、以及氧，第二區域包含In或者元素M、以及氧，並且，第一區域及第二區域以馬賽克狀分散或者分佈。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种新颖的显示设备。该显示设备包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路，驱动电路包括双闸极结构的第一晶体管，像素部包括单闸极结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括具有信道的功能的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域，第一区域包含In或者Zn、以及氧，第二区域包含In或者元素M、以及氧，并且，第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI670859B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107119203
申请日：2014-10-17
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
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公开(公告)号：TW201921353A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107129169
申请日：2018-08-21
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 木村肇 , KIMURA, HAJIME
IPC: G11C11/4091 , G11C7/06
Abstract: 提供一種不容易受到電晶體的特性不均勻的影響的感測放大器、半導體裝置及其工作方法。感測放大器所包括的放大器電路包括第一電路及第二電路。第一電路及第二電路分別包括反相器、第一電晶體、第二電晶體及電容器。電容器的第一端子與第一位元線連接，第二端子與反相器的輸入端子連接。第一電晶體被用作使反相器的輸入端子與輸出端子成為導通或非導通的開關，第二電晶體被用作使反相器的輸出端子與第二位元線成為導通或非導通的開關。在第一電路和第二電路中，第一位元線與第二位元線反向連接。第一電路及第二電路透過反相器的輸入端子與輸出端子之間變為導通狀態時得到的電位被初始化。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种不容易受到晶体管的特性不均匀的影响的传感放大器、半导体设备及其工作方法。传感放大器所包括的放大器电路包括第一电路及第二电路。第一电路及第二电路分别包括反相器、第一晶体管、第二晶体管及电容器。电容器的第一端子与第一比特线连接，第二端子与反相器的输入端子连接。第一晶体管被用作使反相器的输入端子与输出端子成为导通或非导通的开关，第二晶体管被用作使反相器的输出端子与第二比特线成为导通或非导通的开关。在第一电路和第二电路中，第一比特线与第二比特线反向连接。第一电路及第二电路透过反相器的输入端子与输出端子之间变为导通状态时得到的电位被初始化。
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公开(公告)号：TW201834197A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106143009
申请日：2017-12-07
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE
IPC: H01L27/01 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠實現微型化或高積體化的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，包括：基板上的第一絕緣體；第一絕緣體上的氧化物；氧化物上的第二絕緣體；第二絕緣體上的第一導電體；第一導電體上的第三絕緣體；接觸於第二絕緣體的側面、第一導電體的側面及第三絕緣體的側面的第四絕緣體；接觸於氧化物的頂面及第四絕緣體的側面的第五絕緣體；以及接觸於氧化物的頂面及第五絕緣體的第二導電體，其中，第四絕緣體的頂面的高度高於第五絕緣體的頂面的高度。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种能够实现微型化或高积体化的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，包括：基板上的第一绝缘体；第一绝缘体上的氧化物；氧化物上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第一导电体；第一导电体上的第三绝缘体；接触于第二绝缘体的侧面、第一导电体的侧面及第三绝缘体的侧面的第四绝缘体；接触于氧化物的顶面及第四绝缘体的侧面的第五绝缘体；以及接触于氧化物的顶面及第五绝缘体的第二导电体，其中，第四绝缘体的顶面的高度高于第五绝缘体的顶面的高度。
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公开(公告)号：TW201830367A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106145405
申请日：2017-12-22
Inventor： 豊高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 宍戸英明 , SHISHIDO, HIDEAKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
Abstract: 提供一種利便性或可靠性優良的新穎的顯示面板。一種具有顯示區域的顯示面板，顯示區域包括第一一組像素、第二一組像素、第三一組像素、第四一組像素、第一掃描線、第二掃描線、第一信號線及第二信號線。第一一組像素包括第一像素並配置在行方向上。第二一組像素包括第二像素並配置在行方向上。第三一組像素包括第一像素並配置在與行方向交叉的列方向上。第四一組像素包括第二像素並配置在列方向上。第一信號線與第三一組像素電連接，第二信號線與第四一組像素電連接。第一掃描線與第一一組像素電連接，第二掃描線與第二一組像素電連接。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种利便性或可靠性优良的新颖的显示皮肤。一种具有显示区域的显示皮肤，显示区域包括第一一组像素、第二一组像素、第三一组像素、第四一组像素、第一扫描线、第二扫描线、第一信号线及第二信号线。第一一组像素包括第一像素并配置在行方向上。第二一组像素包括第二像素并配置在行方向上。第三一组像素包括第一像素并配置在与行方向交叉的列方向上。第四一组像素包括第二像素并配置在列方向上。第一信号线与第三一组像素电连接，第二信号线与第四一组像素电连接。第一扫描线与第一一组像素电连接，第二扫描线与第二一组像素电连接。
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公开(公告)号：TW201835889A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107105661
申请日：2018-02-14
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 木村肇 , KIMURA, HAJIME
IPC: G09G3/3233 , H01L29/73
Abstract: 提供一種實現適合於大型化的顯示裝置。在像素的一個列中設置三個以上的源極線，在一個圖框期間中，對相鄰的源極線輸入相同極性的視訊信號。藉由點反轉驅動減少閃爍、串擾等。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种实现适合于大型化的显示设备。在像素的一个列中设置三个以上的源极线，在一个图框期间中，对相邻的源极线输入相同极性的视频信号。借由点反转驱动减少闪烁、串扰等。
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